检测电路及应用其的电子装置制造方法及图纸

本申请实施例的检测电路及应用其的电子装置，其中，检测电路包括第四支路、第五支路、第三储能单元，所述第四支路包括多个第四开关器件，所述第五支路包括多个第五开关器件；所述第四支路用于通过所述多个第四开关器件的开关配合将预先设定的电信号阈值采样到所述第三储能单元，所述第五支路用于通过所述多个第五开关器件的开关配合将第一储能单元的检测端之间的压差采样到所述第三储能单元，以比较所述检测端之间的压差与预设的电信号阈值，从而可以准确地确定所述检测端之间的压差与预先设定的电信号阈值的关系，进而可以通过控制预先设定的电信号阈值保证驱动信号的驱动电压不会使得功率DNMOS管击穿。

【技术实现步骤摘要】
检测电路及应用其的电子装置
本申请实施例涉及电路
，尤其涉及一种检测电路及应用其的电子装置。
技术介绍
为了在不牺牲驱动能力的前提下，同时降低功率芯片面积和成本，有一种方法就是在具有相同导通电阻的前提下选择尺寸上尽可能小的功率管，而为此就需要提供更高的电源电压才能使得尺寸较小的功率管开启。比如，如果传统的功率芯片包括功率PMOS管，在具有相同导通电阻的前提下，由于功率NMOS管的尺寸要小的多，尤其在越来越多的产品应用都需求D类功率放大器和马达驱动等功率芯片实现高电压、大驱动能力和更低的成本时，在高压DMOS工艺中，相同导通电阻的功率DNMOS管会比功率DPMOS管小三四倍，这样可以实现芯片面积的较大程度减小，同时还可以避免工艺掩膜版(mask)，从而降低了成本。但是，如前所述，这就需要提供更高的驱动电压才能开启功率DNMOS管，而在提供驱动电压时，需要保证驱动电压不会使得功率DNMOS管击穿。因此，亟待提供一种技术方案，以有效解决如何保证驱动电压不会使得功率DNMOS管击穿的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例所解决的技术问题之一在于提供一种检测电路及应用其的电子装置，以保证驱动电压不会击穿功率DNMOS管。本申请实施例提供了一种检测电路，其特征在于，包括：第四支路、第五支路、第三储能单元，所述第四支路包括多个第四开关器件，所述第五支路包括多个第五开关器件；所述第四支路用于通过所述多个第四开关器件的开关配合将预先设定的电信号阈值采样到所述第三储能单元，所述第五支路用于通过所述多个第五开关器件的开关配合将第一储能单元的检测端之间的压差采样到所述第三储能单元，以比较所述检测端之间的压差与预设的电信号阈值。本申请实施例还提供了一种电子装置，其包括如上所述的检测电路。本申请实施例的检测电路及应用其的电子装置，其中，检测电路包括第四支路、第五支路、第三储能单元，所述第四支路包括多个第四开关器件，所述第五支路包括多个第五开关器件；所述第四支路用于通过所述多个第四开关器件的开关配合将预先设定的电信号阈值采样到所述第三储能单元，所述第五支路用于通过所述多个第五开关器件的开关配合将第一储能单元的检测端之间的压差采样到所述第三储能单元，以比较所述检测端之间的压差与预设的电信号阈值，从而可以准确地确定所述检测端之间的压差与预先设定的电信号阈值的关系，进而可以通过控制预先设定的电信号阈值保证驱动信号的驱动电压不会使得功率DNMOS管击穿。附图说明后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本申请实施例的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：图1为本申请实施例提供的一种电荷泵电路的结构示意图；图2为图1的时序图；图3为本申请实施例提供的一种检测电路的结构示意图；图4为图3的时序图。具体实施方式实施本申请实施例的任一技术方案必不一定需要同时达到以上的所有优点。为了使本领域的人员更好地理解本申请实施例中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请实施例一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请实施例中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请实施例保护的范围。下面结合本申请实施例附图进一步说明本申请实施例具体实现。图1为本申请实施例提供的一种电荷泵电路的结构示意图，如图1所示，其包括：第一支路、第一储能单元以及检测单元。所述第一支路包括多个第一开关器件，所述第一支路用于通过所述多个第一开关器件的开关动作配合使所述第一储能单元处于被充电状态，所述检测单元用于对所述第一储能单元中检测端之间的压差进行检测以至少用于改变所述多个第一开关器件的开关动作配合，使得所述第一储能单元中检测端之间的压差满足预设的电信号阈值。本实施例中，第一开关器件可以为单独的MOS管，也可以为单独的场效应管，本实施例在此不进行限定。本实施例中，所述第一储能单元可以为一个第一电容C1，此时，所述第一电容C1的两端作为所述检测端，所述压差为所述第一电容C1的两端(即正相端VP和反相端VN)的电压差。当然，第一储能单元也可以为其他形式的元器件，例如第一储能元件可以为多个电容串联或并联形成的储能电路。本实施例中，通过设置第一支路、第一储能单元、检测单元，可以方便地控制第一储能单元中检测端之间的压差满足预设的电信号阈值，进而使得电荷泵电路可以提供较高的、稳定的驱动电压，以在降低功率芯片面积和成本的条件下，为尺寸较小的功率管提供较高的驱动电压。本实施例中，如图1所示，所述第一支路包括三个第一开关器件K5、K4、K2，所述第一开关器件K5一端连接电源电压，所述第一开关器件K5另外一端与所述第一开关器件K4的一端连接，所述第一开关器件K4的另外一端与所述第一储能单元的一端连接，所述第一储能单元的另外一端与所述第一开关器件K2的一端连接，所述第一开关器件K2的另一端接地。本实施例中，第一开关器件K5的开关动作由第二开关信号CLK2控制，第一开关器件K2、第一开关器件K4的开关动作由第一开关信号CLK1控制，第一开关信号CLK1、第二开关信号CLK2的时序图如图2所示，具体的控制方法详见下述实施例。具体地，第一开关信号CLK1可以控制第一开关器件K4、第一开关器件K2导通或者关断，第二开关信号CLK2可以控制第一开关器件K5导通或者关断，当三个第一开关器件均导通时，可以通过与第一开关器件K5连接的电源电压为第一储能单元充电，使所述第一储能单元处于被充电状态。具体地，当检测单元对所述第一储能单元中检测端之间的压差进行检测时，若所述第一储能单元中两个检测端之间的压差满足预设的电信号阈值时，第二开关信号CLK2控制第一开关器件K5关断，从而使电源电压停止为储能元件充电，进而使得所述第一储能单元中检测端之间的压差保持在预设的电信号阈值。本实施例中，检测单元可以为运放等，本实施例在此不进行限定，只要能够确定所述第一储能单元中两个检测端之间的压差满足预设的电信号阈值即可，检测单元的具体实现方式可以参考下述实施例。本实施例中，所述电信号阈值为电压差信号，所述电压差信号由稳压器生成。具体地，电压差信号可以为超低电压差信号，对应的，电压差信号可以由低压差稳压器生成。具体地，本实施例中，稳压器可以包括放大器OP1、分压电路、mos管MOS1、电容C0。放大器的正向输入端可以输入基准电压VREF，放大器的输出端与mos管MOS1的栅极连接，mos管MOS1的漏极接电源电压VDD，mos管MOS1的源极与分压电路的输入端连接，分压电路的输出端与放大器的反相输入端连接，以构成反馈回路。本实施例中，分压电路包括两个串联的分压电阻R1、R2，分压电阻R2的一端为分压电路的输入端，R2的另一端通过R1接地，分压电阻R1与分压电阻R2之间为分压电路的输出端，输出端通过电容C0接地。本实施例中，mos管MOS1的源极作为稳压器的输出端，输出电压差信号，电压差信号VLDO的值为：其中，VLDO代表电压差信号的电压值，VREF代表基准电压的电压值，R1、R2分别代表分压电阻R1、R2的电阻值。本实施例中，可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检测电路，其特征在于，包括：第四支路、第五支路、第三储能单元，所述第四支路包括多个第四开关器件，所述第五支路包括多个第五开关器件；所述第四支路用于通过所述多个第四开关器件的开关配合将预先设定的电信号阈值采样到所述第三储能单元，所述第五支路用于通过所述多个第五开关器件的开关配合将第一储能单元的检测端之间的压差采样到所述第三储能单元，以比较所述检测端之间的压差与预设的电信号阈值。

