一种射频开关芯片的版图结构制造技术

本发明专利技术涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种射频开关芯片的版图结构，应用于一射频开关芯片；该版图结构包括：第一版图区，对应第一MOS管组；第二版图区，对应第二MOS管组；第三版图区，对应第三MOS管组；第四版图区，对应第四MOS管组；第五版图区，对应控制模块；其中，第一版图区与第二版图区左右对齐且沿一对称轴对称；第三版图区与第四版图区左右对齐且沿对称轴对称；第一版图区与第三版图区前后对齐；第二版图区与第四版图区前后对齐；第五版图区与第三版图区与第四版图区对齐的边缘具有一预设距离；使得射频开关具有较低的电磁干扰的同时，将版图面积控制在最小，实现简单，成本低廉。

【技术实现步骤摘要】
一种射频开关芯片的版图结构
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种射频开关芯片的版图结构。
技术介绍
射频开关是用于控制射频信号传输路径和信号大小的控制器件之一，可称得上是现在使用最广泛的射频器件之一。射频开关在无线通信，电子对抗和雷达系统等许多领域中有广泛用途。随着现代无线通讯系统的发展，移动通信和雷达以及卫星通信等通信系统对收发切换开关的开关速度，功率容量和集成性等方面有了更高的要求。传统的射频开关不注重版图布局对射频开关性能的影响，从而产生诸多问题，例如产生较高的电磁干扰，或者产生较大的占用面积。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出了一种射频开关芯片的版图结构，应用于一射频开关芯片；其中，所述射频开关芯片包括用于传输射频信号的主电路，串联在所述主电路上的第一MOS管组和第二MOS管组，与所述第一MOS管组连接以用于在所述第一MOS管组关断时进行泄流的第三MOS管组，与所述第二MOS管组连接以用于在所述第二MOS管组关断时进行泄流的第四MOS管组，以及分别连接所述第一MOS管组、所述第二MOS管组、所述第三MOS管组和所述第四MOS管组的控制模块；所述版图结构包括：第一版图区，对应所述第一MOS管组；第二版图区，对应所述第二MOS管组；第三版图区，对应所述第三MOS管组；第四版图区，对应所述第四MOS管组；第五版图区，对应所述控制模块；其中，所述第一版图区与所述第二版图区左右对齐且沿一对称轴对称；所述第三版图区与所述第四版图区左右对齐且沿所述对称轴对称；所述第一版图区与所述第三版图区前后对齐；所述第二版图区与所述第四版图区前后对齐；所述第五版图区与所述第三版图区与所述第四版图区对齐的边缘具有一预设距离。上述的版图结构，其中，所述预设距离为33μm～37μm。上述的版图结构，其中，所述第五版图区沿所述对称轴左右对称。上述的版图结构，其中，在所述控制模块的控制下，所述第一MOS管组导通时所述第二MOS管组关断，所述第二MOS管组导通时，所述第一MOS管组关断。上述的版图结构，其中，所述第五版图区中的所述控制模块具有堆叠的金属互联层；堆叠的所述金属互联层中顶层的所述金属互联层为地线连线层。上述的版图结构，其中，所述第一版图区中，所述第一MOS管组中的每个MOS管的源端与漏端的金属连线相互错开。上述的版图结构，其中，所述第二版图区中，所述第二MOS管组中的每个MOS管的源端与漏端的金属连线相互错开。上述的版图结构，其中，所述第三版图区中，所述第三MOS管组中的每个MOS管的源端与漏端的金属连线相互错开。上述的版图结构，其中，所述第四版图区中，所述第四MOS管组中的每个MOS管的源端与漏端的金属连线相互错开。上述的版图结构，其中，所述第一MOS管组与所述第三MOS管组之间连接有隔离电容阵列；所述第二MOS管组与所述第四MOS管组之间连接有隔离电容阵列。有益效果：本专利技术提出的一种射频开关芯片的版图结构，使得射频开关具有较低的电磁干扰的同时，将版图面积控制在最小，实现简单，成本低廉。附图说明图1为本专利技术一实施例中射频开关芯片的版图结构的叠加示意图；图2～4为本专利技术一实施例中射频开关芯片的版图结构的三个金属层的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行进一步说明。在一个较佳的实施例中，如图1～4所示，提出了一种射频开关芯片的版图结构，可以应用于一射频开关芯片；其中，射频开关芯片包括用于传输射频信号的主电路，串联在主电路上的第一MOS管组M1和第二MOS管组M2，与第一MOS管组M1连接以用于在第一MOS管组M1关断时进行泄流的第三MOS管组M3，与第二MOS管组M2连接以用于在第二MOS管M2组关断时进行泄流的第四MOS管组M4，以及分别连接第一MOS管组M1、第二MOS管组M2、第三MOS管组M3和第四MOS管组M4的控制模块；版图结构包括：第一版图区10，对应第一MOS管组M1；第二版图区20，对应第二MOS管组M2；第三版图区30，对应第三MOS管组M3；第四版图区40，对应第四MOS管组M4；第五版图区50，对应控制模块；其中，第一版图区10与第二版图区20左右对齐且沿一对称轴对称；第三版图区30与第四版图区40左右对齐且沿对称轴对称；第一版图区10与第三版图区30前后对齐；第二版图区20与第四版图区40前后对齐；第五版图区50与第三版图区30与第四版图区40对齐的边缘具有一预设距离。上述技术方案中，第一版图区10定义划分了第一MOS管组M1的区域范围，从而将第一MOS管组M1限定在第一版图区10内，在此基础上控制第一版图区10与其他版图区之间的距离，第二版图区20、第三版图区30、第四版图区40和第五版图区50也与第一版图区10的情况类似；通过上述的对各版图区的安排，保证了射频开关芯片内各个电路/模块之间的电磁干扰最小，性能最佳，同时占用的集成电路面积最小；由于各MOS管组一般以阵列的形式排列，因此第一版图区10、第二版图区20、第三版图区30、第四版图区40和第五版图区50可以都是矩形；图1中第一版图区10、第二版图区20、第三版图区30、第四版图区40和第五版图区50的分布情况还可以分别描述为：左上，右上，左中，右中，下。在一个较佳的实施例中，预设距离为33μm～37μm。上述技术方案中，预设距离例如可以是33μm，或34μm，或35μm，或36μm，或37μm等，通过仿真可得预设距离为35μm时性能最佳。在一个较佳的实施例中，第五版图区沿对称轴左右对称。在一个较佳的实施例中，在控制模块的控制下，第一MOS管组M1导通时第二MOS管组M2关断，第二MOS管组M2导通时，第一MOS管组M1关断。在一个较佳的实施例中，第五版图区50中的控制模块具有堆叠的金属互联层；堆叠的金属互联层中顶层的金属互联层为地线连线层。上述技术方案中，地线连线层能够将堆叠的金属互联层中顶层处的电磁干扰降至几乎为0，从而形成良好的电性隔离。在一个较佳的实施例中，第一版图区10中，第一MOS管组M1中的每个MOS管的源端的金属连线与漏端的金属连线相互错开，以降低源端的金属连线与漏端的金属连线之间的寄生电容。在一个较佳的实施例中，第二版图区20中，第二MOS管组M2中的每个MOS管的源端与漏端的金属连线相互错开，以降低源端的金属连线与漏端的金属连线之间的寄生电容。在一个较佳的实施例中，第三版图区30中，第三MOS管组M3中的每个MOS管的源端与漏端的金属连线相互错开，以降低源端的金属连线与漏端的金属连线之间的寄生电容。在一个较佳的实施例中，第四版图区40中，第四MOS管组M4中的每个MOS管的源端与漏端的金属连线相互错开，以降低源端的金属连线与漏端的金属连线之间的寄生电容。在一个较佳的实施例中，第一MOS管组M1与第三MOS管组M3之间连接有隔离电容阵列200和/或其他电路；第二MOS管组与第四MOS管组之间连接有隔离电容阵列200和/或其他电路。具体地，图2～4分别为三个不同的金属层上的结构及各结构之间的连接关系，图2～4中三个金属层的上下关系可以为按顺序由上至下分布，图1可以视为是这三个金属层的叠加示意图。综上所述，本专利技术提出的一种射频开关芯片的版图结构，应用于一射频开关芯片；该版图结构包括：第一版本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频开关芯片的版图结构，应用于一射频开关芯片；其特征在于，所述射频开关芯片包括用于传输射频信号的主电路，串联在所述主电路上的第一MOS管组和第二MOS管组，与所述第一MOS管组连接以用于在所述第一MOS管组关断时进行泄流的第三MOS管组，与所述第二MOS管组连接以用于在所述第二MOS管组关断时进行泄流的第四MOS管组，以及分别连接所述第一MOS管组、所述第二MOS管组、所述第三MOS管组和所述第四MOS管组的控制模块；所述版图结构包括：第一版图区，对应所述第一MOS管组；第二版图区，对应所述第二MOS管组；第三版图区，对应所述第三MOS管组；第四版图区，对应所述第四MOS管组；第五版图区，对应所述控制模块；其中，所述第一版图区与所述第二版图区左右对齐且沿一对称轴对称；所述第三版图区与所述第四版图区左右对齐且沿所述对称轴对称；所述第一版图区与所述第三版图区前后对齐；所述第二版图区与所述第四版图区前后对齐；所述第五版图区与所述第三版图区与所述第四版图区对齐的边缘具有一预设距离。

