用于显示装置的基板以及包括该基板的显示装置制造方法及图纸

公开了一种用于显示装置的基板以及包括该基板的显示装置。基板包括：第一薄膜晶体管，其包括氧化物半导体层；第二薄膜晶体管，其与第一薄膜晶体管间隔开并且包括多晶半导体层；以及包括至少两个存储电极的存储电容器。所述至少两个存储电极中的一个存储电极与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅电极位于同一平面中且由相同的材料形成，并且所述至少两个存储电极中的另一个存储电极与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源电极和漏电极位于同一平面中且由相同的材料形成。因此，实现了基板的较低功耗和较大面积。

Substrate for display device and display device including the substrate

A substrate for display devices and a display device including the substrate are disclosed. The substrate includes the first thin film transistor, which includes an oxide semiconductor layer, second thin film transistors, which are spaced apart from the first film transistors and include a polycrystalline semiconductor layer, and a storage capacitor including at least two storage electrodes. One of the at least two storage electrodes in the same plane is formed in the same plane as the first film transistor and the gate electrode of the second thin film transistor, and the other storage electrode in the at least two storage electrodes and the first film transistor and the second thin film transistor are the source electrodes and the leakage power. It is located in the same plane and is formed by the same material. Therefore, the lower power consumption and larger area of the substrate are realized.

