一种真空镀膜设备制造技术

技术编号:18138143 阅读:45 留言:0更新日期:2018-06-06 11:38
本实用新型专利技术提供了一种真空镀膜设备,包括腔体,所述腔体包括有若干个首尾相连的镀膜空间,每个所述镀膜空间中均设置有靶材、敲击探头、基板以及第一抽真空组件,位于相邻两个所述镀膜空间之间均设置有过渡空间,过渡空间的容积小于任一镀膜空间的容积,所述过渡空间的两侧均设置有过渡墙,所述过渡墙上均设置有过渡阀,所述过渡空间通过所述过渡阀可选择与位于该过渡空间两侧的镀膜空间连通或隔绝,每个所述过渡空间中均设置有第二抽真空组件。本实用新型专利技术提供的一种真空镀膜设备能够提高制造效率。

【技术实现步骤摘要】
一种真空镀膜设备
本技术属于镀膜设备领域,涉及一种真空镀膜设备。
技术介绍
真空镀膜法是一种在触控面板、太阳能电池等等的光电产业、半导体产业常见的镀膜技术,已知真空镀膜法包含物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等方式。以薄膜太阳能电池制程为例,需要利用真空镀膜方式于一基板镀上透明导电薄膜电极、光电转换层等膜层,又或者,例如铜铟镓薄膜太阳能电池制作时,则需要先于基板镀上铜薄膜、铟薄膜后再进行硒化处理。因此,现有的一种真空镀膜设备,是在一腔体内设有数个腔室,每个腔室可进行不同材料薄膜的镀膜制程,且相邻腔室间设有阀门,通过阀门启闭来控制腔室间的连通与否。故进行太阳能电池的镀膜制程时,主要是先使基板于第一个腔室内镀上第一种材料的薄膜,接着打开第一个腔室与第二个腔室间的阀门,使该基板输送到第二个腔室镀上第二种材料的薄膜,后续依此类推,打开下一阀门,并将基板输送到下一腔室镀膜。但因为控制阀门开启与关闭,会耗费一定的时间。而且当阀门开启后,相邻两腔室就会互相连通,上一腔室中的工作气体会流到下一腔室内,进而影响下一腔室内的真空度,且任一腔室要进行镀膜时,都必须先将腔室内抽到一定的真空度后再通入工作气体,因此每当基板送入下一腔室后,为了维持下一腔室的真空度,又必需重新抽真空而耗费时间,如此导致制程麻烦、时间长,制造效率低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种真空镀膜设备,旨在解决制造效率低的问题。为解决上述技术问题,本技术提供了一种真空镀膜设备,包括腔体,所述腔体包括有若干个首尾相连的镀膜空间,每个所述镀膜空间中均设置有靶材、敲击探头、基板以及第一抽真空组件,位于相邻两个所述镀膜空间之间均设置有过渡空间,过渡空间的容积小于任一镀膜空间的容积,所述过渡空间的两侧均设置有过渡墙,所述过渡墙上均设置有过渡阀,所述过渡空间通过所述过渡阀可选择与位于该过渡空间两侧的镀膜空间连通或隔绝,每个所述过渡空间中均设置有第二抽真空组件。本技术进一步设置为,所述过渡空间中设置有第一加热结构,用于对过渡空间内部进行加热。本技术进一步设置为,所述过渡空间中设置有减容体,用于减小可流进到过渡空间中气体的体积。本技术进一步设置为,还包括有准备腔室以及准备墙体,所述准备墙体上设置有准备阀,所述准备腔室位于腔体的端部,用于对待加工的基片进行预处理,所述准备腔室通过准备阀与镀膜空间连通或隔绝,所述准备腔室中设置有第三抽真空组件。本技术进一步设置为,所述准备腔室中还设置有第二加热结构,用于对位于准备腔室中的基片进行加热。本技术进一步设置为,所述镀膜空间中还设置有连接体以及驱动体,所述驱动体与连接体连接并用于驱动连接体活动,所述靶材与连接体连接,所述连接体用于带动靶材活动并使得敲击探头可作用于靶材的不同部位。本技术进一步设置为,所述靶材与连接体均为圆环形结构,所述驱动体驱动连接体以及靶材做圆环形转动,所述敲击探头可作用于靶材的圆环形结构上。本技术进一步设置为,还包括有设置于所述连接体上的冷却水管,用于通入冷却水对连接体进行降温,所述冷却水管为圆环形结构,且冷却水管贴合于连接体的侧部。本技术进一步设置为,所述冷却水的流动方向与连接体的转动方向相反。本技术进一步设置为,所述靶材以及连接体均为长条形结构,所述驱动体驱动所述连接体与靶材做直线往复运动,所述敲击探头可作用于靶材的长条形结构上。与现有技术相比,本技术提供了一种真空镀膜设备,在进行若干步镀膜的时候,基片首先进入到第一个镀膜空间中进行第一层真空镀膜,第一层完成之后过渡空间中,然后过渡空间两侧的过渡阀关闭,第二抽真空组件活动将该过渡空间中抽成真空状,抽完之后该过渡空间的一个过渡阀打开并使得该基片进入到下一个镀膜空间中,基片进入到下一个镀膜腔室中之后过渡阀关闭,第二抽真空组件再次活动并将过渡空间中的气体抽空;其中当该基片位于过渡空间中时,前一个镀膜空间由于处于隔绝与封闭的状态,所以能够同时对下一个基片进行镀膜,当该下一个基片的第一层镀膜完成之后可以直接送入到处于真空状态的过渡空间中,而不会有下一个镀膜空间中的气体流入到该镀膜空间中,保证了镀膜质量,同时由于不需要将该镀膜空间中抽成真空状态再对下一个基片进行加工,所以使得该镀膜的过程更快,同理后续的镀膜空间在镀膜也都不需要抽成真空,只需过渡空间抽成真空即可进行基片的传递,同时由于过渡空间的容积相比于镀膜空间更小,这样就使得过渡空间的抽真空也能更快的进行,基片在镀膜的时候的速度也就更快,提高了制造效率。附图说明图1是本技术一种真空镀膜设备一实施例的结构示意图;图2是本技术一实施例驱动体以及冷却水管的俯视图。其中,1、腔体;2、镀膜空间;3、靶材;4、敲击探头;5、基板;6、第一抽真空组件;7、过渡空间;8、过渡墙;9、过渡阀;10、第二抽真空组件;11、减容体;12、准备腔室;13、准备墙体;14、准备阀;15、第三抽真空组件;16、连接体;17、驱动体;18、冷却水管。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术提出的一种真空镀膜设备作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。实施例1一种真空镀膜设备,如图1和图2所示,包括腔体1,所述腔体1包括有若干个首尾相连的镀膜空间2,每个所述镀膜空间2中均设置有靶材3、敲击探头4、基板5以及第一抽真空组件6,其中靶材3可以是黄金,或者其他贵金属,比如钌、铑、钯、锇、铱、铂中的一种,本实施例中靶材3为黄金,位于相邻两个所述镀膜空间2之间均设置有过渡空间7,过渡空间7的容积小于任一镀膜空间2的容积,所述过渡空间7的两侧均设置有过渡墙8,所述过渡墙8上均设置有过渡阀9,所述过渡空间7通过所述过渡阀9可选择与位于该过渡空间7两侧的镀膜空间2连通或隔绝,每个所述过渡空间7中均设置有第二抽真空组件10。所述过渡空间7中设置有第一加热结构,用于对过渡空间7内部进行加热。所述过渡空间7中设置有减容体11,用于减小可流进到过渡空间7中气体的体积。还包括有准备腔室12以及准备墙体13,所述准备墙体13上设置有准备阀14,所述准备腔室12位于腔体1的端部,用于对待加工的基片进行预处理,所述准备腔室12通过准备阀14与镀膜空间2连通或隔绝,所述准备腔室12中设置有第三抽真空组件15,所述准备腔室12中还设置有第二加热结构,用于对位于准备腔室12中的基片进行加热。所述镀膜空间2中还设置有连接体16以及驱动体17,所述驱动体17与连接体16连接并用于驱动连接体16活动,所述靶材3与连接体16连接,所述连接体16用于带动靶材3活动并使得敲击探头4可作用于靶材3的不同部位。其中,所述靶材3与连接体16均为圆环形结构,所述驱动体17驱动连接体16以及靶材3做圆环形转动,所述敲击探头4作用于靶材3的圆环形结构上。还包括有设置于所述连接体16上的冷却水管18,用于通入冷却水对连接体16进行降温,所述冷却水管18为圆环形结构,且冷却水管18贴合于连接体16的侧部,所述冷却水的流动方向与连本文档来自技高网...
一种真空镀膜设备