【技术特征摘要】
1.一种射频开关芯片的版图结构，应用于一射频开关芯片；其特征在于，所述射频开关芯片包括用于传输射频信号的主电路，串联在所述主电路上的第一MOS管组和第二MOS管组，与所述第一MOS管组连接以用于在所述第一MOS管组关断时进行泄流的第三MOS管组，与所述第二MOS管组连接以用于在所述第二MOS管组关断时进行泄流的第四MOS管组，以及分别连接所述第一MOS管组、所述第二MOS管组、所述第三MOS管组和所述第四MOS管组的控制模块；所述版图结构包括：第一版图区，对应所述第一MOS管组；第二版图区，对应所述第二MOS管组；第三版图区，对应所述第三MOS管组；第四版图区，对应所述第四MOS管组；第五版图区，对应所述控制模块；其中，所述第一版图区与所述第二版图区左右对齐且沿一对称轴对称；所述第三版图区与所述第四版图区左右对齐且沿所述对称轴对称；所述第一版图区与所述第三版图区前后对齐；所述第二版图区与所述第四版图区前后对齐；所述第五版图区与所述第三版图区与所述第四版图区对齐的边缘具有一预设距离。2.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述预设距离为33μm～37μm。3.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述第五版图区...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄小平，胡江涛，
申请(专利权)人：上海矽杰微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31