补偿电容性传感器中的力基准伪影制造技术

技术编号:18178877 阅读:20 留言:0更新日期:2018-06-09 20:39
一种用于电容性输入装置的示例处理系统包括传感器电路,其配置成随时间推移而采用电容性感测信号来驱动多个传感器电极,以获取多个电容性帧的电容性值。处理系统包括确定模块,其配置成通过检测第一电容性帧中的第一电容性值的变化率超过第一阈值,来分析多个电容性帧的第一电容性帧以识别力事件。确定模块配置成确定第一电容性值与基准值之间的电容的变化,并且分析力事件之后所获取的多个电容性帧的第二电容性帧,以响应基准值与第二电容性帧中的第二电容性值之间的差降低到低于第二阈值而调整基准值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】补偿电容性传感器中的力基准伪影
本公开的实施例一般涉及电容性传感器,以及更具体来说涉及补偿电容性传感器中的力基准伪影。
技术介绍
包括接近传感器装置(通常又称作触摸板或触摸传感器装置)的输入装置广泛用于多种电子系统中。接近传感器装置通常包括常常通过表面来区分的感测区,其中接近传感器装置确定一个或多个输入对象对象的存在、位置和/或运动。接近传感器装置可用来为电子系统提供接口。例如,接近传感器装置常常用作较大计算系统的输入装置(诸如笔记本或台式计算机中集成的或者作为其外设的不透明触摸板)。接近传感器装置还常常用于较小计算系统(诸如蜂窝电话中集成的触摸屏)中。
技术实现思路
描述用于补偿电容性传感器中的力基准伪影的技术。在一实施例中,一种用于电容性输入装置的处理系统包括传感器电路,其配置成随时间推移而采用电容性感测信号来驱动多个传感器电极,以获取多个电容性帧的电容性值。该处理系统还包括确定模块,其耦合到传感器电路,配置成通过检测第一电容性帧中的第一电容性值的变化率超过第一阈值,来分析多个电容性帧的第一电容性帧以识别力事件。确定模块还配置成确定第一电容性值与基准值之间的电容的变化。确定模块还配置成分析力事件之后所获取的多个电容性帧的第二电容性帧,以响应基准值与第二电容性帧中的第二电容性值之间的差下降到低于第二阈值而调整基准值。在另一个实施例中,一种输入装置包括设置在感测区中的多个传感器电极以及耦合到多个传感器电极的处理系统。处理系统包括传感器电路,其配置成随时间推移而采用电容性感测信号来驱动多个传感器电极,以获取多个电容性帧的电容性值。处理系统还包括确定模块,其耦合到传感器电路,配置成通过检测第一电容性帧中的第一电容性值的变化率超过第一阈值,来分析多个电容性帧的第一电容性帧以识别力事件。确定模块还配置成确定第一电容性值与基准值之间的电容的变化。确定模块还配置成分析力事件之后所获取的多个电容性帧的第二电容性帧,以响应基准值与第二电容性帧中的第二电容性值之间的差下降到低于第二阈值而调整基准值。一种电容性感测方法包括随时间推移而采用电容性感测信号来驱动多个传感器电极,以获取多个电容性帧的电容性值。该方法还包括通过检测第一电容性帧中的第一电容性值的变化率超过第一阈值,来分析多个电容性帧的第一电容性帧,以识别力事件。该方法还包括确定第一电容性值与基准值之间的电容的变化。该方法还包括分析力事件之后所获取的多个电容性帧的第二电容性帧,以响应基准值与第二电容性帧中的第二电容性值之间的差下降到低于第二阈值而调整基准值。附图说明为了能够详细了解本专利技术的上述特征,可通过参照实施例进行以上概述的本专利技术的更具体描述,其中一部分在附图中示出。但是要注意,附图仅示出本专利技术的典型实施例,并且因此不是被看作是对其范围的限制,因为本专利技术可容许其它同样有效的实施例。图1是按照本文所述的一个实施例的示范输入装置的框图。图2是示出按照一些实施例的输入装置的电容性感测装置的框图。图3是示出按照一实施例、由输入对象对象施加到输入装置的力的示意截面。图4是示出响应单个力事件而从传感器电极图案所测量的示例响应的图表。图5示出了示出响应三个力事件而从传感器电极图案所测量的示例响应的图表。