在基材层上形成溅镀层的方法、触控基板的制备方法技术

本发明专利技术提供一种在基材层上形成溅镀层的方法、溅镀层、触控基板的制备方法，属于溅射镀膜技术领域，其可解决现有的溅镀腔室不同位置的溅镀环境不一致，导致形成的溅镀层不同位置的溅镀材料不均匀的问题。本发明专利技术的溅镀层的制备方法中，在基材层的同一面上多次溅射镀膜，其中，在多次溅射镀膜的间隔中改变基材层与溅镀腔室的相对位置，以避免溅镀腔室不同位置的溅镀环境不同造成的溅镀膜的不同位置的溅镀材料不均匀，本发明专利技术的方法制备的溅镀层各个位置处的溅镀材料较均一，适用于溅镀形成各种功能膜层，尤其适用于制备黑化层。

Method for forming splashing coating on substrate layer and preparation method of touch substrate

The invention provides a method for forming a splash coating on a substrate layer, a sputtering coating, and a preparation method of a touch control substrate, which belongs to the sputtering coating technology field. It can solve the problem of uneven splash plating in different positions of the existing splash plating chamber, resulting in the uneven splash plating material in different positions of the deposited coating. In the preparation method of the spattering coating, the sputtering coating is deposited on the same side of the substrate layer, in which the relative position of the substrate layer and the splash chamber is changed during the interval of the multiple sputtering coating to avoid the uneven splash plating of the sputtering coating in different positions of the splash plating chamber. The splash plating material at each position of the spattering coating prepared by the invention is relatively uniform, and is suitable for splashing to form various functional films, especially for the preparation of the blackening layer.

