显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种显示装置，其包含基底、驱动结构层、显示结构层和触控层。所述基底包含弯曲区域和邻近于弯曲区域的主要区域。驱动结构层安置于基底上。驱动结构层包含绝缘结构，并且绝缘结构包含多个凹部。显示结构层安置于驱动结构层上。触控层安置于驱动结构层上。触控层的一部分安置于基底的弯曲区域上。多个凹部的至少一部分安置于基底的弯曲区域上。

【技术实现步骤摘要】
显示装置相关申请的交叉引用本申请要求2017年1月3日提交的第62/441,579号美国临时申请以及2017年4月6日提交的第15/480,383号美国专利申请的优先权权益。上文所提及专利申请的全部内容特此通过引用的方式并入本文中且成为本说明书的一部分。
本专利技术涉及一种显示装置。
技术介绍
如今，例如手机、个人计算机、数码相机或其它消费型电子设备之类的电子装置已获得了广泛的使用。在电子装置的常规显示装置的制造过程中，是在主基底上形成显示结构层之后，切割主基底以形成多个显示装置。然而，显示装置的基底的边缘处会形成微小裂纹(micro-cracks)。一旦微小裂纹扩散到显示结构层所处的区域，显示结构层将遭到破坏。此外，如果显示装置具有柔性，则微小裂纹的扩散情况将更严重，显示装置的耐久性明显降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示装置，其具有多个凹部。依据一些实施例，可阻止显示装置的微小裂纹的扩散。根据本专利技术的实施例的显示装置包含基底、驱动结构层、显示结构层和触控层。所述基底包含弯曲区域和邻近于弯曲区域的主要区域。驱动结构层安置于基底上。驱动结构层包括绝缘结构，并且绝缘结构包括多个凹部。显示结构层安置于驱动结构层上。触控层安置于驱动结构层上。触控层的一部分安置于基底的弯曲区域上。多个凹部的至少一部分安置于基底的弯曲区域上。根据本专利技术的实施例的显示装置包含基底、驱动结构层、显示结构层和触控层。所述基底包含弯曲区域和邻近于弯曲区域的主要区域。驱动结构层安置于基底上。驱动结构层包括裂纹阻止件。显示结构层安置于驱动结构层上。触控层安置于驱动结构层上。触控层的一部分安置于基底的弯曲区域上。裂纹阻止件的至少一部分安置于基底的弯曲区域上。基于以上内容，在本专利技术中，驱动结构层包含多个凹部。依据一些实施例，可以减轻微小裂纹的扩散，或者可以改进显示装置的耐久性。为了使本专利技术的以上特征及优势更好理解，如下参照附图详细地描述几个实施例。附图说明包含附图是为了便于进一步理解本专利技术，并且附图并入在本说明书中且构成本说明书的一部分。附图示出了本专利技术的实施例，且与描述一起用于解释本专利技术的原理。图1是根据本专利技术的实施例的显示装置的示意性剖面图；图2至图4是根据本专利技术的三个实施例的显示装置的示意性俯视图；图5是根据本专利技术的另一实施例的显示装置的示意性俯视图；图6是根据本专利技术的实施例的显示装置的示意性局部放大剖面图；图7是根据本专利技术的实施例的显示装置的示意性局部放大剖面图；图8是根据本专利技术的实施例的显示装置的示意性局部放大剖面图；图9是根据本专利技术的实施例的显示装置的示意性局部放大剖面图；图10是根据本专利技术的实施例的显示装置的多个凹部的示意性局部放大剖面图；图11是根据本专利技术的另一实施例的显示装置的多个凹部的示意性局部放大剖面图；图12是根据本专利技术的实施例的显示装置的多个凹部的示意性局部放大剖面图；图13A到图13E是根据本专利技术的五个实施例的显示装置的角落的示意性局部放大俯视图；图14是图13A沿着I-I线的示意性剖面图；图15A到图15H是根据本专利技术的八个实施例的显示装置的直边的示意性局部放大俯视图。附图标号说明100、300、400、500、600：显示装置；110、210A-210D：基底；112：弯曲区域；114：主要区域；116、142：边缘；118：表面；120：驱动结构层；122、122A1-122A3、122B、122C、122D、222A-222D、722、722A-722F、822A-822H：凹部；122AS、122B1、122CS、122DS：侧壁；122AB、122CB、122DB：底部；124：薄膜晶体管；126A：缓冲层；126B：栅极绝缘层；126C：保护层；126D：平坦化层；130、230、630：显示结构层；132：像素电极层；134：发光层；136：共同电极层；138：像素界定层；140、240、440：触控层；150：罩盖层；160：有机层；180：绝缘结构；442：上部触控电极层；444：下部触控电极层；540：触控电极层；632：微型LED；632A：第一电极；632B：第一类型掺杂半导体层；632C：量子阱层；632D：第二类型掺杂半导体层；632E：第二电极；722A1、722B1：弧形边缘；1241：主动层；1242：栅极层；1243：源极/漏极层；I12：第一氧化硅层；I14：第一氮化硅层；I16：第二氧化硅层；I18：第二氮化硅层；T12、T14、T16、T18、T20：厚度；W12、W14：宽度；D12、D14、D21、D22：深度；D1、D2：方向；D10：距离。具体实施方式现在将详细参考本专利技术的目前优选的实施例，附图中示出了这些优选实施例的实例。只要可能，在附图和描述中用相同的附图标号指代相同或相似的部分。有关本专利技术的前述及其他