【技术实现步骤摘要】
用于显示装置的基板以及包括该基板的显示装置相关申请的交叉引用本申请要求于2016年12月20日提交的韩国专利申请第10-2016-0174261号的优先权，其通过引用并入本文，如同在本文中完全阐述一样。
本公开内容涉及一种用于显示装置的基板以及包括该基板的显示装置，并且更具体地，涉及一种能够实现较低功耗和较大面积的用于显示装置的基板以及包括该基板的显示装置。
技术介绍
在屏幕上显示各种信息的图像显示装置是信息和通信时代的核心技术，并且目前正在被开发，目的是更薄更轻的设计、更好的便携性和更高的性能。因此，可以减小阴极射线管(CRT)的不利的重的重量和体积的平板显示装置备受关注。平板显示装置的示例包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、有机发光显示(OLED)装置和电泳显示(ED)装置。平板显示装置包括布置在像素中的薄膜晶体管。为了将显示装置应用于便携式设备，需要低功耗。然而，利用与迄今为止已经开发的显示装置有关的技术来实现低功耗是困难的。
技术实现思路
因此，本公开内容涉及一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题的用于显示装置的基板及包括该基板的显示装置。本公开内容的目的是提供一种能够实现较低功耗和较大面积的用于显示装置的基板以及包括该基板的显示装置。本公开内容的另外的优点、目的和特征的一部分将在以下描述中进行阐述，并且一部分对于本领域普通技术人员而言在检查以下内容后将变得显见，或者可以从本公开内容的实践中获知。可以通过在所书写的说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得本公开内容的目的和其它优点。为了实现这些目的和其它优点并且根据本公开内容的目的，如在本文中体现和广泛描述的，用于显示装置的基板包括：第一薄膜晶体管，其包括氧化物半导体层；第二薄膜晶体管，其与第一薄膜晶体管间隔开并且包括多晶半导体层；以及存储电容器，其包括至少两个存储电极。所述至少两个存储电极中的一个存储电极与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅电极位于同一平面中且由相同的材料形成，并且所述至少两个存储电极中的另一个存储电极与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源电极和漏电极位于同一平面中且由相同的材料形成。实施方式涉及一种显示装置。显示装置包括基板和在基板上的像素。像素包括：在基板上的第一薄膜晶体管(TFT)；在基板上的存储电容器；以及电连接至存储电容器的发光器件。第一TFT包括第一栅电极、在第一栅电极上的层间绝缘膜的至少第一部分、在层间绝缘膜的第一部分上的第一栅极绝缘膜、以及在第一栅极绝缘膜上的由氧化物半导体形成的第一有源层。存储电容器包括第一存储电极、在第一存储电极上的层间绝缘膜的至少第二部分、以及在层间绝缘膜的第二部分上的第二存储电极。第二存储电极与第一栅极绝缘膜物理地分离。在一个实施方式中，第一栅极绝缘膜和第二存储电极接触层间绝缘膜。在一个实施方式中，第一存储电极与第一栅电极在同一层中。在一个实施方式中，层间绝缘膜由硅氮化物(SiNx)形成且第一栅极绝缘膜由硅氧化物(SiOx)形成。在一个实施方式中，第一TFT还包括电连接至第一有源层的第一源电极和第一漏电极。第二存储电极可以与第一源电极和第一漏电极在同一层中。在一个实施方式中，第一TFT还包括电连接至第一有源层的第一源电极和第一漏电极。第一源电极或第一漏电极可以接触第一栅极绝缘膜的侧表面。在一个实施方式中，第一源电极或第一漏电极接触第一有源层的侧表面。在一个实施方式中，显示装置还包括在基板上的第二TFT。第二TFT包括由多晶硅形成的第二有源层、在第二有源层上的第二栅极绝缘膜的至少第一部分、以及在第二栅极绝缘膜的第一部分上的第二栅电极。第二栅电极可以与第一栅电极在同一层中。在一个实施方式中，第一有源层布置在第二有源层上方。在一个实施方式中，显示装置还包括布置在基板的非显示区域中的第三TFT。第三TFT包括由多晶Si形成的第三有源层。在一个实施方式中，显示装置还包括：栅极驱动单元，其布置在非显示区域中以驱动基板的显示区域中的栅极线；数据驱动单元，其布置在非显示区域中以驱动显示区域中的数据线；以及多路复用器，其用于将来自数据驱动单元的数据电压分配给数据线。第三TFT包括在多路复用器和栅极驱动单元中的至少一个中。在一个实施方式中，第一TFT是像素的开关TFT，并且第二TFT是像素的驱动TFT。在一个实施方式中，存储电容器还包括在基板上的第三存储电极以及在第三存储电极上的第二绝缘膜的至少第二部分。在一个实施方式中，第三存储电极与第二有源层在同一层中。在一个实施方式中，发光器件包括阳极电极、发光堆叠(stack)和阴极电极。阳极电极与第一TFT、第二TFT及存储电容器交叠。在一个实施方式中，发光器件包括阳极电极、发光堆叠和阴极电极。第二TFT包括电连接至第二有源层的漏电极。显示装置还包括电连接至漏电极和阳极电极的连接电极。在一个实施方式中，发光器件包括阳极电极、发光堆叠和阴极电极。阳极电极包括透明导电膜和不透明导电膜。在一个实施方式中，发光器件包括阳极电极、发光堆叠和阴极电极。显示装置还包括在阳极电极的至少一部分上的堤层(banklayer)。堤层可以包括选自彩色颜料、有机黑色材料和碳材料中的至少一个的遮光材料。在一个实施方式中，显示装置还包括在发光器件上的滤色器。实施方式还涉及一种形成显示装置的方法。使用第一掩模对第一导电层进行图案化，以在基板上形成第一薄膜晶体管(TFT)的第一栅电极和存储电容器的第一存储电极。在第一栅电极和第一存储电极上形成层间绝缘膜。使用第二掩模对绝缘膜进行图案化，以在层间绝缘膜的至少第一部分上形成第一栅极绝缘膜。使用第二掩模对氧化物半导体层进行图案化，以在第一栅极绝缘膜上形成第一TFT的第一有源层。在层间绝缘膜的至少第二部分上形成存储电容器的第二存储电极。第二存储电极不接触第一栅极绝缘膜。在一个实施方式中，第一栅极绝缘膜和第二存储电极接触第一层间绝缘膜。在一个实施方式中，使用第三掩模对第二导电层进行图案化，以在第一有源层上形成第一TFT的第一源电极和第一漏电极。形成第二存储电极包括使用第三掩模对第二导电层进行图案化以形成第二存储电极。在一个实施方式中，层间绝缘膜由硅氮化物(SiNx)形成且第一栅极绝缘膜由硅氧化物(SiOx)形成。在一个实施方式中，在基板上形成第二TFT的第二有源层。在第二有源层上形成第二栅极绝缘膜。在第二栅极绝缘膜的至少一部分上形成第二栅电极。第二有源层、第二栅极绝缘膜和第二栅电极可以布置在层间绝缘膜下方。要理解的是，本专利技术的前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的专利技术的进一步说明。附图说明附图被包括以提供对本专利技术的进一步理解，并且附图被并入本申请并构成本申请的一部分，附图示出了本专利技术的实施方式，并且与说明书一起用于说明本专利技术的原理。在附图中：图1是示出根据本公开内容的实施方式的用于显示装置的基板的截面图。图2是示出根据本公开内容的另一实施方式的用于显示装置的另一示例性基板的截面图。图3是示出根据本公开内容的实施方式的包括用于显示装置的基板的显示装置的框图。图4是示出根据本公开内容的实施方式的包括图1所示的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管以及存储电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：基板；在所述基板上的像素，所述像素包括：在所述基板上的第一薄膜晶体管TFT，所述第一TFT包括：第一栅电极；在所述第一栅电极上的层间绝缘膜的至少第一部分；在所述层间绝缘膜的所述第一部分上的第一栅极绝缘膜；以及在所述第一栅极绝缘膜上的由氧化物半导体形成的第一有源层，在所述基板上的存储电容器，所述存储电容器包括：第一存储电极；在所述第一存储电极上的所述栅极绝缘膜的至少第二部分；以及在所述层间绝缘膜的所述第二部分上的第二存储电极，其中，所述第二存储电极与所述第一栅极绝缘膜物理地分离；以及电连接至所述存储电容器的发光器件。