【技术保护点】
一种真空镀膜设备,其特征在于,包括腔体(1),所述腔体(1)包括有若干个首尾相连的镀膜空间(2),每个所述镀膜空间(2)中均设置有靶材(3)、敲击探头(4)、基板(5)以及第一抽真空组件(6),位于相邻两个所述镀膜空间(2)之间均设置有过渡空间(7),过渡空间(7)的容积小于任一镀膜空间(2)的容积,所述过渡空间(7)的两侧均设置有过渡墙(8),所述过渡墙(8)上均设置有过渡阀(9),所述过渡空间(7)通过所述过渡阀(9)可选择与位于该过渡空间(7)两侧的镀膜空间(2)连通或隔绝,每个所述过渡空间(7)中均设置有第二抽真空组件(10)。

【技术特征摘要】
1.一种真空镀膜设备,其特征在于,包括腔体(1),所述腔体(1)包括有若干个首尾相连的镀膜空间(2),每个所述镀膜空间(2)中均设置有靶材(3)、敲击探头(4)、基板(5)以及第一抽真空组件(6),位于相邻两个所述镀膜空间(2)之间均设置有过渡空间(7),过渡空间(7)的容积小于任一镀膜空间(2)的容积,所述过渡空间(7)的两侧均设置有过渡墙(8),所述过渡墙(8)上均设置有过渡阀(9),所述过渡空间(7)通过所述过渡阀(9)可选择与位于该过渡空间(7)两侧的镀膜空间(2)连通或隔绝,每个所述过渡空间(7)中均设置有第二抽真空组件(10)。2.根据权利要求1所述的一种真空镀膜设备,其特征在于,所述过渡空间(7)中设置有第一加热结构,用于对过渡空间(7)内部进行加热。3.根据权利要求1或2所述的一种真空镀膜设备,其特征在于,所述过渡空间(7)中设置有减容体(11),用于减小可流进到过渡空间(7)中气体的体积。4.根据权利要求3所述的一种真空镀膜设备,其特征在于,还包括有准备腔室(12)以及准备墙体(13),所述准备墙体(13)上设置有准备阀(14),所述准备腔室(12)位于腔体(1)的端部,用于对待加工的基片进行预处理,所述准备腔室(12)通过准备阀(14)与镀膜空间(2)连通或隔绝,所述准备腔室(12)中设置有第三抽真空组件(15)。5.根据权利要求4所述的一种真空镀膜...

【专利技术属性】
技术研发人员:张笑
申请(专利权)人:上海仟纳真空镀膜科技有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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