电致发光显示装置制造方法及图纸

技术编号:18401072 阅读:23 留言:0更新日期:2018-07-08 20:37
一种电致发光显示装置包括多个子像素,所述多个子像素中的每一个包括:节点A,其电连接至存储电容器的电极和P型驱动晶体管的栅极;N型开关晶体管,其被配置为对节点A与电连接至数据线的节点B之间的电连接进行开关;节点C,其被配置为供应ELVDD电压并且电连接至存储电容器的另一电极和P型驱动晶体管的第一电极;节点D,其被配置为向电致发光二极管供应电流并且电连接至P型驱动晶体管的第二电极;以及第一晶体管,其被配置为对节点A与节点D之间的电连接进行开关,其中,所述多个子像素中的每一个被配置为基于节点A处的电压来对P型驱动晶体管的第一阈值电压偏差和N型开关晶体管的第二阈值电压偏差进行补偿。

Electroluminescent display device

An electroluminescent display device includes a plurality of sub pixels, each of which includes a node A, which is electrically connected to an electrode of a storage capacitor and a gate of a P type drive transistor; a N switch transistor is configured to switch an electrical connection between the node A and the node B electrically connected to the data line; Point C, which is configured to supply the ELVDD voltage and electrically connect to another electrode of the storage capacitor and the first electrode of the P type drive transistor; node D, which is configured to supply an electric current to an electroluminescent diode and electrically connect to the second electrode of the P type drive transistor; and the first transistor configured to be a node A and a node. The electrical connection between point D is switched on, in which each of the plurality of subpixels is configured to be based on the voltage of the node A to compensate the first threshold voltage deviation of the P type drive transistor and the second threshold voltage deviation of the N type switch transistor.