图6是示出按照一实施例、补偿力感测中的基准伪影的方法的流程图。图7是示出按照一实施例、对响应信号的电容性值进行滤波的方法的流程图。图8是示出按照一实施例、检测力事件的方法的流程图。图9是示出按照一实施例、对响应信号的电容性值进行滤波的方法的流程图。为了便于理解,相同的参考标号在可能的情况下用于表示附图共同的相同元件。预期一个实施例中公开的元件可有利地用于其它实施例而无需具体说明。这里所参照的附图不应当被理解为按比例绘制,除非特别地说明。另外,附图通常经过简化,并且为了呈现和说明的清楚起见而省略细节或组件。附图和论述用于说明以下所述的原理,其中相似标号表示相似元件。具体实施方式图1是按照本专利技术的实施例的示范输入装置100的框图。输入装置100可配置成向电子系统(未示出)提供输入。如本文档中所使用的术语“电子系统”(或“电子装置”)广义地表示能够电子地处理信息的任何系统。电子系统的一些非限制性示例包括所有尺寸和形状的个人计算机,诸如台式计算机、膝上型计算机、上网本计算机、平板、万维网浏览器、电子书阅读器和个人数字助理(PDA)。附加示例电子系统包括合成输入装置,诸如包括输入装置100和独立操纵杆或按键开关的物理键盘。其它示例电子系统包括诸如数据输入装置(包括遥控和鼠标)和数据输出装置(包括显示屏幕和打印机)之类的外围设备。其它示例包括远程终端、售货亭和视频游戏机(例如视频游戏控制台、便携游戏装置等)。其它示例包括通信装置(包括蜂窝电话,诸如智能电话)和媒体装置(包括记录器、编辑器和播放器,诸如电视机、机顶盒、音乐播放器、数码相框和数码相机)。另外,电子系统可能是输入装置的主机或从机。输入装置100能够实现为电子系统的物理部分,或者能够与电子系统在物理上分隔。视情况而定,输入装置100可使用下列的任一个或多个与电子系统的部分进行通信:总线、网络和其它有线或无线互连。示例包括I2C、SPI、PS/2、通用串行总线(USB)、蓝牙、RF和IRDA。图1中,输入装置100示为接近传感器装置(又常常称作“触摸板”或“触摸传感器装置”),其配置成感测由一个或多个输入对象对象140在感测区120中提供的输入。示例输入对象对象包括手指和触控笔,如图1中所示。感测区120包含输入装置100之上、周围、之中和/或附近的任何空间,其中输入装置100能够检测用户输入(例如由一个或多个输入对象对象140所提供的用户输入)。特定感测区的尺寸、形状和位置可逐个实施例极大地改变。在一些实施例中,感测区120沿一个或多个方向从输入装置100的表面延伸到空间中,直到信噪比充分地阻止准确的对象对象检测。在各个实施例中,这个感测区120沿特定方向所延伸的距离可以是大约小于一毫米、数毫米、数厘米或者以上,并且可随所使用的感测技术的类型和预期的精度而极大地改变。因此,一些实施例感测包括没有与输入装置100的任何表面相接触、与输入装置100的输入表面(例如触摸表面)相接触、与耦合某个量的外加力或压力的输入装置100的输入表面相接触和/或它们的组合的输入。在各个实施例中,可由传感器电极位于其内的壳体的表面、由施加在传感器电极或者任何壳体之上的面板等,来提供输入表面。在一些实施例中,感测区120在投影到输入装置100的输入表面时具有矩形形状。输入装置100可利用传感器组件和感测技术的任何组合来检测感测区120中的用户输入。输入装置100包括用于检测用户输入的一个或多个感测元件。作为若干非限制性示例,输入装置100可使用电容性、倒介电、电阻性、电感性、磁、声、超声和/或光学技术。一些实现配置成提供跨越一维、二维、三维或更高维的空间的图像。一些实现配置成提供沿特定轴或平面的输入的投影。在输入装置100的一些电容性实现中,施加电压或电流以创建电场。附近的输入对象对象引起电场的变化,并且产生电容性耦合的可检测变化,其可作为电压、电流等的变化来检测。一些电容性实现利用电容性感测元件的阵列或者其它规则或不规则图案来创建电场。在一些电本文档来自技高网...
