一种半导体微波发生器连接结构制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体微波发生器连接结构，其结构包括谐振腔、谐振腔天线、波导管、天线、半导体微波发生器、电源接口，本发明专利技术与传统的谐振腔相比在于谐振腔中心有一轴架，耦合线圈的厚度大，谐振腔内径较小，采用该凹腔设计耦合线圈及同轴导线提供了稳定性高的等离子体，微波的信噪比超过2000，表明几乎没有来自微波源的波动噪声，大大改善了等离子体对操作条件变化的耐受性，提高该谐振频率，其内部的石英放电管与冷却水进出口相连接，放电管在使用了30d后才出现很轻微的腐蚀，硫通道的峰拖尾程度也减少，因此，放电管不需要经常更换，通常连续运行时每月只需更换一次，既实现不影响设备运行的同时又有效的提高使用寿命。

A connection structure of a semiconductor microwave generator

The invention discloses a connection structure of a semiconductor microwave generator, which consists of a resonant cavity, a resonant cavity antenna, a waveguide tube, an antenna, a semiconductor microwave generator and a power interface. Using the cavity to design coupled coils and coaxial wires, a high stability plasma is provided. The signal to noise ratio of microwave is more than 2000. It shows that there is almost no wave noise from the microwave source, which greatly improves the tolerance of the plasma to the change of operating conditions and improves the resonant frequency. The internal quartz discharge tube and the cooling water flow in and out. The discharge tube is slightly corroded after the use of the 30d, and the peak trailing degree of the sulfur channel is also reduced. Therefore, the discharge tube does not need to be replaced regularly. It usually only needs to be replaced once a month in continuous operation, not only does not affect the operation of the equipment, but also effectively lifespan.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体微波发生器连接结构
本专利技术是一种半导体微波发生器连接结构，属于家用电器微波炉领域。
技术介绍
微波炉是一种用微波加热食品的现代化烹调灶具，微波是一种电磁波。微波炉由电源，磁控管，控制电路和烹调腔等部分组成，电源向磁控管提供大约4000伏高压，磁控管在电源激励下，连续产生微波，再经过波导系统，耦合到烹调腔内，在烹调腔的进口处附近，有一个可旋转的搅拌器，因为搅拌器是风扇状的金属，旋转起来以后对微波具有各个方向的反射，所以能够把微波能量均匀地分布在烹调腔内，从而加热食物，微波炉的功率范围一般为500～1000瓦，微波炉是利用食物在微波场中吸收微波能量而使自身加热的烹饪器具，在微波炉微波发生器产生的微波在微波炉腔建立起微波电场，并采取一定的措施使这一微波电场在炉腔中尽量均匀分布，将食物放入该微波电场中，由控制中心控制其烹饪时间和微波电场强度，来进行各种各样的烹饪过程，随着技术的发展，出现了采用半导体代替磁控管产生微波的半导体微波炉，其采用半导体微波发生器取代磁控管并产生满足烹调要求幅度的微波信号，半导体微波发生器可以是一种晶体管,大功率则是电子管，微波能量是由微波发生器产生的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体微波发生器连接结构，其结构包括谐振腔(1)、谐振腔天线(2)、波导管(3)、天线(4)、半导体微波发生器(5)、电源接口(6)，所述波导管(3)的一端通过谐振腔天线(2)连接有谐振腔(1)，所述谐振腔(1)通过设有的合页安装在微波炉内并采用螺丝固定连接，所述波导管(3)的另一端安装有半导体微波发生器(5)，所述谐振腔天线(2)通过波导管(3)与天线(4)采用信号连接，所述电源接口(6)焊接在半导体微波发生器(5)的下端外表面，其特征在于：所述半导体微波发生器(5)由能量输出器(501)、散热片(502)、底盘(503)、螺纹孔(504)、发生器壳体(505)、耦合环(506)、磁...

【技术特征摘要】
1.一种半导体微波发生器连接结构，其结构包括谐振腔(1)、谐振腔天线(2)、波导管(3)、天线(4)、半导体微波发生器(5)、电源接口(6)，所述波导管(3)的一端通过谐振腔天线(2)连接有谐振腔(1)，所述谐振腔(1)通过设有的合页安装在微波炉内并采用螺丝固定连接，所述波导管(3)的另一端安装有半导体微波发生器(5)，所述谐振腔天线(2)通过波导管(3)与天线(4)采用信号连接，所述电源接口(6)焊接在半导体微波发生器(5)的下端外表面，其特征在于：所述半导体微波发生器(5)由能量输出器(501)、散热片(502)、底盘(503)、螺纹孔(504)、发生器壳体(505)、耦合环(506)、磁钢(507)、阳极(508)、翼片(509)、灯丝(5010)、引出线缆(5011)、散热器(5012)、阳极腔(5013)、环形磁钢(5014)、扇形铜质圆筒(5015)组成，所述能量输出器(501)的正面焊接有电源接口(6)，所述能量输出器(501)的底端与发生器壳体(505)、底盘(503)为一体化结构，所述底盘(503)的两端各均匀设有两个以上的螺纹孔(504)，所述发生器壳体(505)的内部设有两个以上的散热片(502)与散热器(5012)相配合，所述耦合环(506)与天线(4)的内部相嵌接并与能量输出器(501)导通，所述能量输出器(501)的内部设有磁钢(507)、阳极(508)、翼片(509)、灯丝(5010)，所述磁钢(507)安装在耦合环(506)与能量输出器(501)上端口的连接处其与阳极(508)相配合，所述散热片(502)与散热器(5012)的连接处安装的翼片(509)与灯丝(5010)采用电连接，所述引出线缆(5011)嵌套固定在能量输出器(501)的右端，所述耦合环(506)安装在环形磁钢(5014)的正上端并与灯丝(5010)电连接，所述灯丝(5010)的外表面设有阳极腔(5013)通过扇形铜质圆筒(5015)与阳极(508)电性连接；所述谐振腔(1)包括吹扫气流出口(101)、补充气入口(102)、反应气入口(103)、不锈钢板(104)、固定器(105)、密封圈(106)、冷却水入口(107)、谐振腔主体(108)、冷却水出口(109)、轴架(110)、谐振腔外套板(111)、排放池(112)、扫气入口(113)、扫气出口(114)、中心导体(115)、同轴绝缘体(116)、耦合线圈(117)、安装盘(118)、O型圈(119)、密封垫(120)、加热块(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：林声坤，陈炳哲，刘小静，
申请(专利权)人：林声坤，
类型：发明
国别省市：广西,45