硅交流避雷器专用集成电路制造技术

本发明专利技术提供一种硅交流避雷器专用集成电路，所采用的技术方案是：在硅芯片中制作多个双向瞬态抑制二极管，使多个双向瞬态抑制二极管采用先串联再并联的方式组成电路，两端接出引出电极，中间接出测试电极，最后用绝缘外壳进行封装,即构成了交流避雷器专用集成电路。可以代替氧化锌压敏电阻片组装交流避雷器。具有体积小，生产方法简单，安装和使用方便等优点。 1

Si AC lightning arrester specific integrated circuit

The invention provides a special integrated circuit for a silicon AC lightning arrester. The technical scheme of the invention is to make a plurality of bidirectional transient suppression diodes in a silicon chip to make a plurality of bidirectional transient suppression diodes to form a circuit in series and then parallel. The two ends are connected with the lead electrode, the test electrode is connected in the middle, and the final use is used. The outer shell is encapsulated, which forms an integrated circuit for the AC arrester. It can replace the Zinc Oxide varistor to assemble the AC arrester. The utility model has the advantages of small volume, simple production method, convenient installation and use, etc. One

【技术实现步骤摘要】
硅交流避雷器专用集成电路
本专利技术涉及一种集成电路，具体的说是一种硅交流避雷器专用集成电路。
技术介绍
目前，市面上现有的避雷器大都是由多片氧化锌压敏电阻片构成的，氧化锌压敏电阻片是一种具有非线性电压特性的陶瓷产品，但体积较大，烧结工艺复杂，安装使用不方便。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种硅交流避雷器专用集成电路，利用硅芯片制成体积很小的交流避雷器专用集成电路，代替氧化锌压敏电阻片组装交流避雷器，可以减小交流避雷器的体积，简化生产工艺，方便安装和使用。本专利技术包括硅芯片、双向瞬态抑制二极管、引出电极、测试电极和绝缘外壳，所采用的技术方案是：在硅芯片中制作多个双向瞬态抑制二极管，使多个双向瞬态抑制二极管采用先串联再并联的方式组成电路，两端接出引出电极，中间接出测试电极，最后用绝缘外壳进行封装,即构成了交流避雷器专用集成电路。本专利技术的有益效果在于：通过上述技术方案的配置，构成了一种硅交流避雷器专用集成电路，可以代替氧化锌压敏电阻片组装交流避雷器。具有体积小，生产方法简单，安装和使用方便等优点。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步详述。图1为本专利技术的结构示意图。具体实施方式图1所示：在硅芯片1中制作多个双向瞬态抑制二极管2，使多个双向瞬态抑制二极管2采用先串联再并联的方式组成电路，两端接出引出电极3，中间接出测试电极4，最后用绝缘外壳5进行封装,即构成了交流避雷器专用集成电路。

【技术保护点】
1.一种硅交流避雷器专用集成电路，包括硅芯片（1）、双向瞬态抑制二极管（2）、引出电

【技术特征摘要】
1.一种硅交流避雷器专用集成电路，包括硅芯片（1）、双向瞬态抑制二极管（2）、引出电极（3）、测试电极（4）和绝缘外壳（5），其特征在于：所述硅交流避雷器专用集成电路是在硅芯片（...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文联，李杨，
申请(专利权)人：湖北文理学院，
类型：发明
国别省市：湖北,42