【技术实现步骤摘要】
电致发光显示装置
本公开涉及电致发光显示装置,更具体地讲,涉及一种能够补偿阈值电压的电致发光显示装置。
技术介绍
电致发光显示装置是自发光显示装置,与液晶显示装置不同,电致发光显示装置不需要单独的光源,并且可按照薄且重量轻的形式制造。另外,电致发光显示装置具有诸如快响应时间、宽视角和无限对比度以及根据低压驱动方案的低功耗的优点。电致发光显示装置的有效区域AA包括多个子像素。子像素包括电致发光二极管ELD。外围区域PA围绕像素区域AA形成。电致发光二极管包括阳极、发射层和阴极。通过驱动晶体管将高电位电压ELVDD供应给阳极(即,像素电极)。将低电位电压ELVSS供应给阴极(即,公共电极)。在电致发光二极管的阳极和阴极之间,可进一步包括各种有机层和/或无机层。例如,可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。当在阳极电极和阴极电极之间生成电位差时,穿过空穴传输层的空穴和穿过电子传输层的电子在发光层处生成激子。结果,发射层发射可见光波长(例如,从380nm至680nm)。电致发光二极管的发射层可包括有机材料和/或无机材料。当发射层由有机材料制成时,它可被称作有机发光二极管(OLED)。当发射层由无机材料制成时,它可被称作无机发光二极管(ILED)。例如,无机材料可以是量子点和/或纳米晶材料。发射层的结构可以是无机发射材料和有机发射材料的混合或者无机发射材料和有机发射材料的层叠结构。子像素通过调节供应给电致发光二极管的电流的量来调节其亮度。根据数据电压的电平,子像素调节供应给电致发光二极管的电流的量。子像素利用至少两个开关晶体管、至少一个驱动晶体管和至少一个存储电容器来控制电致发光二极管。扫描驱动器和/或数据驱动器在像素区域AA的外围区域中电连接以驱动多个子像素。扫描驱动器依次使多个子像素的晶体管TFT导通或截止。因此,扫描驱动器驱动子像素。扫描驱动器包括移位寄存器,该移位寄存器包括彼此相关地连接的多个级。扫描驱动器接收起始脉冲或者作为起始脉冲从前一级接收的进位信号,从而当时钟被输入时生成输出,可通过根据移位时钟定时使所述输出移位来将扫描信号依次供应给扫描线。数据驱动器将数据电压供应给子像素。所供应的数据电压被充入子像素的存储电容器中。根据所充入的数据电压来调节电致发光二极管的亮度,从而显示图像。电致发光显示装置的亮度根据数字视频信号的灰度(gradation)来显示。在最小亮度(例如,最小0尼特(nit))和最大亮度(例如,最大1000尼特)之间调节根据电致发光显示装置的灰度的亮度。电致发光显示装置的灰度根据视频信号的格式而变化。例如,8比特格式的视频信号可显示256个灰度级,10比特格式的视频信号可显示1024个灰度级。
技术实现思路
本公开的专利技术人研究并开发了具有高质量显示图像的电致发光显示装置。具体地讲,本公开的专利技术人尝试通过布置各种类型的晶体管来实现具有优异性能的子像素。例如,利用具有最小泄漏电流特性的N型晶体管以及具有优异电流驱动特性的P型晶体管来实现具有优异性能的电致发光显示装置。然而,包括N型晶体管和P型晶体管二者的子像素结构更难以制造,并且确保驱动晶体管的均匀性相对困难。具体地讲,在电致发光显示装置的批量生产中当子像素包括N型晶体管和P型晶体管二者时,难以改进晶体管的寿命以及晶体管的阈值电压偏差△Vth的均匀性。因此,本公开的专利技术人认识到批量生产的困难。具体地讲,由于N型晶体管和P型晶体管中的每一个具有不同的制造工艺并且具有不同的半导体特性,所以在均匀地确保各个晶体管的特性时存在技术困难。因此,本公开的目的在于提供一种能够补偿包括N型晶体管和P型晶体管二者的子像素的各种偏差的电致发光显示装置。应该注意的是,本公开的目的不限于上述目的,对于本领域技术人员而言本公开的其它目的将从以下描述显而易见。为了解决上述目的,提供了一种电致发光显示装置,该电致发光显示装置包括多个子像素,所述多个子像素中的每一个包括:节点A,其电连接至存储电容器的电极和P型驱动晶体管的栅极;N型开关晶体管,其被配置为对节点A与电连接至数据线的节点B之间的电连接进行开关;节点C,其被配置为供应ELVDD电压并且电连接至存储电容器的另一电极和P型驱动晶体管的第一电极;节点D,其被配置为向电致发光二极管供应电流并且电连接至P型驱动晶体管的第二电极;以及第一晶体管,其被配置为对节点A与节点D之间的电连接进行开关,其中,所述多个子像素中的每一个被配置为基于节点A处的电压来补偿P型驱动晶体管的第一阈值电压偏差和N型开关晶体管的第二阈值电压偏差。其它实施方式的细节被包括在具体实施方式和附图中。根据本公开的实施方式,可补偿驱动晶体管的阈值电压偏差(ΔVth)并且补偿开关晶体管的阈值电压偏差(ΔVth)。根据本公开的实施方式,存储补偿信息,因此可通过所存储的信息来补偿阈值电压,因此,可在显示图像的同时执行高速驱动。应该注意的是,本公开的效果不限于上述那些效果,本公开的其它效果被包括在以下描述中。附图说明本公开的上述和其它方面、特征和其它优点将从以下结合附图进行的详细描述更清楚地理解,附图中:图1是示意性地示出根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的概念图;图2是示意性地示出根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的子像素的电路图;图3是示意性地示出根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的操作的波形;图4是示出根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的操作的第一步骤的电路图;图5是示出根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的操作的第二步骤的电路图;图6是示出根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的操作的第三步骤的电路图;图7是示出根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的操作的第四步骤的电路图;以及图8是示意性地示出根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的操作的波形。具体实施方式本公开的优点和特征以及实现它们的方法将从下面参照附图描述的示例性实施方式更清楚地理解。然而,本公开不限于以下示例性实施方式,而是可按照各种不同的形式来实现。提供示例性实施方式仅是为了使本公开的公开完整并且向本公开所属领域的普通技术人员充分地提供本专利技术的范畴,本专利技术将由所附权利要求书限定。附图中为了描述本公开的示例性实施方式而示出的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅是示例,本公开不限于此。贯穿说明书,相似的标号通常表示相似的元件。另外,在以下描述中,已知的相关技术的详细描述可被省略,以免不必要地模糊本公开的主题。要注意的是,本文中所使用的诸如“包含”、“具有”、“包括”和“由…组成”的术语通常旨在允许添加其它组件,除非所述术语随术语“仅”一起使用。除非明确地另外指出,否则任何单数引用可包括复数。即使没有明确地声明,组件被解释为包括普通误差范围或者普通容差范围。当利用诸如“在…上”、“在…上面”、“在…下面”和“在…旁边”的术语来描述两个部件之间的位置关系时,这两个部件之间可设置一个或更多个部件,除非所述术语随术语“立即”或“直接”一起使用。当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”时,它可直接在所述另一元件或层上,或者可存在中间元件或层。尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种组件,这些组件不受这些术语限制。这些术语仅本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种电致发光显示装置,该电致发光显示装置包括:多个子像素,所述多个子像素中的每一个包括:节点A,该节点A电连接至存储电容器的一电极和P型驱动晶体管的栅极;N型开关晶体管,该N型开关晶体管被配置为对所述节点A与电连接至数据线的节点B之间的电连接进行开关;节点C,该节点C被配置为供应ELVDD电压并且电连接至所述存储电容器的另一电极和所述P型驱动晶体管的第一电极;节点D,该节点D被配置为向电致发光二极管供应电流并且电连接至所述P型驱动晶体管的第二电极;以及第一晶体管,该第一晶体管被配置为对所述节点A与所述节点D之间的电连接进行开关,其中,所述多个子像素中的每一个被配置为基于所述节点A处的电压来对所述P型驱动晶体管的第一阈值电压偏差和所述N型开关晶体管的第二阈值电压偏差进行补偿。

