磁阻效应元件制造技术

本发明专利技术所提供的磁阻效应元件中，具有第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层、以及夹持于上述第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层的隧道势垒层，上述隧道势垒层由化学式AB2Ox表示，是阳离子排列不规则的尖晶石结构，并且A为二价阳离子，为Mg或Zn的任一者，B为三价阳离子，包含选自Al、Ga及In中的多种元素。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁阻效应元件
本专利技术涉及磁阻效应元件。本申请主张基于2015年3月31日在日本申请的特愿2015-071410号的优先权，并在此引用其内容。
技术介绍
已知有由铁磁性层和非磁性层的多层膜构成的巨磁阻(GMR)元件和将绝缘层(隧道势垒层、势垒层)用于非磁性层的隧道磁阻(TMR)元件。通常虽然TMR元件与GMR元件相比元件电阻较高，但是TMR元件的磁阻(MR)比比GMR元件的MR比大。TMR元件可以分类为2类。第一类是仅利用了使用铁磁性层间的波函数的渗透效应的隧道效应的TMR元件。第二类是利用了在产生上述的隧道效应时利用产生隧道的非磁性绝缘层的特定的轨道的传导的相干隧道的TMR元件。已知利用了相干隧道的TMR元件相比仅利用了隧道的TMR元件，可以得到更大的MR比。为了引起该相干隧道效应，铁磁性层和非磁性绝缘层相互为结晶质，从而产生铁磁性层与非磁性绝缘层的界面成为结晶学连续的情况。在各种用途中使用磁阻效应元件。例如，作为磁传感器，已知有磁阻效应型磁传感器，在硬盘驱动器的播放功能中磁阻效应元件确定该特性。在磁传感器中，是检测磁阻效应元件的磁化方向根据来自外部的磁场发生变化的效应作为磁阻效本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻效应元件，其特征在于，具有：第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层、以及夹持于所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的隧道势垒层，所述隧道势垒层由化学式AB2Ox表示，是阳离子排列不规则的尖晶石结构，且，A为二价阳离子，为Mg或Zn的任一者，B为三价阳离子，包含选自Al、Ga及In中的多种元素，0＜x≤4。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.31 JP 2015-0714101.一种磁阻效应元件，其特征在于，具有：第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层、以及夹持于所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的隧道势垒层，所述隧道势垒层由化学式AB2Ox表示，是阳离子排列不规则的尖晶石结构，且，A为二价阳离子，为Mg或Zn的任一者，B为三价阳离子，包含选自Al、Ga及In中的多种元素，0＜x≤4。2.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述隧道势垒层具有：晶格匹配部，其与所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层两者晶格匹配；和晶格不匹配部，其与所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少一者晶格不匹配。3.根据权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述晶格匹配部的体积相对于所述隧道势垒层整体的体积的比为65～95％。4.根据权利要求1～3中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述三价阳离子的多种元素的离子半径...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木智生，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP