非易失性存储器件和包括非易失性存储器件的固态驱动器制造技术

一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器和控制电路。电压产生器产生要施加到存储单元阵列的字线电压。控制电路响应于命令和地址产生控制电压产生器的控制信号。控制电路包括黑客攻击检测电路。黑客攻击检测电路在检测到黑客攻击时禁用非易失性存储器件的操作，其中当命令和地址的访问序列与非易失性存储器件的标准序列不匹配一定的连续次数时，检测到黑客攻击。

Nonvolatile memory devices and solid state drives including non-volatile memory devices

A non-volatile memory device includes a memory cell array, a voltage generator and a control circuit. The voltage generator generates word line voltage to be applied to the memory cell array. The control circuit generates the control signal of the voltage generator in response to the command and address. The control circuit includes the hacker attack detection circuit. The hacker attack detection circuit disables the operation of nonvolatile memory devices when detecting hacker attacks. When the access sequence of the command and address and the standard sequence of the nonvolatile memory device do not match a certain number of consecutive times, the hacker attack is detected.

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器件和包括非易失性存储器件的固态驱动器
本专利技术构思的示例性实施例总体上涉及半导体存储器件，更具体地，涉及非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的固态驱动器。
技术介绍
半导体存储器件可以分为易失性半导体存储器件或非易失性半导体存储器件。易失性半导体存储器件可以高速地执行读取和写入操作，而存储在其中的内容可能在没有电力的情况下丢失。非易失性半导体存储器件可以在没有电力的情况下保留存储在其中的内容。为此，非易失性半导体存储器件可以用于将内容存储在趋于断电的设备中。非易失性半导体存储器件可以包括掩模只读存储器(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)等。闪存器件是非易失性存储器件的示例。闪存器件可以用作诸如计算机、蜂窝电话、个人数字助理(PDA)、数码相机、摄像机、录音机、MP3播放器、手持个人计算机(PC)、游戏机、传真机、扫描仪、打印机等的电子装置的语音和图像存储介质。近来，侵入闪存器件的尝试增加了。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例性实施例，非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器和控制电路。电压产生器产生要施加到存储单元阵列的字线电压。控制电路响应于命令和地址产生控制电压产生器的控制信号。控制电路包括黑客攻击检测电路。黑客攻击检测电路在检测到黑客攻击时禁用非易失性存储器件的操作，其中当命令和地址的访问序列与非易失性存储器件的标准序列不匹配一定的连续次数时，检测到黑客攻击。根据本专利技术构思的示例性实施例，固态驱动器包括多个非易失性存储器件和控制器。控制器控制非易失性存储器件。控制器包括黑客攻击检测电路。黑客攻击检测电路在检测到第一黑客攻击时禁用非易失性存储器件中的第一非易失性存储器件的操作，其中当用于访问第一非易失性存储器件的存储单元阵列的命令和地址的访问序列与第一非易失性存储器件的标准序列连续地不匹配预定次数时，检测到第一黑客攻击。根据本专利技术构思的示例性实施例，非易失性存储器件包括：黑客攻击检测电路，被配置为基于接收到的命令和地址来检测所述非易失性存储器件的黑客攻击；控制信号产生器，被配置为当检测到黑客攻击时产生黑客攻击控制信号；电压产生器，被配置为接收所述黑客攻击控制信号并输出第一电压信号；连接在命令解码器和控制信号产生器之间的第一开关，其中响应于所述第一电压信号切断从第一开关到控制信号产生器的连接；以及连接在命令解码器和控制信号产生器之间的第二开关，其中响应于指示黑客攻击已结束的信号，激活第二开关。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术构思的示例性实施例，本专利技术构思的以上和其他特征将变得被更清楚地理解。图1是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的存储系统的框图。图2是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的图1的存储系统中的控制信号的表。图3是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的图1的存储系统中的非易失性存储器件的框图。图4是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的图3中的存储单元阵列的框图。图5是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的图4的存储块的透视图。图6是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的沿图5的存储块的线I-I’得到的截面图。图7是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的参考图5和图6描述的存储块的等效电路的电路图。图8是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的图4的存储块的透视图。图9是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的沿图8的存储块的线II-II’得到的截面图。图10是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的参考图8和图9描述的存储块的等效电路的电路图。图11是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的图3的非易失性存储器件中的控制电路的框图。图12是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的图11的控制电路中的黑客攻击检测电路的框图。图13是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的图3的非易失性存储器件中的电压产生器的框图。图14示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的图11的控制电路中的第一开关。图15示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的图11的控制电路中的第一开关。图16示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的对图3的非易失性存储器件的访问请求。图17是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的非易失性存储器件的方法的流程图。图18是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的非易失性存储器件的方法的流程图。图19是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的固态盘或固态驱动器(SSD)的框图。图20是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的嵌入式多媒体卡(eMMC)的框图。图21是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的通用闪存存储器(UFS)的框图。图22是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的移动设备的框图。具体实施方式以下将参照附图更全面地描述本专利技术构思的示例性实施例。然而，本专利技术构思可以按多种不同形式来体现，并且不应当被解释为限于本文阐述的示例性实施例。图1是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的存储系统的框图。参考图1，存储系统(例如，非易失性存储系统)10可以包括存储器控制器20和至少一个非易失性存储器件30。存储系统10可以包括基于闪存的数据存储介质，诸如存储卡、通用串行总线(USB)存储器和固态驱动器(SSD)。非易失性存储器件30可以在存储器控制器20的控制下执行擦除操作、编程操作或写入操作。非易失性存储器件30通过输入/输出线从存储器控制器20接收命令CMD、地址ADDR和数据DATA，以用于执行诸如擦除、编程和写入的操作。另外，非易失性存储器件30通过控制线从存储器控制器20接收控制信号CTRL。非易失性存储器件30可以包括黑客攻击检测电路600。当黑客攻击检测电路600检测到对非易失性存储器件30做出的无效访问序列时，黑客攻击检测电路600可以禁用非易失性存储器件30的操作。图2是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的图1的存储系统中的控制信号的表。参考图1和图2，存储器控制器20施加到非易失性存储器件30的控制信号CTL可以包括命令锁存使能信号CLE、地址锁存使能信号ALE、芯片使能信号nCE、读取使能信号nRE和写入使能信号nWe。存储器控制器20可以将命令锁存使能信号CLE发送给非易失性存储器件30。存储器控制器20可以经由单独指派的控制引脚将命令锁存使能信号CLE发送给非易失性存储器件30。命令锁存使能信号CLE可以是指示经由输入/输出线传送的信息是命令的信号。存储器控制器20可以将地址锁存使能信号ALE发送给非易失性存储器件30。存储器控制器20可以经由单独指派的控制引脚将地址锁存使能信号ALE发送给非易失性存储器件30。地址锁存使能信号ALE可以是指示经由输入/输出线传送的信息是地址的信号。存储器控制器20可以将芯片使能信号nCE发送给非易失性存储器件30。存储器控制器20可以经由单独指派的控制引脚将芯片使能信号nCE发送给非易失性存储器件30。当非易失性存储器件30包括多个存储器芯片时，芯片使能信号nCE可以识别从多个存储器芯片中选择的存储器芯片。存储器控制器20可以将读取使能信号nRE发送给非易失性存储器件30。存储器控制器20可以经由单独指派的控制引脚将读取使能信号nRE发送给非易失性存储器件30。非易失性存储器件30可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列；电压产生器，被配置为产生要施加到所述存储单元阵列的字线电压；以及控制电路，被配置为响应于命令和地址而产生控制所述电压产生器的控制信号，其中，所述控制电路包括：黑客攻击检测电路，被配置为在检测到黑客攻击时禁用所述非易失性存储器件的操作，其中当所述命令和所述地址的访问序列与所述非易失性存储器件的标准序列不匹配一定的连续次数时，检测到所述黑客攻击。

