扫描驱动电路及其电容复合模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种扫描驱动电路及其电容复合模块，电容复合模块包括基板、设置在基板上的第一绝缘层、设置在第一绝缘层上的第一电极层、设置在第一绝缘层上并覆盖第一电极层的第二绝缘层、设置在第二绝缘层上的半导体层和第三绝缘层、设置在第三绝缘层和半导体层上的第二电极层、设置在第三绝缘层上并覆盖第二电极层的第四绝缘层、设置在第四绝缘层上的第一有机绝缘层和第三电极层；第一有机绝缘层位于第三电极层的外围；第三电极层通过第四绝缘层和第二电极层形成电容，第三电极层形成电容的第一电极，第二电极层形成电容的第二电极。本实用新型专利技术将电容模块优化，与TFT模块重叠形成电容复合模块，实现边框(border)的压缩，利于尺寸小化设置。 1

【技术实现步骤摘要】
扫描驱动电路及其电容复合模块
本技术涉及发光显示
，尤其涉及一种基于IGZO的扫描驱动电路及其电容复合模块。
技术介绍
目前的IGZO(铟镓锌氧化物)的工艺流程如下：在基板上依次沉积第一绝缘层(Barrier)、第一电极层(M1)、第二绝缘层(GI)、半导体层(Active：IGZO)、第三绝缘层(ESL)、第二电极层(M2)、第四绝缘层(PV)、第一有机绝缘层(PNL)、第三电极层(ITO)以及第二有机绝缘层(PDL)。现有IGZO产品的左右边框(border)主要由GOA(栅扫描线驱动电路)和EOA电路(发光扫描线驱动电路)构成。GOA/EOA电路主要包括：走线模块、TFT模块和电容模块。GOA/EOA电路占整个边框的80％面积。由于IGZO的GOA/EOA的面积太大，导致边框尺寸无法做到很小。此外，GOA/EOA电路中电容模块的第一电极板是采用M2层通过ESL打孔连接到半导体层，GOA/EOA电路中电容模块的第二电极板是采用M1层，从而该电容模块占用了整个电路很大的面积，尤其是EOA的电容约占其面积的20-30％，这也导致border无法做小。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，提供一种减小占用面积，实现边框压缩的扫描驱动电路的电容复合模块以及具有该模块的扫描驱动电路。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种扫描驱动电路的电容复合模块，所述电容复合模块为电容模块重叠在TFT模块上形成；该电容复合模块包括基板、设置在所述基板上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的第一电极层、设置在所述第一绝缘层上并覆盖所述第一电极层的第二绝缘层、设置在所述第二绝缘层上的半导体层和第三绝缘层、设置在所述第三绝缘层和半导体层上的第二电极层、设置在所述第三绝缘层上并覆盖所述第二电极层的第四绝缘层、设置在所述第四绝缘层上的第一有机绝缘层和第三电极层；所述第一有机绝缘层位于所述第三电极层的外围；所述第三电极层通过所述第四绝缘层和所述第二电极层形成电容，所述第三电极层形成所述电容的第一电极，所述第二电极层形成所述电容的第二电极。优选地，所述第四绝缘层上设有通孔，所述通孔贯穿所述第三绝缘层和第二绝缘层至所述第一电极层上；所述第三电极层覆盖所述通孔的内侧面和底面，与所述第一电极层相接触。优选地，所述通孔截面呈倒梯形。优选地，所述第三绝缘层覆盖所述半导体层的边缘；所述第二电极层覆盖在所述第三绝缘层上并覆盖所述半导体层裸露的中间部分。优选地，所述第三电极层为ITO层。优选地，所述第一电极层为金属层。优选地，所述第二电极层为金属层。优选地，所述电容复合模块还包括第二有机绝缘层；所述第二有机绝缘层覆盖在所述第一有机绝缘层和第三电极层上。本技术还提供一种扫描驱动电路，包括走线模块、与所述走线模块相接的TFT模块和电容模块；所述电容模块重叠在所述TFT模块上，形成以上任一项所述的电容复合模块。优选地，所述扫描驱动电路为栅扫描线驱动电路或发光扫描线驱动电路。本技术的有益效果：将电容模块优化，与TFT模块重叠形成电容复合模块，具有两种模块功能的同时，减小了原电容模块所占空间，减小了扫描驱动电路在边框(border)中所占面积，实现边框(border)的压缩，利于尺寸小化设置。附图说明下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中：图1是本技术一实施例的扫描驱动电路的部分结构俯视图；图2是本技术一实施例的扫描驱动电路的电容复合模块的截面结构示意图。具体实施方式为了对本技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本技术的具体实施方式。如图1所示，本技术一实施例的扫描驱动电路，包括走线模块(未图示)、与走线模块相接的TFT模块(如图1中虚线框A所示)和电容模块(如图1中虚线框B所示)。