技术实现思路
、特点与功效，在以下配合参考附图的实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本专利技术。举例而言，在以下描述中，当叙述第一对象在第二对象之上时，可包含第一对象及第二对象直接接触的实施例，且也可包含第一对象及第二对象未直接接触的实施例。此外，在第一对象及第二对象未直接接触的实施例中，第一对象及第二对象之间还有可能有其他对象或只是单纯的空间。图1是根据本专利技术的实施例的显示装置的示意性剖面图。参看图1，显示装置100包含基底110、驱动结构层120、显示结构层130和触控层140。基底110可以是柔性基底或刚性基底。柔性基底可以由塑料制成，并且刚性基底可以由玻璃制成，但不设限于此。基底110具有弯曲区域112和邻近于弯曲区域112的主要区域114。弯曲区域112可以被认为是基底110的弯曲部分，而主要区域114可以被认为是基底110的未弯曲部分。在一些实施例中，主要区域114可以是平坦的。然而，在其它实施例中，主要区域114可以是不平坦的并且包含不平坦的或弯曲的表面。弯曲区域112的弯曲程度可以大于主要区域114。换句话说，弯曲区域112的最大曲率大于主要区域114的最大曲率。弯曲工艺可以在显示装置呈现给消费者(或使用者)之前进行。图1示出了显示装置的基底110已经弯曲的状态。替代地，根据一些实施例，当柔性基底被用作基底时，弯曲工艺可以由消费者进行。也就是说，原先，显示装置的基底可以是平坦的，然后消费者可以根据要求让基底弯曲使其具有弯曲区域，因而获得如图1中所示的显示装置。在本专利技术中，弯曲区域可以表示已弯曲的部分，或者将由消费者弯曲的部分。驱动结构层120安置于基底110上。驱动结构层120包括绝缘结构。绝缘结构包含多个凹部122。多个凹部122可以作为裂纹阻止件。凹部可以采用开口或狭缝的形式。显示结构层130安置于驱动结构层120上。触控层140安置于驱动结构层120上。触控层140的一部分安置于基底110的弯曲区域112上。多个凹部122的至少一部分安置于基底110的弯曲区域112上。由于驱动结构层120包含安置于基底110的弯曲区域112上的多个凹部122，所以即使基底110的边缘和/或驱动结构层120的边缘可能存在微小裂纹，藉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：基底，其包括弯曲区域和邻近于所述弯曲区域的主要区域；驱动结构层，其安置于所述基底上，其中所述驱动结构层包括绝缘结构，并且所述绝缘结构包括多个凹部；显示结构层，其安置于所述驱动结构层上；以及触控层，其安置于所述驱动结构层上，其中所述触控层的一部分安置于所述基底的所述弯曲区域上，其中所述多个凹部的至少一部分安置于所述基底的所述弯曲区域上。

【技术特征摘要】
2017.01.03 US 62/441,579;2017.04.06 US 15/480,3831.一种显示装置，其特征在于，包括：基底，其包括弯曲区域和邻近于所述弯曲区域的主要区域；驱动结构层，其安置于所述基底上，其中所述驱动结构层包括绝缘结构，并且所述绝缘结构包括多个凹部；显示结构层，其安置于所述驱动结构层上；以及触控层，其安置于所述驱动结构层上，其中所述触控层的一部分安置于所述基底的所述弯曲区域上，其中所述多个凹部的至少一部分安置于所述基底的所述弯曲区域上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述多个凹部围绕所述触控层安置。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述多个凹部围绕所述显示结构层安置。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述基底进一步包括第一边缘，所述触控层包括邻近于所述第一边缘的第二边缘，所述多个凹部的一部分安置于所述第一边缘与所述第二边缘之间。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述多个凹部的所述部分与所述第一边缘之间的最小距离是第一距离，并且所述第一距离在0.1微米与1000微米之间。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述多个凹部包括第一凹部和第二凹部，所述第一凹部沿着第一方向延伸，所述第二凹部沿着第二方向延伸，并且所述第一方向不同于所述第二方向。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述第一凹部具有第一深度，所述第二凹部具有第二深度，并且所述第一深度不同于所述第二深度。8.根据权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴湲琳，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71