一种能实现防霉抗菌的织物制造技术

一种能实现防霉抗菌的织物，其包括基布和防霉抗菌层，所述防霉抗菌层为采用真空沉积技术形成，靶材包括Ti、Fe、Al、Zn、Cu、W、Mg、Au、Ag、Cr、Ni、V、Co、C、N、O、Si、Pt中的一种或几种元素。该产品采用真空沉积技术，能使织物表面形成防霉抗菌层，该防霉抗菌的抑制细菌滋生特性能够提高织物的防霉抗菌性。

【技术实现步骤摘要】
一种能实现防霉抗菌的织物
本专利技术涉及纺织材料
，具体来说，是一种能实现防霉抗菌的织物。
技术介绍
纺织产品在使用时与外界直接接触，易沾染有害细菌，在持续使用或存放过程中，容易造成细菌的大规模繁殖，织物进而发生霉变，甚至被侵蚀破洞，影响使用寿命。尤其是在服装行业，天然纤维多具有多孔的形状、富含纤维素，且在使用过程中会黏附汗液皮脂，引发细菌、真菌滋生并导致织物变色发霉，甚至影响使用者的健康。因此，织物的防霉抗菌性质已成为必要需求。目前织物的防霉抗菌工艺可以通过织物渗透剂实现，重量分数的组分可以为：异辛醇醚磷酸酯12-18份、月桂醇醚磷酸酯10-28份、马来酸酐12-36份、苯基三乙氧基硅烷15-36份、醋酸锌5-16份、聚丙烯酸10-19份、甲醇聚氧乙烯醚12-24份和水120-160份。配置组分还有大量有机溶剂，其中马来酸酐有刺激性、致敏性、导致健康危害，且废水排放易造成环境污染。另一种工艺运用了金属表面防霉防潮特性，采用金属线和金属绳编织而成，作为防霉保护层，并用EVA胶层与布料相连接。然而金属织物造价高，编织过程容易刮破损坏金属绳，移动存取加工过程要求高，需严格避免磕碰撞击，否则会成为次品。纳米材料因比表面积大，具有广谱抗菌性，尤其对革兰氏阴性菌和革兰氏阳性菌有一定程度的抗菌作用。银本身具有高效防霉抗菌特性，这是因为在细胞表面有银离子通道，银离子可使蛋白质凝固，使细胞丧失分裂能力而死亡。同时纳米氧化态、氧化锌可通过金属离子溶出方式破环细菌细胞壁影响细菌的生长增殖；或者因其具有光催化特性，在光照下激发产生电子及空穴，与空气、水分反应生成活性物质，通过与细菌细胞组成物质反应的方式以达到杀死细菌的目的。然而目前多采用通过复合材料化学结合织物的方式，将防霉纳米材料与织物基体相连。然而复合材料制备过程中，需要大量二甲基二烯丙基氯化铵和较少量硅烷偶联剂KH-570，烯丙基缩水甘油醚，因此有机溶剂的废水排放会造成水体富营养化，污染水体。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供一种能实现防霉抗菌的织物，该产品采用真空沉积技术，能使织物表面形成防霉抗菌层，该防霉抗菌层的抑制细菌滋生特性能够提高织物的防霉抗菌性。本专利技术的技术解决方案是：一种能实现防霉抗菌的织物，其包括基布和防霉抗菌层，所述防霉抗菌层采用真空沉积技术形成，靶材包括Ti、Fe、Al、Zn、Cu、W、Mg、Au、Ag、Cr、Ni、V、Co、C、N、O、Si、Pt中的一种或几种元素。优选的，所述防霉抗菌层的厚度为1-200nm。优选的，所述真空沉积技术包括真空热蒸发沉积、电子束沉积、离子镀膜、磁控溅射。优选的，所述防霉抗菌层为多层膜层。一种上述能实现防霉抗菌的织物的制备方法，其包括：对基布进行前处理，去除表面污渍；基布上卷进放卷室，放卷室真空度保持在0.5-1E-9Pa区间；基布进加热室，使基布温度上升到2-180℃，加热室真空度保持在0.5-1E-9Pa区间；基布进预真空室，室内真空度保持在0.5-1E-9Pa区间；当镀膜室真空度到达1E-3Pa以上时，基布进镀膜室，采用真空沉积法使基布上形成防霉抗菌层，靶材包括Ti、Fe、Al、Zn、Cu、W、Mg、Au、Ag、Cr、Ni、V、Co、C、N、O、Si、Pt中的一种或几种元素，功率区间为50-30000W；基布进收卷室，收卷室真空度保持在0.5-1E-9Pa区间；取出成品布，取样检测；整个过程为流水线式操作，布匹运行速度为0.3m/min至100m/min。本专利技术的有益效果是：本专利技术促进防霉抗菌效果的织物防霉抗菌、抗过敏、具有人体保健功能，并且颜色艳丽，织物的使用寿命得以延长。本专利技术所述织物的防霉抗菌层与基布结合程度较高。本专利技术所述织物的柔软度较高，透气性较好，穿着体验较好。本专利技术所述方法降低织物的基布组织规格要求。本专利技术所述方法采用真空沉积法，无任何固态、液态、气态的污染物排出，极大的降低了织物防霉抗菌处理工艺中对水的需求量，符合绿色环保生产的要求。附图说明图1是本专利技术所述方法的工艺流程图。图2是本专利技术织物结构示意图。