一种叠层OLED器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种叠层OLED器件，包括两个或者两个以上的发光单元，两相邻所述发光单元之间设有连接层，所述连接层由n型层和p型层构成，至少一所述连接层的所述n型层与所述p型层之间的厚度差小于等于10nm，且所述n型层与所述p型层之间的折射率差值大于等于0且小于等于0.3。本实施例提高的叠层OLED器件通过将连接层设置为n型层与p型层之间的厚度差小于等于10nm，使连接层产生的电子空穴对分离后的传输更平衡；同时，通过设置n型层与p型层之间的折射率差值大于等于0且小于等于0.3，使光在n型层与p型层界面的反射降低，以减少光损失，从而使叠层OLED器件取得了电学和光学上的平衡，有效的提高了发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种叠层OLED器件
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种叠层OLED器件。
技术介绍
在OLED(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)器件中，如果仅采用单层器件，要达到较高的亮度，会由于驱动电流过大而引起热量激增，影响器件的性能和寿命。日本山形大学的Kido教授首次提出了串联式OLED的概念，设想利用透明的连接层，将多个发光器件串联起来。叠层OLED器件就是将两个以上发光单元通过电荷生成层(连接层)串联在一起，从而可以提高电流效率，延长器件寿命，满足照明使用的亮度等。相关技术中，常用n型层/p型层结构作为发光单元之间的连接层，以提高发光器件的性能和稳定性，并采用控制连接层的厚度的方式，将连接层作为光程控制层来提高叠层器件的发光效率，但是，连接层的n型层和p型层之间的厚度以及折射率，对优化光程和减少光损失的效果有着很大的影响，因此，如何使电学和光学之间取得平衡，从而获得高发光效率的叠层OLED器件是设计的关键所在。因此，有必要提供一种新的叠层OLED器件以解决上述问题。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提出一种叠层OLED器件，解决现有的叠层OLED器件的连接层作为光程控制层时，因n型层与p型层的厚度和折射率，无法取得电学和光学之间的平衡而导致发光效率低的问题。本技术实施例提供一种叠层OLED器件，包括两个或者两个以上的发光单元，两相邻所述发光单元之间设有连接层，所述连接层由n型层和p型层构成，至少一所述连接层的所述n型层与所述p型层之间的厚度差小于等于10nm，且所述n型层与所述p型层之间的折射率差值大于等于0且小于等于0.3。进一步地，所述叠层OLED器件包括三个所述发光单元，三个所述发光单元为依次叠设的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，所述第二发光单元为黄光发光单元，所述第二发光单元和所述第三发光单元之间的所述连接层的所述n型层与所述p型层之间的厚度差小于等于10nm，且所述n型层与所述p型层之间的折射率差值大于等于0且小于等于0.3。进一步地，所述n型层的厚度大于所述p型层的厚度、所述p型层的厚度大于所述n型层的厚度或者所述n型层的厚度等于所述p型层的厚度。进一步地，所述连接层的厚度为20～150nm。进一步地，所述n型层和所述p型层的厚度均为40nm。进一步地，所述n型层的折射率大于所述p型层的折射率或者所述p型层的折射率大于所述n型层的折射率。进一步地，所述n型层的折射率为1.8，所述p型层的折射率为1.7。进一步地，所述叠层OLED器件还包括分别位于其两端的阳极和阴极，所述第一发光单元包括设于依次叠层于所述阳极上的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层及第一电子传输层，所述第二发光单元包括依次层叠的第二空穴传输层、第二发光层及第二电子传输层，所述第二空穴传输层设于靠近所述第一发光单元的一侧，所述第三发光单元包括依次层叠的第三空穴传输层、第三发光层及第三电子传输层，所述第三空穴传输层设于靠近所述第二发光单元的一侧，所述连接层分别设于所述第一电子传输层和所述第二空穴传输层之间、以及所述第二电子传输层和所述第三空穴传输层之间。进一步地，所述第一发光单元还包括叠设于所述第一空穴传输层上的电子阻挡层、叠设于所述第一发光层上的空穴阻挡层及叠设于所述第一电子传输层上的电子注入层。本技术实施例提供的叠层OLED器件通过将连接层设置为n型层与p型层之间的厚度差小于等于10nm，使连接层产生的电子空穴对分离后的传输更平衡；同时，通过设置n型层与p型层之间的折射率差值大于等于0且小于等于0.3，使光在n型层与p型层界面的反射降低，以减少光损失，从而使叠层OLED器件取得了电学和光学上的平衡，有效的提高了发光效率。附图说明图1为本技术提供的一实施例的叠层OLED器件的结构示意图；图2为图1所示的叠层OLED器件的结构示意图；图3为一种叠层OLED器件的光谱曲线图；图4为图1所示的叠层OLED器件的光谱曲线图。