【技术特征摘要】
2016.12.27 KR 10-2016-01803381.一种电致发光显示装置,该电致发光显示装置包括:多个子像素,所述多个子像素中的每一个包括:节点A,该节点A电连接至存储电容器的一电极和P型驱动晶体管的栅极;N型开关晶体管,该N型开关晶体管被配置为对所述节点A与电连接至数据线的节点B之间的电连接进行开关;节点C,该节点C被配置为供应ELVDD电压并且电连接至所述存储电容器的另一电极和所述P型驱动晶体管的第一电极;节点D,该节点D被配置为向电致发光二极管供应电流并且电连接至所述P型驱动晶体管的第二电极;以及第一晶体管,该第一晶体管被配置为对所述节点A与所述节点D之间的电连接进行开关,其中,所述多个子像素中的每一个被配置为基于所述节点A处的电压来对所述P型驱动晶体管的第一阈值电压偏差和所述N型开关晶体管的第二阈值电压偏差进行补偿。2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,该电致发光显示装置还包括驱动单元,该驱动单元电连接至所述数据线并且被配置为存储所述P型驱动晶体管的第一阈值电压和所述N型开关晶体管的第二阈值电压。3.根据权利要求2所述的电致发光显示装置,其中,所述驱动单元被配置为将图像信号选择性地供应给所述数据线或者感测所述数据线的电压。4.根据权利要求3所述的电致发光显示装置,其中,所述驱动单元被配置为通过依次感测所述数据线的电压来依次感测所述第一阈值电压和所述第二阈值电压。5.根据权利要求3所述的电致发光显示装置,其中,所述驱动单元被配置为调节与所述多个子像素中的每一个的所述第一阈值电压偏差对应的所述图像信号的电压。6.根据权利要求2所述的电致发光显示装置,其中,所述驱动单元被配置为通过感测充入所述节点A中的电压来感测所述第二阈值电压。7.根据权利要求3所述的电致发光显示装置,其中,所述驱动单元被配置为感测所述数据线处的电压以确定所述第一阈值电压,然后再次感测所述数据线的电压以确定所述第二阈值电压。8.根据权利要求7所述的电致发光显示装置,其中,所述驱动单元被配置为在确定所述第一阈值电压之后将所述数据线初始化以用于感测所述第二阈值电压。9.根据权利要求2所述的电致发光显示装置,其中,当所述多个子像素显示图像时,所述电致发光显示装置被配置为通过基于存储在所述驱动单元中的所述第一阈值电压和所述第二阈值电压的信息对所述第一阈值电压偏差和所述第二阈值电压偏差进行补偿来仅利用编程步骤和发射步骤显示所述图像。10.根据权利要求2所述的电致发光显示装置,其中,当所述多个子像素显示图像时,所述驱动单元被配置为按照特定周期更新所述第一阈值电压和所述第二阈值电压的信息。11.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,该电致发光显示装置还包括:第一扫描线,该第一扫描线电连接至所述N型开关晶体管的栅极;第二扫描线,该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:林炳骏张荣舜
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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