一种银纳米网增强的非晶硅太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种银纳米网增强的非晶硅太阳能电池，在非晶硅太阳能电池的背光面掺铝氧化锌层内嵌入一层银纳米网，所述银纳米网为网络状结构，表面存在一定的空隙，在光学方面具有强散射、电磁场增强、波导传输等特性，增强太阳能电池对入射光的吸收率。在电学方面，这种网络状的银纳米网结构具有良好的导电特性，提高太阳能电池背电极处对电子的收集与传输能力。本发明专利技术大大提高了非晶硅太阳能电池的综合性能，提升了非晶硅太阳能电池的产品竞争力。

【技术实现步骤摘要】
一种银纳米网增强的非晶硅太阳能电池及其制备方法
本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种银纳米网增强的非晶硅太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
太阳能电池是当前绿色能源的重要组成部分，其中，非晶硅电池由于其原材料来源广泛、生产成本低、便于大规模生产，而具有广阔的市场前景。近年来，以玻璃为基板的非晶硅薄膜太阳能电池凭借其成本低廉、工艺成熟、应用范围广等优势，逐渐从各种类型的薄膜太阳能电池中脱颖而出，在全球范围内掀起了一波研究热潮。然而，相对传统晶体硅太阳能电池，非晶硅电池效率相对较低，在空间较小的地域安装光伏电站的情况下，劣势尤为明显。因此，发展非晶硅太阳能电池增效技术是提升非晶硅太阳能电池竞争力的关键。在太阳能电池技术发展过程中，利用贵金属纳米材料的表面等离激元效应提升太阳能电池光电转换效率是有效途径之一。表面等离激元是贵金属纳米材料与光相互作用的一种电磁波传输模式，根据贵金属纳米颗粒材料的种类和在太阳能电池结构中位置可分为强散射作用和电磁场增强作用两种。强散射作用旨在把直射到太阳能电池上的太阳能光转化为大角度散射的入射光，形成多次反射，促成多次吸收，从而提高太阳能电池的光电转本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种银纳米网增强的非晶硅太阳能电池，其特征在于：在非晶硅太阳能电池的背光面掺铝氧化锌层内嵌入一层银纳米网，从背光面到迎光面依次为玻璃基底、银反射层、第一掺铝氧化锌层、银纳米网、第二掺铝氧化锌层、n型非晶硅层、本征非晶硅层、p型非晶硅层、氧化铟锡层；所述氧化铟锡层为太阳能电池迎光面的导电层。

【技术特征摘要】
1.一种银纳米网增强的非晶硅太阳能电池，其特征在于：在非晶硅太阳能电池的背光面掺铝氧化锌层内嵌入一层银纳米网，从背光面到迎光面依次为玻璃基底、银反射层、第一掺铝氧化锌层、银纳米网、第二掺铝氧化锌层、n型非晶硅层、本征非晶硅层、p型非晶硅层、氧化铟锡层；所述氧化铟锡层为太阳能电池迎光面的导电层。2.如权利要求1所述的非晶硅太阳能电池，其特征在于：所述银纳米网为网络状结构，表面存在一定的空隙，处在第一掺铝氧化锌层和第二掺铝氧化锌层的中间。3.如权利要求2所述的非晶硅太阳能电池，其特征在于：所述银纳米网的银材料在面积上的填充率为10％～60％，所述银纳米网最大厚度处为6nm～25nm，形成的孔洞结构尺寸为50nm～1um。4.如权利要求1所述的非晶硅太阳能电池，其特征在于：所述银反射层、第一掺铝氧化锌层、第二掺铝氧化锌层、n型非晶硅层、本征非晶硅层、p型非晶硅层和氧化铟锡层均为连续薄膜。5.如权利要求1所述的非晶硅太阳能电池，其特征在于：所述银反射层厚度为100nm～200nm；所述第一掺铝氧化锌层厚度为40nm～60nm；所述第二掺铝氧化锌层厚度为20nm～40nm；所述n型非晶硅层厚度为10nm～30nm；所述本征非晶硅层厚度为100nm～300nm；所述p型非晶硅层厚度为5nm～40nm；所述氧化铟锡层厚度约50nm～200nm。6.如权利要求1所述的非晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：①在玻璃基底上依次制备银反射层、第一掺铝氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱圣清，王欣，章文，李苗苗，孙雨，丁颖，
申请(专利权)人：江苏理工学院，
类型：发明
国别省市：江苏,32