具体实施方式在本技术的描述中，需要理解的是，术语中“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”、“相连”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术的具体含义。此外，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”、“若干”的含义是两个或两个以上。请参阅图1，为本技术提供的一实施例的叠层OLED器件的结构示意图。本实施例提供的叠层OLED器件100包括阳极10、阴极30、设于阳极10和阴极30之间的两个或者两个以上的发光单元50及设于两相邻发光单元之间的连接层70，其中，连接层70不仅其连接作用，还作为光程控制层。具体的，在本实施例中，阳极10的材料为铟锡金属氧化物(IndiumTinOxides，ITO)，阴极30的材料为铝(Al)。请参阅图2，为图1所示的叠层OLED器件的结构示意图。在本实施例中，发光单元50为三个，分别为依次叠设的第一发光单元51、第二发光单元53和第三发光单元55。当然，发光单元50也可以为两个，连接层70夹设在两个发光单元50之间。发光单元50还可以为三个以上的多个，比如四个或者五个，但是，需要提出的是，随着发光单元50层数的增加，其驱动电压也会呈线性增加，且制作工艺难度也会相应的增加。第一发光单元51包括依次层叠设于叠层OLED器件100的阳极10上的第一空穴注入层511、第一空穴传输层513、第一发光层515及第一电子传输层517。具体的，第一发光层515为蓝光发光层。第二发光单元53包括依次层叠的第二空穴传输层531、第二发光层533及第二电子传输层535，其中，第二空穴传输层531设于靠近第一发光单元51的一侧，具体的，第二发光层533为黄光发光层。第三发光单元55包括依次层叠的第三空穴传输层551、第三发光层553及第三电子传输层555，其中，第三空穴传输层551设于靠近第二发光单元53的一侧，第三电子传输层555上设有阴极30。具体的，第三发光层553为蓝光发光层。当然，第一发光单元51、第二发光单元53以及第三发光单元55均还可包括电子阻挡层、空穴阻挡层及电子注入层。具体以第一发光单元51为例进行说明，第一发光单元51还包括第一电子阻挡层、第一空穴阻挡层及第一电子注入层，第一电子阻挡层叠设于第一空穴传输层513上，第一空穴阻挡层叠设于第一发光层515上，第一电子注入层叠设于第一电子传输层517上。第二发光单元53和第三发光单元55依次叠设于第一发光单元51上，连接层70分别夹设于第一发光单元51和第二发光单元53、以及第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层OLED器件(100)，包括两个或者两个以上的发光单元(50)，两相邻所述发光单元(50)之间设有连接层(70)，所述连接层(70)由n型层(71)和p型层(73)构成，其特征在于，至少一个所述连接层(70)的所述n型层(71)与所述p型层(73)之间的厚度差小于等于10nm，且所述n型层(71)与所述p型层(73)之间的折射率差值大于等于0且小于等于0.3。

【技术特征摘要】
1.一种叠层OLED器件(100)，包括两个或者两个以上的发光单元(50)，两相邻所述发光单元(50)之间设有连接层(70)，所述连接层(70)由n型层(71)和p型层(73)构成，其特征在于，至少一个所述连接层(70)的所述n型层(71)与所述p型层(73)之间的厚度差小于等于10nm，且所述n型层(71)与所述p型层(73)之间的折射率差值大于等于0且小于等于0.3。2.如权利要求1所述的叠层OLED器件(100)，其特征在于，所述叠层OLED器件(100)包括三个所述发光单元(50)，三个所述发光单元(50)为依次叠设的第一发光单元(51)、第二发光单元(53)和第三发光单元(55)，所述第二发光单元(53)为黄光发光单元，所述第二发光单元(53)和所述第三发光单元(55)之间的所述连接层(70)的所述n型层(71)与所述p型层(73)之间的厚度差小于等于10nm，且所述n型层(71)与所述p型层(73)之间的折射率差值大于等于0且小于等于0.3。3.如权利要求1所述的叠层OLED器件(100)，其特征在于，所述n型层(71)的厚度大于所述p型层(73)的厚度、或者所述p型层(73)的厚度大于所述n型层(71)的厚度或者所述n型层(71)的厚度等于所述p型层(73)的厚度。4.如权利要求1所述的叠层OLED器件(100)，其特征在于，所述连接层(70)的厚度为20～150nm。5.如权利要求1所述的叠层OLED器件(100)，其特征在于，所述n型层(71)和所述p型层(73)的厚度均为40nm。6.如权利要求1所述的叠层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李梦真，周小康，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13