【技术特征摘要】
2016.12.20 KR 10-2016-01742611.一种显示装置，包括：基板；在所述基板上的像素，所述像素包括：在所述基板上的第一薄膜晶体管TFT，所述第一TFT包括：第一栅电极；在所述第一栅电极上的层间绝缘膜的至少第一部分；在所述层间绝缘膜的所述第一部分上的第一栅极绝缘膜；以及在所述第一栅极绝缘膜上的由氧化物半导体形成的第一有源层，在所述基板上的存储电容器，所述存储电容器包括：第一存储电极；在所述第一存储电极上的所述栅极绝缘膜的至少第二部分；以及在所述层间绝缘膜的所述第二部分上的第二存储电极，其中，所述第二存储电极与所述第一栅极绝缘膜物理地分离；以及电连接至所述存储电容器的发光器件。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一栅极绝缘膜和所述第二存储电极接触所述层间绝缘膜。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一存储电极与所述第一栅电极在同一层中。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述层间绝缘膜由硅氮化物SiNx形成，以及所述第一栅极绝缘膜由硅氧化物SiOx形成。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一TFT还包括电连接至所述第一有源层的第一源电极和第一漏电极，以及其中，所述第二存储电极与所述第一源电极和所述第一漏电极在同一层中。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一TFT还包括电连接至所述第一有源层的第一源电极和第一漏电极，以及其中，所述第一源电极或所述第一漏电极接触所述第一栅极绝缘膜的侧表面。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一源电极或所述第一漏电极接触所述第一有源层的侧表面。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素还包括在所述基板上的第二TFT，所述第二TFT包括：由多晶硅形成的第二有源层；在所述第二有源层上的第二栅极绝缘膜的至少第一部分；以及在所述第二栅极绝缘膜的所述第一部分上的第二栅电极，其中，所述第二栅电极与所述第一栅电极在同一层中。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一有源层布置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锺源，方政镐，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR