一种单晶炉高温除氧装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种单晶炉高温除氧装置，包含炉体、保温层、加热器、石墨坩埚、导流筒和排气孔，所述炉体内部设有所述保温层，所述保温层设置有所述加热器，所述加热器内部设置有所述石墨坩埚，所述石墨坩埚上方设置有所述导流筒，所述保温层底部设置有所述排气孔，所述排气孔穿过所述炉体，其特征在于：所述石墨坩埚和所述导流筒之间设置有氢气通入装置，所述氢气通入装置由母管、进口管、调节阀、支管和喷嘴组成，所述母管为环状，所述母管上对称设置有两根所述进口管，两根所述进口管上设置有所述调节阀，所述母管上倾斜设置有数根所述支管，所述支管出口端设置有所述喷嘴。本装置可大大地降低单晶棒的氧含量，提高单晶硅的品质。

A high temperature deoxidizing device for single crystal furnace

The utility model provides a high temperature deoxidizing device for a single crystal furnace, which comprises a furnace body, an insulation layer, a heater, a graphite crucible, a flow guide tube and an exhaust hole. The heat insulation layer is arranged inside the furnace body, and the heat insulation layer is provided with a heater. The heater is arranged inside the heater, and the graphite crucible is arranged above the graphite crucible. The exhaust hole is arranged at the bottom of the heat insulating layer. The exhaust hole passes through the furnace body, which is characterized in that a hydrogen entry device is arranged between the graphite crucible and the flow guide tube, and the hydrogen through device consists of a mother tube, an inlet pipe, a regulating valve, a control valve, a branch pipe and a nozzle. A circular tube is arranged symmetrically on the mother tube, and a regulating valve is arranged on the inlet pipe of the two. The pipe is tilted on the mother tube, and the outlet ends of the pipe are set up with the nozzle. The device can greatly reduce the oxygen content of single crystal rods and improve the quality of monocrystalline silicon.