补偿电容性传感器中的力基准伪影

【技术保护点】
一种用于电容性输入装置的处理系统,包括:传感器电路,配置成随时间推移而采用电容性感测信号来驱动多个传感器电极,以获取多个电容性帧的电容性值;确定模块,耦合到所述传感器电路,配置成:通过检测所述第一电容性帧中的第一电容性值的变化率超过第一阈值,来分析所述多个电容性帧的第一电容性帧,以识别力事件;确定所述第一电容性值与基准值之间的电容的变化;以及分析所述力事件之后所获取的所述多个电容性帧的第二电容性帧,以响应所述基准值与所述第二电容性帧中的第二电容性值之间的差下降到低于第二阈值而调整所述基准值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.09 US 62/239837;2016.06.30 US 15/1994211.一种用于电容性输入装置的处理系统,包括:传感器电路,配置成随时间推移而采用电容性感测信号来驱动多个传感器电极,以获取多个电容性帧的电容性值;确定模块,耦合到所述传感器电路,配置成:通过检测所述第一电容性帧中的第一电容性值的变化率超过第一阈值,来分析所述多个电容性帧的第一电容性帧,以识别力事件;确定所述第一电容性值与基准值之间的电容的变化;以及分析所述力事件之后所获取的所述多个电容性帧的第二电容性帧,以响应所述基准值与所述第二电容性帧中的第二电容性值之间的差下降到低于第二阈值而调整所述基准值。2.如权利要求1所述的处理系统,其中,所述确定模块配置成通过检测包括所述第一电容性值的多个电容性值的变化率超过所述第一阈值,来分析所述第一电容性帧以识别所述力事件,所述多个电容性值从阈值数量的所述多个传感器电极来获取。3.如权利要求1所述的处理系统,其中,所述确定模块配置成通过基于所述基准值与所述第二电容性值之间的差的函数来增加所述基准值,从而调整所述基准值。4.如权利要求1所述的处理系统,其中,所述确定模块配置成分析所述力事件之后的所述第二电容性帧,以通过进一步抑制所述第二电容性帧中小于所述基准值的电容性值来调整所述基准值。5.如权利要求4所述的处理系统,其中,所述确定模块配置成通过将所述基准值设置成所述负电容性值来抑制所述电容性值。6.如权利要求1所述的处理系统,其中,所述确定模块配置成分析在所述力事件期间所获取的所述多个电容性帧的第三电容性帧,以抑制所述第三电容性帧的第三电容性值的减小。7.如权利要求6所述的处理系统,其中,所述确定模块配置成通过将所述第三电容性值增加到所述力事件期间所获取的最大电容性值,来抑制所述第三电容性值的所述减小。8.一种输入装置,包括:设置在感测区中的多个传感器电极;处理系统,耦合到所述多个传感器电极,所述处理系统包括:传感器电路,配置成随时间推移而采用电容性感测信号来驱动所述多个传感器电极,以获取多个电容性帧的电容性值;确定模块,耦合到所述传感器电路,配置成:通过检测所述第一电容性帧中的第一电容性值的变化率超过第一阈值,来分析所述多个电容性帧的第一电容性帧,以识别力事件;确定所述第一电容性值与基准值之间的电容的变化;以及分析所述力事件之后所获取的所述多个电容性帧的第二电容性帧,以响应所述基准值与所述第二电容性帧中的第二电容性值之间的差下降到低...

【专利技术属性】
技术研发人员:S拉马克里什南AL施瓦茨
申请(专利权)人:辛纳普蒂克斯公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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