一种磁电阻复合材料制造技术

本发明专利技术公开了一种磁电阻复合材料，它是由磁致伸缩材料，压阻抗材料复合而成。应用复合材料的乘积效应，可将磁致伸缩材料的磁致伸缩效应与压阻抗材料应力阻抗效应结合，产生一个附加的磁阻抗效应，从而实现磁电阻效应的材料。

【技术实现步骤摘要】
一种磁电阻复合材料
本专利技术属于信息功能材料
，特别涉及一种磁电阻复合材料。
技术介绍
磁电阻效应是指导体或半导体在磁场作用下其电阻值发生变化的现象。1988年，法国学者M.N.Baibich首次在Fe/Cr多层薄膜中发现了巨磁电阻效应。在过去的20多年中，随着金属多层膜和颗粒膜中巨磁电阻及稀土氧化物中庞磁电阻的发现，磁电子学得到了很大的发展。由磁电阻材料构成的磁电子学新器件已广泛应用在信息存储、磁传感器、自旋开关等方面，具有巨大的应用前景。现阶段对于磁电阻材料的研究和应用多集中在单相磁电阻材料上，关于单相磁电阻材料的研究已较为成熟。单相磁电阻材料主要采用的是多层膜的结构，这就对磁电阻材料的制备条件和工艺提出了较高的要求。但如果采用其他功能材料进行复合，获得复合磁电阻材料，将会极大简化磁电阻材料的制备工艺，降低材料的制作成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了进一步提高磁电阻效应，提供一种磁电阻复合材料。为此，本专利技术的技术方案是：一种磁电阻复合材料，该磁电阻复合材料由磁致伸缩材料和压阻抗材料进行层状复合而成。作为本专利技术之优选，所述磁致伸缩材料与压阻抗材料粘接复合。作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁电阻复合材料，其特征在于：该磁电阻复合材料由磁致伸缩材料和压阻抗材料进行层状复合而成。

【技术特征摘要】
1.一种磁电阻复合材料，其特征在于：该磁电阻复合材料由磁致伸缩材料和压阻抗材料进行层状复合而成。2.如权利要求1所述的一种磁电阻复合材料，其特征在于：所述磁致伸缩材料与压阻抗材料粘接复合。3.如权利要求2所述的一种磁电阻复合材料，其特征在于：所述磁致伸缩材料为稀土超磁致伸缩材料。4.如权利要求3所述的一种磁电阻复合材料，其特征在于：所述磁致伸缩材料为Terfenol-D。5.如权利要求2所述的一种磁电阻复合材料，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾艳敏，马江平，尤慧琳，徐晓莉，
申请(专利权)人：浙江师范大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32