附图标记：1-防霉抗菌层，2-基布。具体实施方式下面将结合附图对实施方式进行详细说明。实施例1如图1所示，一种能实现防霉抗菌的织物的制备方法，其包括：基布为真丝，对基布进行前处理，去除表面污渍；基布上卷进放卷室，放卷室真空度保持在1-1.5E-1Pa区间；基布进加热室，使基布温度上升到80℃，加热室真空度保持在1-1.5E-1Pa区间；基布进预真空室，室内真空度保持在5E-2Pa区间；当镀膜室真空度到达1E-3Pa以上时，基布进镀膜室，采用真空沉积法使基布上形成防霉抗菌层，靶材分别为TiO2、Ag、Mg，磁控溅射功率分别为1000W、500W、3200W；基布进收卷室，收卷室真空度保持在1-1.5E-1Pa区间；取出成品布，取样检测；整个过程为流水线式操作，布匹运行速度为55m/min。按照本专利技术所述方法处理后，利用TiO2光催化特性及氧化扩散后得到的银离子有效杀死细菌并抑制细菌霉菌滋生，织物防霉抗菌性能显著提高。实施例2如图1所示，一种能实现防霉抗菌的织物的制备方法，其包括：基布为棉，对基布进行前处理，去除表面污渍；基布上卷进放卷室，放卷室真空度保持在0.5E-1Pa区间；基布进加热室，使基布温度上升到90℃，加热室真空度保持在0.5E-1Pa区间；基布进预真空室，室内真空度保持在3E-2Pa区间；当镀膜室真空度到达1E-3Pa以上时，基布进镀膜室，采用真空沉积法使基布上形成防霉抗菌层，靶材分别为ZnO、AlTi，磁控溅射功率分别为5000W、1800W；基布进收卷室，收卷室真空度保持在0.5E-1Pa区间；取出成品布，取样检测；整个过程为流水线式操作，布匹运行速度为48m/min。按照本专利技术所述方法处理后，利用ZnO光催化特性及氧化扩散后得到的银离子有效杀死细菌并抑制细菌霉菌滋生，织物防霉抗菌性能显著提高。实施例3如图1所示，一种能实现防霉抗菌的织物的制备方法，其包括：基布为棉，对基布进行前处理，去除表面污渍；基布上卷进放卷室，放卷室真空度保持在2E-1Pa区间；基布进加热室，使基布温度上升到70℃，加热室真空度保持在2E-1Pa区间；基布进预真空室，室内真空度保持在8E-2Pa区间；当镀膜室真空度到达1E-3Pa以上时，基布进镀膜室，采用真空沉积法使基布上形成防霉抗菌层，靶材为Ag，磁控溅射功率为500W；基布进收卷室，收卷室真空度保持在2E-1Pa区间；取出成品布，取样检测；整个过程为流水线式操作，布匹运行速度为33m/min。按照本专利技术所述方法处理后，利用银膜层氧化扩散后得到的银离子有效杀死细菌并抑制细菌霉菌滋生，织物防霉抗菌性能显著提高.上述实施例1-3所述的基布包括真丝、棉，但不限于真丝、棉。由于真丝、棉的防霉抗菌性能较差，本专利技术使用真丝、棉，以证明本专利技术所述织物的防霉抗菌性能较高。本领域技术人员应理解为，基布还包括其他天然纤维和人工纤维。上述实施例1-3所述的真空沉积法包括磁控溅射，但不限于磁控溅射。本领域技术人员应理解为，真空沉积法还包括真空热蒸发沉积、电子束沉积、离子镀膜。上述实施例1-3所述的靶材包括TiO2、Ag、Mg、ZnO、AlTi；采用上述实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种能实现防霉抗菌的织物，其包括基布和防霉抗菌层，其特征在于，所述防霉抗菌层采用真空沉积技术形成，靶材包括Ti、Fe、Al、Zn、Cu、W、Mg、Au、Ag、Cr、Ni、V、Co、C、N、O、Si、Pt中的一种或几种元素。

【技术特征摘要】
1.一种能实现防霉抗菌的织物，其包括基布和防霉抗菌层，其特征在于，所述防霉抗菌层采用真空沉积技术形成，靶材包括Ti、Fe、Al、Zn、Cu、W、Mg、Au、Ag、Cr、Ni、V、Co、C、N、O、Si、Pt中的一种或几种元素。2.如权利要求1所述一种能实现防霉抗菌的织物，其特征在于，所述防霉抗菌层的厚度为1-200nm。3.如权利要求1所述一种能实现防霉抗菌的织物，其特征在于，所述真空沉积技术包括真空热蒸发沉积、电子束沉积、离子镀膜、磁控溅射。4.如权利要求1所述一种能实现防霉抗菌的织物，其特征在于，所述防霉抗菌层由多层膜层组成。5.如权利要求1所述一种能实现防霉抗菌的织物的制备方法，其特征在于，其包括：对基布进行前...

【专利技术属性】
技术研发人员：王银川，余荣沾，刘琼溪，张欣，尹华平，梁媛，
申请(专利权)人：北京纳米生色科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11