【技术实现步骤摘要】
在基材层上形成溅镀层的方法、触控基板的制备方法
本专利技术属于溅射镀膜
，具体涉及一种在基材层上形成溅镀层的方法、溅镀层、触控基板的制备方法。
技术介绍
在显示装置制备工艺中，经常采用溅射镀膜的方式形成一定的功能层。触控屏作为一种智能化的人机交互产品，已经在社会生产和生活中的很多领域得到了越来越广泛的应用。MetalMesh是一种利用金属网格状的导电材料作为触控电极的技术，可用于取代传统的ITO薄膜的电容式触控电极，由于金属网具备低电阻、延展性好等优点，能够很好地应用在OGS或MLOC等大尺寸触控和柔性触控基板中，金属网状触控电极就往往通过溅射镀膜的方式制备。然而由于金属本身存在反光效果，使得金属网的可见效果严重，影响产品视觉效果。现有技术中金属网状触控基板通常如图1所示，第一电极21与第二电极22交叉形成金属网状触控电极2，第一电极21与第二电极22之间设有绝缘层4，在靠近基底1(可以为玻璃)一侧溅镀形成一层黑化层3，以降低金属的反射效果，实现消影。以溅镀形成黑化层为例，专利技术人发现现有技术中溅射镀膜至少存在如下问题：受工艺水平限制，溅镀腔室不同位置的溅镀环境不能达到完全一致，例如，溅镀腔室一般是密闭腔室，溅镀腔室具有阀门(或称开关门)，当打开当阀门将基底1送进腔室以便进行后续的镀膜时，会造成溅镀腔室中靠近阀门一侧与远离阀门一侧的气体氛围之间产生一定差异，这一差异致使在基底1上形成的黑化层3的反射率分布极不均匀，以九宫格形式分别对黑化层3上九个部位进行反射率测试，各位置反射率数据结果见图2，这种反射率分布极不均匀在面积较大的触控产品中负面影响更大，制约了金属网触控技术的推广。
技术实现思路
本专利技术针对现有的溅镀腔室不同位置的溅镀环境不一致，导致形成的溅镀层不同位置的溅镀材料不均匀的问题，提供一种在基材层上形成溅镀层的方法、溅镀层、触控基板的制备方法。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是：一种在基材层上形成溅镀层的方法，包括以下制备步骤：在溅镀腔室内，对基材层的第一面进行至少两次溅射镀膜后得到由至少两层溅镀膜构成的溅镀层；其中，至少部分相邻两次溅射镀膜的步骤之间包括改变基材层的第一面与溅镀腔室的相对位置的步骤。可选的是，所述溅镀层为黑化层。可选的是，所述靶材由包括钼或钼铌合金的材料构成。可选的是，所述溅镀腔室包括用于供基材层进入的阀门，所述改变基材层的第一面与溅镀腔室的相对位置的包括：改变基材层的第一面与阀门的相对位置。可选的是，所述改变基材层的第一面与阀门的相对位置包括：使改变基材层的第一面相对于其中垂线旋转。可选的是，所述对基材层的第一面进行至少两次溅射镀膜包括：对基材层进行两次溅射镀膜，分别为第一次溅射镀膜、第二次溅射镀膜，其中，第一次溅射镀膜得到第一溅镀膜，第二次溅射镀膜得到第二溅镀膜；所述改变基材层的第一面与溅镀腔室的相对位置包括：将溅镀有第一溅镀膜的基材层在平面内旋转，以使第一溅射镀膜靠近溅镀腔室阀门的一侧旋转至远离溅镀腔室阀门的一侧。可选的是，所述镀膜功率为10～16kw，所述第一溅镀膜的厚度范围为300埃-600埃，所述第二溅镀膜的厚度范围为300埃-600埃。可选的是，将基材层送进溅镀腔室前还包括将基材层加热至80-120℃的步骤。可选的是，所述溅镀腔室内通有溅镀反应气体，所述溅镀反应气体包括氧气，所述氧气流量为100～110sccm。可选的是，所述溅镀反应气体还包括氮气，所述氮气流量为8～12sccm。可选的是，所述溅镀腔室内通有溅镀环境气体，所述溅镀环境气体包括惰性气体，所述惰性气体流量为100～200sccm。可选的是，对基材层进行两次溅射镀膜，分别为第一次溅射镀膜、第二次溅射镀膜，其中，第一次溅射镀膜得到第一溅镀膜，第二次溅射镀膜得到第二溅镀膜；所述改变基材层的第一面与溅镀腔室的相对位置包括：将溅镀有第一溅镀膜的基材层在平面内旋转，以使第一溅射镀膜靠近溅镀腔室阀门的一侧旋转至远离溅镀腔室阀门的一侧。本专利技术还提供一种具有溅镀层的基材层，由上述的方法制成，其中所述溅镀层包括至少两层溅镀膜。本专利技术还提供一种触控基板的制备方法，包括以下制备步骤：采用上述的方法在基底上形成溅镀层作为黑化层；在黑化层上形成金属网触控电极。本专利技术的溅镀层的制备方法中，在基材层的同一面上多次溅射镀膜，其中，在多次溅射镀膜的间隔中改变基材层与溅镀腔室的相对位置，以避免溅镀腔室不同位置的溅镀环境不同造成的溅镀膜的不同位置的溅镀材料不均匀，本专利技术的方法制备的溅镀层各个位置处的溅镀材料较均一，适用于溅镀形成各种功能膜层，尤其适用于制备黑化层。附图说明图1为现有的金属网状触控基板的结构示意图；图2为现有的黑化层不同位置反射率测试结果图；图3为本专利技术的实施例1的在基材层上形成溅镀层的方法的制备流程示意图；图4为本专利技术的实施例2的在基材层上形成黑化层的方法中加热工艺和溅镀工艺的示意图；图5为本专利技术的实施例2的第一溅镀膜不同位置反射率测试结果图；图6为本专利技术的实施例2的方法制备的黑化层的结构示意图；图7为本专利技术的实施例2的黑化层不同位置反射率测试结果图；其中，附图标记为：1、基底；10、基材层；21、第一电极；22、第二电极；3、黑化层；31、第一溅镀膜；32、第二溅镀膜；4、绝缘层；51、加热腔室；52、溅镀腔室；53、阀门；54、加热源；55、靶材。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1：本实施例提供一种在基材层上形成溅镀层的方法，如图3所示，包括以下制备步骤：S01、将基材层送进溅镀腔室；S02、对基材层的第一面进行至少两次溅射镀膜后得到由至少两层溅镀膜构成的溅镀层；其中，至少部分相邻两次溅射镀膜的步骤之间包括改变基材层的第一面与溅镀腔室的相对位置的步骤。本实施例的溅镀层的制备方法中，在基材层的同一面上多次溅射镀膜，其中，在多次溅射镀膜的间隔中改变基材层与溅镀腔室的相对位置，以避免溅镀腔室不同位置的溅镀环境不同造成的溅镀膜的不同位置的溅镀材料不均匀，本实施例的方法制备的溅镀层各个位置处的溅镀材料较均一，适用于溅镀形成各种功能膜层。实施例2：本实施例提供一种在基材层上形成黑化层的方法，包括以下制备步骤：S1、将基材层送进加热腔室，加热腔室中设有加热源，在加热腔室中将基材层加热至80-120℃。具体的，基材层可以是玻璃基底。S2、将完成上述步骤的基材层送进溅镀腔室；其中，参见附图4，在实际工艺操作中可以采用机械手将加热腔室51的基材层10取出，并送进溅镀腔室52。具体的，通常在加热腔室51与溅镀腔室52之间设有用于供基材层进出的阀门53，更具体的，溅镀腔室52内设有靶材55，所述靶材由钼金属构成。S3、对基材层的第一面进行第一次溅射镀膜后得到第一溅镀膜；该步骤中，靶材为金属Mo靶，且通入100～200sccm的Ar气作为环境气体，通入100～110sccm的O2和8～12sccm的N2作为反应气体，第一次镀膜的功率为10～16kw，速度为1.7m/min，得到的第一溅镀膜的厚度范围为300埃-600埃。以九宫格形式对本实施例的完成步骤S3的第一溅镀膜上九个部位进行反射率测试，各位置反射率数据结果见图5。造成第一溅镀膜的反射率不均匀的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在基材层上形成溅镀层的方法，其特征在于，包括以下制备步骤：在溅镀腔室内，对基材层的第一面进行至少两次溅射镀膜后得到由至少两层溅镀膜构成的溅镀层；其中，至少部分相邻两次溅射镀膜的步骤之间包括改变基材层的第一面与溅镀腔室的相对位置的步骤。

