搪瓷设备中搪瓷壁的局部补瓷方法技术

本发明专利技术属于搪瓷产品的制造领域。特别适用于在大型搪瓷设备中，对残损、破碎的搪瓷壁进行局部的补瓷方法。该方法是由清理被补瓷处表面、补瓷釉、焙烧处理、二次补瓷釉和焙烧处理等工序组成，其特征在于对搪瓷壁修补瓷处经补瓷釉后再采用梯度等温降温进行焙烧瓷釉，其工艺可以是修补底釉、面釉和二次补瓷釉等程序。采用本发明专利技术的梯度等温降温方式焙烧修补搪瓷壁与现有技术相比较，具有很好的修补效果，而且还有操做方便、可靠和经济等特点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于搪瓷产品的制造领域。特别适用于在大型搪瓷设备中，对残损、破碎的搪瓷壁进行局部的补瓷方法。
技术介绍
众所周知，在搪瓷产品的制造业中，普遍是采用以金属为基材，并在其表面涂敷有无机瓷釉后，再将制品经多次高温烧结后才可形成复合材料的搪瓷产品。目前大型搪瓷设备的使用，主要是在农药、化工、化肥、和医药等制造行的业中，由于在该类行业的生产过程中，所采用搪瓷材料作为设备的反应缸或反应釜，是要接触到大量的强酸、碱等介质，和使用在温度、压力经常变化的生产过程里，对搪瓷壁的维护和修补(由于搪瓷壁的缺陷和磕碰掉瓷等)是非常重要的生产工序之一。在现有技术中对搪瓷壁的修补方法有两种；第一种是采用物理遮盖法，其工艺过程是采用耐腐蚀材料(如金、铂、钽、四氟等)将破损部位进行密封处理，使搪瓷壁的破损处避免与介质接触。该方法的缺点是受环境条件的限制，对有些部位的修补是会影响设备的密封性能。其次是采用防腐涂料进行遮盖的方法，但是该方法是要受使用条件中温度、压力和生产介质的限制，因为防腐涂料是很难承受在高温下腐蚀介质的冲刷而造成修补的失败。再有就是将设备的搪瓷全部除掉后重新制备搪瓷，其缺点是重新制备设备的生产周期长，而且资金的投入也很高。因此到目前还仍未见到有更好的，在搪瓷壁破损处局部的补瓷方法。专利技术目的及解决方案本专利技术的目的是提出一种操作方便简单、省时经济、快速合理，而且使用效果好的搪瓷设备局部补瓷方法。在搪瓷设备制造业中，最理想的修补搪瓷效果，是对新修补处的搪瓷壁基体不但要结合牢固，而且还要不破坏被修补处周围的搪瓷壁基体瓷层。因此对局部烧补瓷的主要困难，是在于被烧补瓷处的加热温度与周围搪瓷壁在较小尺寸范围内，温度梯度落差要大于800℃，由于在搪瓷壁的局部(被烧补瓷处周围)会产生很大的温度梯度落差，和搪瓷壁内基材与搪瓷材料温度膨胀系数的不同，所以会造成在对烧补瓷时使搪瓷壁的局部产生很强的内应力，因此这也是造成搪瓷与基材崩落的主要内在因素。根据上述造成局部烧补瓷的主要问题和本专利技术所提出的目的，我们所提出的解决技术方案内容可根据附图进行详细叙述如下，一种大型搪瓷设备所用搪瓷壁破损处的局部补瓷方法，该方法是由清理被补瓷处表面、补瓷釉、焙烧处理、二次补瓷釉和焙烧处理等工序组成，其特征在于对修补瓷处经补瓷釉后再采用梯度等温进行焙烧瓷釉，其工艺过程是1、清理补瓷表面后并于200℃进行烘干处理；2、在补瓷表面处喷涂面釉；3、采用梯度等温降温进行焙烧处理，a.对补瓷表面处瓷釉在780℃-850℃进行焙烧处理；b、对补瓷表面处沿外围20cm-60cm的范围由内向外进行梯度等温降温处理；c、在补瓷表面处沿外围的范围内由内向外进行780℃-400℃的温度梯度降温处理；d、采用梯度等温降温处理的工艺，是当加热温度达到设定温度后应以5-15℃/分钟控制冷却至400℃以下再空冷至室温。本专利技术搪瓷壁破损处局部补瓷方法的其他特征还有在进行第二次补瓷时，应再对在补瓷表面处经二次喷涂瓷釉后再次进行梯度等温降温的焙烧处理，二次梯度等温降温的处理制度为(1)、在补瓷表面处二次喷涂面釉；(2)、采用梯度等温降温进行二次面釉的焙烧处理工艺是e对二次补瓷表面处面釉在780℃-850℃进行焙烧处理；f对二次补瓷表面处沿外围20cm-60cm的范围由内向外进行梯度等温降温处理；g在二次补瓷表面处沿外围的范围内由内向外进行700℃-400℃的温度梯度等温降温处理；h.采用梯度等温降温处理的工艺，是当加热温度达到设定温度后应以5-12℃/分钟控制冷却至400℃以下再空冷至室温。如果搪瓷壁局部破损已至基体金属板处时，应该在第一次补瓷前先进行补底釉和进行梯度等温降温的焙烧处理，因此本专利技术的另外特征还应在清理搪瓷壁破损处表面后先喷补底釉再进行底釉焙烧处理，其底釉焙烧处理工艺是(1)、在补瓷表面处喷涂底釉；(2)、采用梯度等温降温进行底釉的焙烧处理工艺是m.对底釉焙烧处理应在900℃-940℃进行；n、对底釉表面处沿外围20cm-60cm的范围内由里向外进行梯度等温降温处理；p、在底釉表面处沿外围的范围内由内向外进行890℃-400℃的温度梯度等温降温处理；q、采用梯度等温降温处理的工艺，是当加热温度达到设定温度后应以8-15℃/分钟控制冷却至400℃以下再空冷至室温。本专利技术的还有特征是在焙烧处理过程中，搪瓷壁破损处3与电加热器5之间的加热间距为10-30mm。本专利技术搪瓷设备用搪瓷壁破损处局部补瓷方法的基本工作原理，是将搪瓷壁破损处3进行清理(见附图)，当搪瓷已破损到搪瓷壁基体1的金属板2处时，就应该先进行底釉的修补，然后再进行喷涂瓷釉和焙烧处理，根据搪瓷设备工作条件的需要，还可以进行二次喷涂瓷釉和焙烧的再处理。由于瓷釉类与玻璃相的制备属性近似，随温度逐渐的升高，底釉和瓷釉也将会逐渐的软化，当电加热器5达到设定温度时，经短时间的保温后底釉和补瓷釉4已处于半溶化状态，此时瓷釉4与搪瓷壁基体1的金属板2处和搪瓷壁破损处3周边的搪瓷具有很好的亲合效果，当瓷釉4与搪瓷壁破损处3的金属板2和周边的搪瓷完全溶合后，再采用控制降温速度的方式将在补瓷过程中对搪瓷壁基体1内所产生的内应力消除。在本专利技术的方法中所采用的加热方式如附图1所示，在电加热器5中是采用对搪瓷壁破损处3的补瓷焙烧区域部份，进行密排发热元件6的加热方式，对搪瓷壁破损处3的补瓷部份周边沿外围20cm-60cm的范围内，是由里向外进行逐渐降温的递减排列发热元件6的加热方式。本专利技术大型搪瓷设备用搪瓷壁的局部补瓷方法，是采用对新喷涂的瓷釉进行局部集中辐射加热，使瓷釉能均匀溶合在搪瓷壁破损处3，并且也能与周边搪瓷很好的亲合，因为在搪瓷壁破损处3周边的搪瓷由电加热器5已预热到软化温度，由于离搪瓷壁破损处3周边的搪瓷距离越远，则辐射加热的温度越低，这样就可以有效的防止因热补瓷而使搪瓷壁产生较强的内在应力，并且新补在搪瓷壁破损处3的搪瓷结合效果与搪瓷壁上的原搪瓷相同。采用本专利技术的大型搪瓷设备用搪瓷壁破损处局部的补瓷方法与现有技术相比较，具有操作方便简单、省时经济和使用效果好等特点，尤其是在生产现场，能很快地解决因设备的反应罐或反应釜掉瓷而要停产修理的问题。附图说明附图1、为采用本专利技术方法对搪瓷设备中局部搪瓷壁破损处进行补瓷工作的正视剖面示意图；附图2、为采用本专利技术方法对搪瓷设备中局部搪瓷壁破损处进行补瓷工作的温度梯度等温降温焙烧处理程序示意图；在附图中1、为搪瓷壁基体；2、为金属板；3、为搪瓷壁破损处；4、为补瓷釉；5、为电加热器；6、为发热元件。T1＝780℃-940℃；T2≥400℃；R1为搪瓷壁破损处直径；R2为搪瓷壁破损处直径至电加热器外径之间间距。具体实施例方式采用本专利技术的大型搪瓷设备用搪瓷壁破损处局部的补瓷方法，我们一共做了两组试验，为了对比方便，我们所采用的试验件为大型搪瓷设备用搪瓷反应罐和搪瓷反应釜，所使用的条件为材料相同、搪瓷壁厚不同(大型搪瓷设备用搪瓷反应罐的搪瓷壁厚为15mm和搪瓷反应釜的搪瓷壁厚为25mm)、试验为立式补瓷方法和卧式补瓷方法两种，本专利技术实施例的对比试验结果见下表，在对比表中序号1-4为本专利技术实施例，其中序号1、3、5为搪瓷反应罐，序号2、4、6为搪瓷反应釜，序号为7、8为现有技术的对比试验。通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大型搪瓷设备用搪瓷壁破损处局部的补瓷方法，该方法是由清理被补瓷处表面、补底釉和瓷釉、焙烧处理、二次补瓷釉和焙烧处理等工序组成，其特征在于对搪瓷壁破损处经补瓷釉后再采用梯度等温降温进行焙烧处理，其工艺过程是：（１）、清理补瓷表面后并于 ２００℃进行烘干处理；（２）、在补瓷表面处喷涂面釉；（３）、采用梯度等温进行焙烧处理工艺是：ａ．对补瓷表面处面釉在７８０℃－８５０℃进行焙烧处理；ｂ．对补瓷表面处沿外围２０ｃｍ－６０ｃｍ的范围由内向外进行梯度等温降温处理； ｃ．在补瓷表面处沿外围的范围内由内向外进行７８０℃－４００℃的温度＊度等温处理；ｄ．采用梯度等温降温处理的工艺，是当加热温度达到设定温度后应以５－１５℃／分钟控制冷却至４００℃以下再空冷至室温。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阎正楷，
申请(专利权)人：阎正楷，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]