【技术特征摘要】
1.一种检测电路，其特征在于，包括：第四支路、第五支路、第三储能单元，所述第四支路包括多个第四开关器件，所述第五支路包括多个第五开关器件；所述第四支路用于通过所述多个第四开关器件的开关配合将预先设定的电信号阈值采样到所述第三储能单元，所述第五支路用于通过所述多个第五开关器件的开关配合将第一储能单元的检测端之间的压差采样到所述第三储能单元，以比较所述检测端之间的压差与预设的电信号阈值。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：控制单元，所述控制单元用于根据所述检测端之间的电信号与预设的电信号阈值的比较结果至少生成第一开关信号，所述第一开关信号用于控制多个第一开关器件的开关动作。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述控制单元包括反相器以及驱动模块，所述反相器用于对比较结果进行反相处理，所述驱动模块用于根据反相后的比较结果至少生成第二开关信号。4.根据权利要求3的电路，其特征在于，所述反相器通过一功率管(N3)接地。5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述驱动模块为栅极驱动模块，所述栅极驱动模块用于生成驱动MOS管开关器件的栅极驱动信号。6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：补偿单元，用于生成补偿电信号，所述补偿电信号用于防止所述第一储能单元被过度充电。7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志飞，张海军，姚炜，周佳宁，杜黎明，
申请(专利权)人：上海艾为电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31