发光装置制造方法及图纸

一种发光装置，包含基板、覆晶发光二极管晶片、横向发光二极管晶片、导热胶层与荧光粉层。覆晶发光二极管晶片位于基板上。横向发光二极管晶片位于覆晶发光二极管晶片上。横向发光二极管晶片的波长小于覆晶发光二极管晶片的波长。导热胶层位于覆晶发光二极管晶片与横向发光二极管晶片之间，使得横向发光二极管晶片粘合于覆晶发光二极管晶片。荧光粉层覆盖横向发光二极管晶片。横向发光二极管晶片具有补齐全光谱的功能，使得发光装置的发射光谱在各波长无明显缺陷。

【技术实现步骤摘要】
发光装置
本案是有关于一种发光装置。
技术介绍
在日常生活中，照明设备是不可或缺的。由于传统钨丝灯泡发光时需消耗大量的电能，因此近年来应用发光二极管(Lightemittingdiode；LED)为光源的照明设备已越来越受欢迎。LED光源与钨丝灯泡相较，具有寿命长、耗电量低、耐震、亮度高等优点。一般而言，以LED作为光源的发光装置可由蓝光LED晶片覆盖黄色荧光粉制作。当蓝光LED晶片发光时，蓝光进入黄色荧光粉并将荧光粉激发，经混光而产生白光。然而，这样的设计易在发射光谱(Emissionspectrum)的浅蓝色波长区域，产生明显的缺陷，导致发光装置的演色性指数难以提升。
技术实现思路
本技术的一技术态样为一种发光装置。根据本技术一实施方式，一种发光装置包含基板、覆晶发光二极管晶片、横向发光二极管晶片、导热胶层与荧光粉层。覆晶发光二极管晶片位于基板上。横向发光二极管晶片位于覆晶发光二极管晶片上。横向发光二极管晶片的波长小于覆晶发光二极管晶片的波长。导热胶层位于覆晶发光二极管晶片与横向发光二极管晶片之间，使得横向发光二极管晶片粘合于覆晶发光二极管晶片。荧光粉层覆盖横向发光二极管晶片。在本技术一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，包含：一基板；一覆晶发光二极管晶片，位于该基板上；一横向发光二极管晶片，位于该覆晶发光二极管晶片上，其中该横向发光二极管晶片的波长小于该覆晶发光二极管晶片的波长；一导热胶层，位于该覆晶发光二极管晶片与该横向发光二极管晶片之间，使得该横向发光二极管晶片粘合于该覆晶发光二极管晶片；以及一荧光粉层，覆盖该横向发光二极管晶片。

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包含：一基板；一覆晶发光二极管晶片，位于该基板上；一横向发光二极管晶片，位于该覆晶发光二极管晶片上，其中该横向发光二极管晶片的波长小于该覆晶发光二极管晶片的波长；一导热胶层，位于该覆晶发光二极管晶片与该横向发光二极管晶片之间，使得该横向发光二极管晶片粘合于该覆晶发光二极管晶片；以及一荧光粉层，覆盖该横向发光二极管晶片。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该横向发光二极管晶片具有背对覆晶发光二极管晶片的一顶面，且该顶面具有一导电接点电性连接该基板的一第一导电接点。3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，该覆晶发光二极管晶片具有朝向该基板的一底面，且该底面具有一导电接点电性连接该基板的一第二导电接点。4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，该第一导电接点的输入电流大于该第二导电接点的输入电流，且该第二导电接点的输入电流与该第一导电接点的输入电流的比值介于0.1至1。5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该荧光粉层延伸至该基板，且围绕该横向发光二极管晶片与该覆晶发光二极管晶片。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宗庆，吴建荣，
申请(专利权)人：扬州艾笛森光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32