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉高温除氧装置
本技术涉及单晶硅制造
，具体涉及一种单晶炉高温除氧装置。
技术介绍
单晶硅是集成电路及太阳能电池板等高精尖设备的重要材料，硅单晶炉在拉制硅单晶的过程中，是在保护气体氩气或氮气保护中进行的，石墨加热器对石墨坩埚托内装满多晶硅原料的坩埚进行加热，使坩埚中的多晶硅原料熔化，并达到工艺引晶要求。虽然单晶硅的引晶是在氩气或氮气等惰性气体保护下进行的，但在常规生产过程中，多晶硅原料自身会带有少量的氧，当多晶硅原料熔化后，这些氧也自然进入硅液，硅液中存在这些氧后，自然会影响单晶硅产品的质量。
技术实现思路
本技术提供一种单晶炉高温除氧装置，旨在单晶硅引晶过程中除去硅液中存在的少量氧，以提高单晶硅产品质量。为了实现本技术的目的，拟采用以下技术方案：一种单晶炉高温除氧装置，包含炉体、保温层、加热器、石墨坩埚、导流筒和排气孔，所述炉体内部设有所述保温层，所述保温层设置有所述加热器，所述加热器内部设置有所述石墨坩埚，所述石墨坩埚上方设置有所述导流筒，所述保温层底部设置有所述排气孔，所述排气孔穿过所述炉体，其特征在于：所述石墨坩埚和所述导流筒之间设置有氢气通入装置，所述氢气通入装置由母管、进口管、调节阀、支管和喷嘴组成，所述母管为环状，所述母管上对称设置有两根所述进口管，两根所述进口管上设置有所述调节阀，所述母管上倾斜设置有数根所述支管，所述支管出口端设置有所述喷嘴。优选的，所述支管数量为六根，均匀分布在所述母管上，相邻两所述支管之间的夹角为60°。优选的，所述支管向内倾斜，水平倾角为75°。优选的，所述喷嘴位于所述石墨坩埚内硅液上方。优选的，所述喷嘴喷口倾斜布置，水平倾角为45°。本技术的有益效果是：本装置可在生产过程中加入少量氢气，使氢气在高温的条件下与硅液中氧发生化学反应形成水，再跟随气流排出炉外，从而可大大地降低单晶棒的氧含量，提高单晶硅的品质。附图说明图1是本技术结构示意图；图2是本技术氢气通入装置正视示意图；图3是本技术氢气通入装置俯视示意图。在所有附图中，相同的附图标记用来表示相同的元件或结构，其中：1、炉体，2、保温层，3、加热器，4、石墨坩埚，5、氢气通入装置，6、导流筒，7、排气孔；51、母管，52、进口管，53、调节阀，54、支管，55、喷嘴。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。如图1、2、3所示，一种单晶炉高温除氧装置，包含炉体1、保温层2、加热器3、石墨坩埚4、导流筒6和排气孔7，炉体1内部设有保温层2，保温层2设置有加热器3，加热器3内部设置有石墨坩埚4，石墨坩埚4上方设置有导流筒6，保温层2底部设置有排气孔7，排气孔7穿过炉体1，其特征在于：石墨坩埚4和导流筒6之间设置有氢气通入装置5，氢气通入装置5由母管51、进口管52、调节阀53、支管54和喷嘴55组成，母管51为环状，母管51上对称设置有两根进口管52，两根进口管52上设置有调节阀53，母管51上倾斜设置有数根支管54，支管54出口端设置有喷嘴55。优选的，支管54数量为六根，均匀分布在母管51上，相邻两支管54之间的夹角为60°。优选的，支管54向内倾斜，水平倾角为75°。优选的，喷嘴55位于石墨坩埚4内硅液上方。优选的，喷嘴55喷口倾斜布置，水平倾角为45°。实施过程，多晶硅原料在氩气或氮气的保护下在石墨坩埚4内被加热融化成硅液，原先存在于多晶硅原料内氧进入熔化后的硅液，氢气通入装置5的进口管52与氢气源接通，氢气通过进口管52进入母管51，通过调节调节阀53控制进入母管51的氢气量，母管51再将氢气分配到各支管54，然后通过喷嘴将氢气喷到硅液表面上，少量的氢气将与硅液中的氧在高温下反应生成水，然后随着氩气或氮气通过排气孔7排出单晶炉，出去氧后的硅液在引晶成单晶硅棒，制成高品质的单晶硅产品。本装置可在在生产过程中加入少量氢气，使氢气在高温的条件下与硅液中氧发生化学反应形成水，再跟随气流排出炉外，从而可大大地降低单晶棒的氧含量，提高单晶硅的品质。本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶炉高温除氧装置，包含炉体（1）、保温层（2）、加热器（3）、石墨坩埚（4）、导流筒（6）和排气孔（7），所述炉体（1）内部设有所述保温层（2），所述保温层（2）设置有所述加热器（3），所述加热器（3）内部设置有所述石墨坩埚（4），所述石墨坩埚（4）上方设置有所述导流筒（6），所述保温层（2）底部设置有所述排气孔（7），所述排气孔（7）穿过所述炉体（1），其特征在于：所述石墨坩埚（4）和所述导流筒（6）之间设置有氢气通入装置（5），所述氢气通入装置（5）由母管（51）、进口管（52）、调节阀（53）、支管（54）和喷嘴（55）组成，所述母管（51）为环状，所述母管（51）上对称设置有两根所述进口管（52），两根所述进口管（52）上设置有所述调节阀（53），所述母管（51）上倾斜设置有数根所述支管（54），相邻两所述支管（54）之间的夹角为60°，所述支管（54）向内倾斜，水平倾角为75°，所述支管（54）出口端设置有所述喷嘴（55），所述喷嘴（55）位于所述石墨坩埚（4）内硅液上方，所述喷嘴（55）喷口倾斜布置，水平倾角为45°。

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉高温除氧装置，包含炉体（1）、保温层（2）、加热器（3）、石墨坩埚（4）、导流筒（6）和排气孔（7），所述炉体（1）内部设有所述保温层（2），所述保温层（2）设置有所述加热器（3），所述加热器（3）内部设置有所述石墨坩埚（4），所述石墨坩埚（4）上方设置有所述导流筒（6），所述保温层（2）底部设置有所述排气孔（7），所述排气孔（7）穿过所述炉体（1），其特征在于：所述石墨坩埚（4）和所述导流筒（6）之间设置有氢气通入装置（5），所述氢气通入装置（5）由母管（51）、进口管（52）、调节阀（53）、支管（54）和喷嘴（...

【专利技术属性】
技术研发人员：王礼彬，
申请(专利权)人：四川高铭科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51