【技术特征摘要】
1.一种在基材层上形成溅镀层的方法，其特征在于，包括以下制备步骤：在溅镀腔室内，对基材层的第一面进行至少两次溅射镀膜后得到由至少两层溅镀膜构成的溅镀层；其中，至少部分相邻两次溅射镀膜的步骤之间包括改变基材层的第一面与溅镀腔室的相对位置的步骤。2.根据权利要求1所述的在基材层上形成溅镀层的方法，其特征在于，所述溅镀层为黑化层。3.根据权利要求1所述的在基材层上形成溅镀层的方法，其特征在于，所述溅镀腔室包括用于供基材层进入的阀门，所述改变基材层的第一面与溅镀腔室的相对位置的包括：改变基材层的第一面与阀门的相对位置。4.根据权利要求3所述的在基材层上形成溅镀层的方法，其特征在于，所述改变基材层的第一面与阀门的相对位置包括：使改变基材层的第一面相对于其中垂线旋转。5.根据权利要求3所述的在基材层上形成溅镀层的方法，其特征在于，所述对基材层的第一面进行至少两次溅射镀膜包括：对基材层进行两次溅射镀膜，分别为第一次溅射镀膜、第二次溅射镀膜，其中，第一次溅射镀膜得到第一溅镀膜，第二次溅射镀膜得到第二溅镀膜；所述改变基材层的第一面与溅镀腔室的相对位置包括：将溅镀有第一溅镀膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹富伟，王胜男，张由婷，张明，郭总杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11