如图1中所示，电容模块(虚线框B)重叠在TFT模块(虚线框A)上，使得扫描驱动电路在面积上减少原电容模块所占的面积(20-30％)，可实现边框(border)的压缩，尺寸可做到很小。该扫描驱动电路为栅扫描线驱动电路(GOA)或发光扫描线驱动电路(EOA)。其中，电容模块重叠在TFT模块上，使得TFT模块上部分结构与电容模块结构重叠，形成电容复合模块。走线模块的结构、TFT模块上未重叠部分的结构均可参考现有技术。如图2所示，该电容复合模块可包括基板10、依次设置在基板10上的第一绝缘层11、第一电极层21、第二绝缘层12、半导体层30、第三绝缘层13、第二电极层22、第四绝缘层14、第一有机绝缘层41以及第三电极层23。第一电极层21设置在第一绝缘层11上，第二绝缘层12设置在第一绝缘层11上并覆盖第一电极层21；半导体层30和第三绝缘层13设置在第二绝缘层12上；第二电极层22设置在第三绝缘层13和半导体层30上；第四绝缘层14设置在第三绝缘层13上并覆盖第二电极层22；第一有机绝缘层41和第三电极层23设置在第四绝缘层14上，并且第一有机绝缘层41位于第三电极层23的外围。第三电极层23通过第四绝缘层14和第二电极层22形成电容，第三电极层23形成电容的第一电极，第二电极层22形成电容的第二电极；第四绝缘层14作为电容的介电层。此外，第二电极层22还作为TFT模块中的源栅(Source)电极。具体地，如图1所示，第一绝缘层11沉积在基板10上，第一电极层21(也可称M1层)沉积在第一绝缘层11上，并通过曝光/蚀刻形成所需图形。该第一电极层21为金属层，可以采用Al、Mo、Cu、Ti、Mo合金、GZO、ZIO等金属、合金或导体金属氧化物制成。第二绝缘层12(GI)沉积在第一电极层21上，将第一电极层21的上表面和侧面包覆。半导体层30(Active：IGZO)沉积在第二绝缘层12上，并通过曝光/蚀刻形成所需图形。第三绝缘层13沉积在第二绝缘层12上，并且还覆盖半导体层30的边缘。第二电极层22(也可称M2层)沉积在第三绝缘层13(ESL)上，通过曝光/蚀刻形成所需图形，并且覆盖半导体层30裸露的中间部分(未被第三绝缘层13覆盖的部分)。第二电极层22为金属层，可以采用Al、Mo、Cu、Ti、Mo合金、GZO、ZIO等金属、合金或导体金属氧化物制成。第四绝缘层14(PV)沉积在第三绝缘层13和第二电极层22上，将第二电极层22的上表面和侧面包覆。第一绝缘层11至第四绝缘层14均可采用氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等材料制成。第一有机绝缘层41(PNL)沉积在第四绝缘层13上方，且并未将整个第四绝缘层13包覆，而预留区域以设置第三电极层23。第三电极层23沉积在第四绝缘层14的预留区域上，使得第一有机绝缘层41位于第三电极层23的外围。本实施例中，第三电极层23为ITO层。进一步地，第四绝缘层14上设有通孔100，通孔100贯穿第三绝缘层13和第二绝缘层12至第一电极层21上；第三电极层23覆盖通孔100的内侧面和底面。第三电极层23通过覆盖在通孔100底面与第一电极层21相接触。其中，通孔100截面呈倒梯形。进一步地，电容复合模块还包括第二有机绝缘层42；第二有机绝缘层42覆盖在第一有机绝缘层41和第三电极层23上，并且还将通孔100填充。以上所述仅为本技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扫描驱动电路的电容复合模块，其特征在于，所述电容复合模块为电容模块重

【技术特征摘要】
1.一种扫描驱动电路的电容复合模块，其特征在于，所述电容复合模块为电容模块重叠在TFT模块上形成；该电容复合模块包括基板(10)、设置在所述基板(10)上的第一绝缘层(11)、设置在所述第一绝缘层(11)上的第一电极层(21)、设置在所述第一绝缘层(11)上并覆盖所述第一电极层(21)的第二绝缘层(12)、设置在所述第二绝缘层(12)上的半导体层(30)和第三绝缘层(13)、设置在所述第三绝缘层(13)和半导体层(30)上的第二电极层(22)、设置在所述第三绝缘层(13)上并覆盖所述第二电极层(22)的第四绝缘层(14)、设置在所述第四绝缘层(14)上的第一有机绝缘层(41)和第三电极层(23)；所述第一有机绝缘层(41)位于所述第三电极层(23)的外围；所述第三电极层(23)通过所述第四绝缘层(14)和所述第二电极层(22)形成电容，所述第三电极层(23)形成所述电容的第一电极，所述第二电极层(22)形成所述电容的第二电极。2.根据权利要求1所述的电容复合模块，其特征在于，所述第四绝缘层(14)上设有通孔(100)，所述通孔(100)贯穿所述第三绝缘层(13)和第二绝缘层(12)至所述第一电极层(21)上；所述第三电极层(23)覆盖所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄强灿，金志河，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44