A light recovery device, which includes a light transmittance substrate, a light emitting layer, located at the first side of the base material, and has a plurality of lighting parts and a gap set between the lighting parts; and a light transmittance warpage suppressor, which is located on the second side of the base material, and the linear expansion coefficient of the daylight layer and the warpage suppressor layer is large. It is the same. In addition, a light recovery device includes a light transmittance substrate, a light transmittance layer, located at the first side of the substrate, and has a plurality of daylight parts and a gap set between the lighting parts; and a light transmittance warpage suppressor, which is located on the second side of the base material, and the line expansion of the daylight layer and the warping inhibition layer. The coefficient is larger or smaller than the linear expansion coefficient of the substrate.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】采光装置以及采光系统
本专利技术的若干个方式涉及采光装置以及采光系统。本申请基于2015年11月17日于日本申请的特愿2015-225169号并主张其优先权,在此引用其内容。
技术介绍
已知有为了将入射至窗玻璃的日光等外部光高效地导入室内,沿着窗玻璃的一面设置包含采光膜的采光装置(例如,参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2013-156554号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题这样的采光装置有可能会产生因采光膜的热收缩导致的翘曲。本专利技术的一个方式是鉴于上述现有技术的问题点而完成的,其目的之一在于,提供抑制翘曲的产生的采光装置。解决问题的方案为本专利技术的一个方式的采光装置,包括:透光性的基材;透光性的采光层,其位于所述基材的第一面侧,且具有多个采光部及设置于所述采光部之间的空隙部;及透光性的翘曲抑制层,其位于所述基材的第二面侧,所述采光层及所述翘曲抑制层的线膨胀系数大致相同。此外,在上述的采光装置中,所述采光层具有在面内线膨胀系数为最大的最大膨胀方向和线膨胀系数为最小的最小膨胀方向,所述翘曲抑制层具有在面内线膨胀系数为最大的最大膨胀方向和线膨胀系数为最小的最小膨胀方向,所述采光层的最大膨胀方向和所述翘曲抑制层的最大膨胀方向,以及所述采光层的最小膨胀方向和所述翘曲抑制层的最小膨胀方向也可以分别大致一致。此外,为本专利技术的一个方式的采光装置,透光性的基材;透光性的采光层,其位于所述基材的第一面侧,且具有多个采光部及设置于所述采光部之间的空隙部;及透光性的翘曲抑制层,其位于所述基材的第二面侧,所述采光层及所述翘曲抑制层的线 ...
【技术保护点】
1.一种采光装置,其特征在于,包括:透光性的基材;透光性的采光层,其位于所述基材的第一面侧,且具有多个采光部及设置于所述采光部之间的空隙部;及透光性的翘曲抑制层,其位于所述基材的第二面侧,所述采光层及所述翘曲抑制层的线膨胀系数大致相同。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.17 JP 2015-2251691.一种采光装置,其特征在于,包括:透光性的基材;透光性的采光层,其位于所述基材的第一面侧,且具有多个采光部及设置于所述采光部之间的空隙部;及透光性的翘曲抑制层,其位于所述基材的第二面侧,所述采光层及所述翘曲抑制层的线膨胀系数大致相同。2.根据权利要求1所述的采光装置,其特征在于,所述采光层具有在面内线膨胀系数为最大的最大膨胀方向和线膨胀系数为最小的最小膨胀方向,所述翘曲抑制层具有在面内线膨胀系数为最大的最大膨胀方向和线膨胀系数为最小的最小膨胀方向,所述采光层的最大膨胀方向和所述翘曲抑制层的最大膨胀方向,以及所述采光层的最小膨胀方向和所述翘曲抑制层的最小膨胀方向分别大致一致。3.一种采光装置,其特征在于,包括:透光性的基材;透光性的采光层,其位于所述基材的第一面侧,且具有多个采光部及设置于所述采光部之间的空隙部;及透光性...
【专利技术属性】
技术研发人员:筱崎大祐,镰田豪,植木俊,西中俊平,菅野透,
申请(专利权)人:夏普株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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