一种微米级LED显示光效提取的微结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种微米级LED显示光效提取的微结构及其制造方法。包括设置于衬底表面呈阵列排布的若干个LED芯片、设置于所述LED芯片表面且与所述LED芯片一一对应的倒梯形储液槽、设置于倒梯形储液槽内周侧的反射层、设置于倒梯形储液槽内的量子点发光层和设置于量子点发光层上的分布式布拉格反射层。本发明专利技术不仅可利用微结构中的倒梯形储液槽内周侧的反射层反射蓝色LED激发量子点发出的光，阻止光从侧壁边缘出射，提高在垂直方向光的出射。同时，利用量子点上表面的分布式布拉格反射层，可使蓝色LED激发量子点发光层发出的光从顶部透过，而未被吸收的蓝光反射回来再次激发量子点发光层，从而增强出射光的强度，有效地提高微米级LED显示的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种微米级LED显示光效提取的微结构及其制造方法
本专利技术涉及新型半导体显示领域，尤其涉及一种微米级LED显示光效提取的微结构及其制造方法。
技术介绍
微米级LED是将传统LED微缩化后形成微米级间距LED阵列以达到超高密度像素分辨率。微米级LED具备自发光的特性，相比OLED和LCD显示，微米级LED色彩更容易准确的调试，有更长的发光寿命和更高的亮度，同时更具轻薄及省电优势。由于其高密度小尺寸超多像素的特点，微米级LED将成为以高真实度，互动和个性化显示为主要特点的第三代显示技术的引领者。目前，微米级LED显示一般通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在GaN基底上进行外延生长，再通过芯片焊接、晶片焊接或薄膜转移等方式键接在驱动电路基板上形成显示像素。在色彩化技术方面，可以通过色彩转换法、RGB三色法、光学棱镜合成法以及通过控制LED结构和尺寸发射不同波长光等方法实现。其中，利用量子点实现色彩转换被认为是微米级LED色彩化最具潜力的方法之一。然而，利用量子点实现色彩转换的其中一个技术难题是LED芯片激发量子点发光的色彩转换和光效提取效率低，为了提高效率，传统方法将量子点发光层的厚本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微米级LED显示光效提取的微结构，其特征在于，包括设置于衬底表面呈阵列排布的若干个LED芯片、设置于所述LED芯片表面且与所述LED芯片一一对应的的倒梯形储液槽、设置于倒梯形储液槽内周侧的反射层、设置于倒梯形储液槽内的量子点发光层和设置于量子点发光层上的分布式布拉格反射层。

【技术特征摘要】
1.一种微米级LED显示光效提取的微结构，其特征在于，包括设置于衬底表面呈阵列排布的若干个LED芯片、设置于所述LED芯片表面且与所述LED芯片一一对应的的倒梯形储液槽、设置于倒梯形储液槽内周侧的反射层、设置于倒梯形储液槽内的量子点发光层和设置于量子点发光层上的分布式布拉格反射层。2.根据权利要求1所述的一种微米级LED显示光效提取的微结构，其特征在于，所述LED芯片为蓝色微米级LED芯片，LED芯片长度为1微米至300微米，LED芯片宽度为1微米至300微米，相邻LED芯片横向间距大于LED芯片长度，纵向间距大于LED芯片宽度，且横向间距/纵向间距小于500微米。3.根据权利要求1所述的一种微米级LED显示光效提取的微结构，其特征在于，所述倒梯形储液槽的底面长度小于或等于LED芯片长度，所述倒梯形储液槽的底面宽度小于或等于LED芯片宽度；所述倒梯形储液槽的顶部开口长度大于或等于LED芯片长度，小于或等于相邻LED芯片间距，所述倒梯形储液槽的顶部开口宽度大于或等于LED芯片的宽度，小于或等于相邻LED芯片间距，所述倒梯形储液槽的深度为10纳米至10微米。4.根据权利要求1所述的一种微米级LED显示光效提取的微结构，其特征在于，所述反射层为高反射率金属材料，其厚度为20纳米至1微米。5.根据权利要求1所述的一种微米级LED显示光效提取的微结构，其特征在于，所述量子点发光层为红色量子点发光层或绿色量子点发光层，且量子点发光层厚度小于或等于倒梯形储液槽的深度。6.根据权利要求1所述的一种微米级LED显示光效提取的微结构，其特征在于，所述分布式布拉格反射层由具有高折射率和低折射率的两层薄膜堆叠而成，各层薄膜厚度由确定，而总厚度由薄膜的堆叠对数m决定，其中，n为薄膜折射率，d为薄膜厚度，为光入...

【专利技术属性】
技术研发人员：张永爱，林朝福，周雄图，郭太良，叶芸，林志贤，张桑玲，翁雅恋，林坚普，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建,35