The invention is based on the preparation method of the vacuum ultraviolet detector of the GaN photocathode. The vacuum ultraviolet detector based on the GaN photocathode, including the substrate, the buffer layer, the emitter layer and the activation layer, including the changes in the different Al components, and the different P doped structures, including the uniform doping, gradient doping, exponential doping and Delta doping; A vacuum ultraviolet detector based on GaN photocathode includes two modes: Vacuum phototube and image intensifier.
【技术实现步骤摘要】
基于GaN光电阴极的真空紫外探测器的制备方法
：本专利技术涉及紫外探测器的制备领域，具体涉及GaN光电阴极的真空紫外探测器的制备领域。
技术介绍
：紫外探测在导弹预警、环境监测、火灾预警、指纹识别等众多领域有着重要的应用，是继红外和激光探测技术之后又一军民两用的重要光电探测技术。相比于固体器件，基于外光电效应的真空探测器具有响应速度快、噪声小、增益高、可探测的光下限更低等优点，在微弱紫外探测上显示出了明显的优势和潜力。紫外光电阴极作为真空紫外探测器的核心部件，是决定其性能最重要的因素。目前传统的紫外光电阴极有CsI、CsTe、ZnO等，然而基于此类阴极材料的真空紫外探测器灵敏度不高，不具有天然“日盲”的特性，在诸如高温、强辐射等严苛环境中不稳定，因此真空紫外探测器性能难以进一步提高。
技术实现思路
：基于GaN光电阴极的真空紫外探测器具有响应速度快、噪声小、增益高、可探测的光下限更低等优点，在微弱紫外探测上显示出了明显的优势和潜力本专利技术的目的在于提供一种高性能、具有天然“日盲”特性、稳定性好的基于GaN光电阴极材料的真空紫外探测器的制备方法。技术方案：一种GaN基光电阴极材料，包括衬底、缓冲层、发射层、激活层，包括不同Al组分的变化，以及不同p型掺杂结构，包括均匀掺杂、梯度掺杂、指数掺杂、Delta掺杂等。进一步地，本专利技术提供的GaN基光电阴极材料可采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)、原子层沉积(ALD)、分子束外延(MBE)等薄膜沉积方法获得。进一步地，调节Al组分可进行GaN基光电阴极的禁带宽度，从而达到“日盲”或者其他需要的波段相应特性...
【技术保护点】
1.本专利技术基于GaN光电阴极的真空紫外探测器及GaN基光电阴极材料，其特征在于利用GaN基光电阴极为核心，制备出的真空紫外探测具有量子效率高、耐高温、抗辐射、稳定性好等优点，相比传统的真空紫外探测器性能大大提高。
【技术特征摘要】
1.本发明基于GaN光电阴极的真空紫外探测器及GaN基光电阴极材料，其特征在于利用GaN基光电阴极为核心，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓辉，
申请(专利权)人：成都莹鑫海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。