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列；电压产生器，被配置为产生要施加到所述存储单元阵列的字线电压；以及控制电路，被配置为响应于命令和地址而产生控制所述电压产生器的控制信号，其中，所述控制电路包括：黑客攻击检测电路，被配置为在检测到黑客攻击时禁用所述非易失性存储器件的操作，其中当所述命令和所述地址的访问序列与所述非易失性存储器件的标准序列不匹配一定的连续次数时，检测到所述黑客攻击。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述黑客攻击检测电路包括：访问序列分析器，被配置为分析所述访问序列并当所述访问序列与所述标准序列不匹配时输出启用的判定信号；计数器，被配置为对被启用的判定信号进行计数并输出计数信号；以及黑客攻击检测信号产生器，被配置为接收所述计数信号，并当所述计数信号超过参考值时输出被启用的黑客攻击检测信号。3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述访问序列分析器被配置为输出所述判定信号而不考虑所述访问序列的输入顺序。4.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述访问序列分析器被配置为根据所述访问序列的输入顺序输出所述判定信号。5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述控制电路还包括：命令解码器，被配置为对所述命令进行解码并输出解码的命令；控制信号产生器，被配置为响应于所述解码的命令而产生控制信号；第一开关，连接在所述命令解码器和与所述控制信号产生器连接的第一路径之间；以及第二开关，连接到所述命令解码器、第二路径和所述第一开关，其中，所述第二路径与所述第一路径分开地连接到所述控制信号产生器。6.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，除了在检测到所述黑客攻击时，所述第一开关将所述第二开关的第一端子连接到所述控制信号产生器，以及其中，除了在恢复代码被施加到所述第二开关时，所述第二开关将所述命令解码器连接到所述第一开关。7.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，当检测到所述黑客攻击时，所述黑客攻击检测电路被配置为向所述控制信号产生器输出黑客攻击检测信号，以及所述控制信号产生器被配置为响应于所述黑客攻击检测信号而向所述电压产生器提供黑客攻击控制信号，并且响应于所述黑客攻击控制信号，从所述电压产生器向所述第一开关施加高电压，且阻断所述第一路径。8.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，当检测到所述黑客攻击时，所述控制电路被配置为将与所述黑客攻击相关联的数据代码编程到所述存储单元阵列的设置数据区中，所述控制电路还包括：数据检测器，被配置为当向所述非易失性存储器件施加电力时从所述设置数据区读取所述数据代码，所述数据检测器被配置为响应于所读取的数据代码向所述控制信号产生器提供代码检测信号，所述控制信号产生器被配置为响应于所述代码检测信号向所述电压产生器提供黑客攻击控制信号，以及所述电压产生器被配置为响应于所述黑客攻击控制信号向所述第一开关提供高电压以阻断所述第一路径。9.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：金廷秀，郑凤吉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR