一种自启闭式浴霸用控制系统技术方案

本发明专利技术涉及浴霸技术领域，尤其涉及一种自启闭式浴霸用控制系统，由控制芯片U，温控器，三极管VT2，极性电容C5，极性电容C4，N极与控制芯片U的VDD管脚相连接、P极经电阻R8后与控制芯片U的RC管脚相连接的稳压二极管D3，串接在温控器与控制芯片U之间的晶体管开关缓冲电路，串接在晶体管开关缓冲电路与控制芯片U的RC管脚之间的三极管稳压电路，以及与控制芯片U相连接的基极驱动电路组成。本发明专利技术的目的在于克服现有技术中的浴霸的控制系统不能对浴霸的温度进行控制，同时存在输出驱动电流不稳定的缺陷，提供的一种自启闭式浴霸用控制系统。 1

【技术实现步骤摘要】
一种自启闭式浴霸用控制系统
本专利技术涉及浴霸
，尤其涉及一种自启闭式浴霸用控制系统。
技术介绍
浴霸以其加热快、环保、使用方便等特点，已经被人们广泛接纳和采用。然而，目前人们使用的浴霸的控制系统不能对浴霸的温度进行控制，导致浴室内的温度过过高，从而致使人们在使用浴霸时常出现因高温而缺氧的情况。同时，现有的浴霸的控制系统还存在输出驱动电流不稳定的问题，导致浴霸的暖灯的加热温度不稳定，从而影响了浴霸的暖灯的使用寿命。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的浴霸的控制系统不能对浴霸的温度进行控制，同时存在输出驱动电流不稳定的缺陷，提供的一种自启闭式浴霸用控制系统。为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种自启闭式浴霸用控制系统，主要由控制芯片U，温控器，三极管VT2，负极经电阻R9后与三极管VT2的集电极相连接、正极经电阻R6后与控制芯片U的COV管脚相连接的极性电容C5，正极经电阻R5后与控制芯片U的RC管脚相连接、负极与控制芯片U的FB管脚相连接的极性电容C4，N极与控制芯片U的VDD管脚相连接、P极经电阻R8后与控制芯片U的RC管脚相连接的稳压二极管D3，串接在温控器与控制芯片U之间的晶体管开关缓冲电路，串接在晶体管开关缓冲电路与控制芯片U的RC管脚之间的三极管稳压电路，以及与控制芯片U相连接的基极驱动电路组成；所述控制芯片U的VDD管脚与三极管VT2的基极相连接，其GND管脚接地；所述三极管VT2的发射极与基极驱动电路相连接；所述基极驱动电路与晶体管开关缓冲电路相连接。所述晶体管开关缓冲电路由场效应管MOS1，场效应管MOS2，三极管VT1，一端与场效应管MOS1的栅极相连接、另一端接地的电阻R1，负极与三极管VT1的基极相连接、正极与场效应管MOS1的源极相连接的极性电容C1，一端与三极管VT1的发射极相连接、另一端与场效应管MOS1的源极相连接的电阻R2，N极经电阻R3后与场效应管MOS2的漏极相连接、P极与三极管VT1的集电极相连接的二极管D1，正极与二极管D1的N极相连接、负极与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C2，P极与与场效应管MOS2的源极相连接、N极与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D2，以及正极经电阻R4后与场效应管MOS2的源极相连接、负极经电阻R7后与控制芯片U的SS管脚相连接的极性电容C3组成；所述场效应管MOS1的漏极接地；所述场效应管MOS2的栅极与二极管D1的N极相连接、其漏极分别与控制芯片U的FB管脚和基极驱动电路相连接；所述场效应管MOS1的栅极与温控器相连接；所述三极管VT1的发射极与稳压二极管D6的P极相连接；所述三极管VT1的发射极作为晶体管开关缓冲电路的输入端。优选的，所述三极管稳压电路由三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，N极与三极管VT5的基极相连接、N极作为三极管稳压电路的输入端并与晶体管开关缓冲电路相连接的稳压二极管D6，正极与稳压二极管D6的P极相连接、负极接地的极性电容C10，正极经电阻R18后与三极管VT5的发射极相连接、负极经电阻R17后与稳压二极管D6的P极相连接的极性电容C9，一端与极性电容C9的负极相连接、另一端接地的电阻R16，N极与三极管VT6的基极相连接、P极经电阻R19后与三极管VT5的发射极相连接的二极管D7，N极与三极管VT7的集电极相连接、P极与三极管VT6的发射极相连接的稳压二极管D8，一端与三极管VT6的发射极相连接、另一端与三极管VT7的基极相连接的可调电阻R22，正极与三极管VT7的发射极相连接、负极经电阻R23后与三极管VT6的集电极相连接的极性电容C13，正极与三极管VT6的集电极相连接、负极接地的极性电容C12，以及正极经电阻R21后与极性电容C12的负极相连接、负极经电阻R20后与三极管VT5的集电极相连接的极性电容C11组成；所述极性电容C11的负极和极性电容C13的负极均接地；所述稳压二极管D8的P极与极性电容C9的正极相连接；所述三极管VT7的集电极与控制芯片U的RC管脚相连接。优选的，所述基极驱动电路由三极管VT3，三极管VT4，N极经电阻R12后与三极管VT3的基极相连接、P极与控制芯片U的ISNS管脚相连接的二极管D4，正极经电阻R13后与三极管VT3的发射极相连接、负极与三极管VT4的发射极相连接的极性电容C6，一端与三极管VT4的基极相连接、另一端与控制芯片U的ORV管脚相连接的电阻R10，正极经电阻R14后与三极管VT4的集电极相连接、负极接地的极性电容C7，一端与极性电容C7的负极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的电阻R11，P极与三极管VT3的发射极相连接、N极经电阻R15后与极性电容C7的负极相连接的二极管D5，以及正极经电感L后与三极管VT4的集电极相连接、负极与极性电容C7的负极共同形成基极驱动电路的输出端的极性电容C8组成；所述三极管VT3的集电极与控制芯片U的VDD管脚相连接；所述极性电容C7的负极与控制芯片U的FB管脚相连接。优选的，为了本专利技术的实际使用效果，所述控制芯片U则优先采用TPS402000集成芯片来实现。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：本专利技术能对浴霸工作电流的通断进行控制，使浴霸能在设定的温度下实现自动开启与关闭，从而确保了本专利技术能对浴霸的温度进行控制，有效的防止了人们因高温而缺氧的情况；同时，本专利技术能对输入电流的瞬间高电流进行抑制，使电流保持平稳，使专利技术能输出稳定的驱动电流，从而确保了浴霸加热温度的稳定性；能对电压进行实时采样，并能以采样电压进行负反馈，对输出的电流的动态进行调节和压降，从而确保了本专利技术能输出稳定的电流；控制芯片U则优先采用TPS402000集成芯片来实现，该控制芯片U具有过热保护、过压过流保护等功能，该芯片与外围电路相结合能有效的对输出电流进行调整，使本专利技术能输出稳定的驱动电流，从而确保了本专利技术能为浴霸提供稳定的工作电流，使浴霸的暖灯加热温度保持稳定；能输出稳定的电流，从而本专利技术能有效的延长浴霸的暖灯的使用寿命。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对本专利技术实施例或现有技术的描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一部分实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术的三极管稳压电路的电路结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。为了解决上述技术问题，本专利技术提供如图1所示，本专利技术主要由控制芯片U，温控器，三极管VT2，电阻R5，电阻R6，电阻R8，电阻R9，极性电容C4，极性电容C5，稳压二极管D3，三极管稳压电路，晶体管开关缓冲电路，以及基极驱动电路组成。实施时，极性电容C5的负极经电阻R9后与三极管VT2的集电极相连接、其正极经电阻R6后与控制芯片U的COV管脚相连接。极性电容C4的正极经本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自启闭式浴霸用控制系统，其特征在于，主要由控制芯片U，温控器，三极管VT2，

【技术特征摘要】
1.一种自启闭式浴霸用控制系统，其特征在于，主要由控制芯片U，温控器，三极管VT2，负极经电阻R9后与三极管VT2的集电极相连接、正极经电阻R6后与控制芯片U的COV管脚相连接的极性电容C5，正极经电阻R5后与控制芯片U的RC管脚相连接、负极与控制芯片U的FB管脚相连接的极性电容C4，N极与控制芯片U的VDD管脚相连接、P极经电阻R8后与控制芯片U的RC管脚相连接的稳压二极管D3，串接在温控器与控制芯片U之间的晶体管开关缓冲电路，串接在晶体管开关缓冲电路与控制芯片U的RC管脚之间的三极管稳压电路，以及与控制芯片U相连接的基极驱动电路组成；所述控制芯片U的VDD管脚与三极管VT2的基极相连接，其GND管脚接地；所述三极管VT2的发射极与基极驱动电路相连接；所述基极驱动电路与晶体管开关缓冲电路相连接；所述晶体管开关缓冲电路由场效应管MOS1，场效应管MOS2，三极管VT1，一端与场效应管MOS1的栅极相连接、另一端接地的电阻R1，负极与三极管VT1的基极相连接、正极与场效应管MOS1的源极相连接的极性电容C1，一端与三极管VT1的发射极相连接、另一端与场效应管MOS1的源极相连接的电阻R2，N极经电阻R3后与场效应管MOS2的漏极相连接、P极与三极管VT1的集电极相连接的二极管D1，正极与二极管D1的N极相连接、负极与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C2，P极与与场效应管MOS2的源极相连接、N极与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D2，以及正极经电阻R4后与场效应管MOS2的源极相连接、负极经电阻R7后与控制芯片U的SS管脚相连接的极性电容C3组成；所述场效应管MOS1的漏极接地；所述场效应管MOS2的栅极与二极管D1的N极相连接、其漏极分别与控制芯片U的FB管脚和基极驱动电路相连接；所述场效应管MOS1的栅极与温控器相连接；所述三极管VT1的发射极与稳压二极管D6的P极相连接；所述三极管VT1的发射极作为晶体管开关缓冲电路的输入端。2.根据权利要求1所述的一种自启闭式浴霸用控制系统，其特征在于，所述三极管稳压电路由三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，N极与三极管VT5的基极相连接、N极作为三极管稳压电路的输入端并与晶体管开关缓冲电路相连接的稳压二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：李峙岚，肖娟，傅文辉，赖国民，王靖宇，
申请(专利权)人：湖南贵派实业有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43