适用开关电源变换器原边嵌位的电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电子技术领域，公开了一种适用开关电源变换器原边嵌位的电路，包括：瞬态抑制二极管Dz、第一电阻R1、第三电阻R3和开关三极管Q1。瞬态抑制二极管Dz，用于适时检测变压器T1A漏感产生的反向震荡电压阀值；第一电阻R1，用于限制流入开关三极管Q1的g端的电流；第三电阻R3用于释放开关三极管Q1的电容电荷。可以有效抑制反激、正激变换器中由于变压器存在的漏感而在开关三极管Q1的VD端产生的反向冲击震荡电压。

【技术实现步骤摘要】
适用开关电源变换器原边嵌位的电路
本技术涉及电子
，特别涉及一种适用开关电源变换器原边嵌位的电路。
技术介绍
在开关电源变换器电路中，由于变压器存在漏感，开关三极管(例如，场效应晶体管)的高频开关动作会引起漏感，反向冲击震荡电压，容易击穿场效应晶体管。在现有技术中，一般的嵌位方案，都是采用如图1所示的电路，抑制震荡效果一般，或者不加任何措施，容易导致开关三极管因过压损坏。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种适用开关电源变换器原边嵌位的电路，用于抑制反激、正激变换器中由于变压器存在的漏感而在开关管Q1的VD端产生的反向冲击震荡电压。为解决上述技术问题，本技术的实施方式公开了一种适用开关电源变换器原边嵌位的电路，其特征在于，包括：瞬态抑制二极管Dz、第一电阻R1、第三电阻R3和开关三极管Q1；所述瞬态抑制二极管Dz的负极与变压器原边的第二端连接，所述变压器T1A原边的第一端连接输入电压，所述瞬态抑制二极管Dz的正极与所述第一电阻R1的第一端连接，所述第一电阻R1的第二端与所述第三电阻R3的第一端连接，所述第三电阻R3的第二端接地；所述开关三极管Q1的第一节点与所述第一电阻R1的第二端连接，所述开关三极管Q1的第二节点与所述瞬态抑制二极管Dz的负极连接，所述开关三极管Q1的第三节点接地。在另一优选例中，所述适用开关电源变换器原边嵌位的电路，还包括：第二电阻R2；所述第二电阻R2的第一端与所述第一电阻R1的第二端连接，所述第二电阻R2的第二端连接控制信号。在另一优选例中，所述开关三极管Q1为N沟道型MOS管；所述开关三极管Q1的第一节点为所述N沟道型MOS管的栅极，所述开关三极管Q1的第二节点为所述N沟道型MOS管的漏极，所述开关三极管Q1的第三节点为所述N沟道型MOS管的源极。在另一优选例中，所述开关三极管Q1为PNP型的IGBT；所述开关三极管Q1的第一节点为所述PNP型的IGBT的基极，所述开关三极管Q1的第二节点为所述PNP型的IGBT的集电极，所述开关三极管Q1的第三节点为所述PNP型的IGBT的发射极。应理解，在本技术范围内中，本技术的上述各技术特征，各技术特征之间都可以互相组合，从而构成新的或优选的技术方案。限于篇幅，在此不再一一赘述。本技术实施方式与现有技术相比，主要区别及其效果在于：通过瞬态抑制二极管Dz检测变压器漏感产生的震荡电压阀值，适时地开通开关三极管Q1来消减变压器漏感产生的震荡电压幅值，可以有效减小变压器漏感引起的震荡电压幅值，避免开关三极管Q1因过压损坏。附图说明图1是现有技术中一种适用开关电源原边嵌位的电路示意图；图2是本技术的实施方式中一种适用开关电源变换器原边嵌位的电路示意图；图3是本技术的实施方式中一种适用开关电源变换器原边嵌位的电路的抑制震荡效果图。具体实施方式在以下的叙述中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，本领域的普通技术人员可以理解，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术的实施方式作进一步地详细描述。本技术的实施方式涉及一种该适用开关电源变换器原边嵌位的电路，图2是该适用开关电源变换器原边嵌位的电路示意图。首先，需要说明的是，原边就是指变压器输入电压的那一侧，副边就是指变压器输出电压的那一侧。具体地说，如图2所示，该适用开关电源变换器原边嵌位的电路包括：瞬态抑制二极管Dz、第一电阻R1、第三电阻R3和开关三极管Q1；瞬态抑制二极管Dz的负极与变压器T1A原边的第二端连接，变压器T1A原边的第一端连接输入电压Vin，瞬态抑制二极管Dz的正极与第一电阻R1的第一端连接，第一电阻R1的第二端与第三电阻R3的第一端连接，第三电阻R3的第二端接地；开关三极管Q1的第一节点与第一电阻R1的第二端连接，开关三极管Q1的第二节点与瞬态抑制二极管Dz的负极连接，开关三极管Q1的第三节点接地。在本实施方式中，优选地，该适用开关电源变换器原边嵌位的电路还包括：第二电阻R2。该第二电阻R2的第一端与第一电阻R1的第二端连接，第二电阻R2的第二端连接控制信号PWM。进一步地，在本实施方式中，优选地，开关三极管Q1为N沟道型MOS管。开关三极管Q1的第一节点为N沟道型MOS管的栅极g，开关三极管Q1的第二节点为N沟道型MOS管的漏极d，开关三极管Q1的第三节点为N沟道型MOS管的源极s。在本技术的另一种优选的实施方式中，开关三极管Q1也可以为PNP型的IGBT。此时，开关三极管Q1的第一节点为PNP型的IGBT的基极，开关三极管Q1的第二节点为PNP型的IGBT的集电极，开关三极管Q1的第三节点为PNP型的IGBT的发射极。需要说明的是，在图2所示的电路中，开关三极管Q1即为N沟道型MOS管(也称为：场效应晶体管)。在以下的描述中，均以开关三极管Q1为N沟道型MOS管为例进行说明。如图2所示，瞬态抑制二极管Dz，用于适时检测变压器T1A漏感产生的反向震荡电压阀值；第一电阻R1，用于限制流入场效应晶体管Q1的g端的电流；第三电阻R3用于释放场效应管Q1的电容电荷。具体地说，瞬态抑制二极管Dz可以自动监控开关管Q1的VD端电压值。当VD电压值达到瞬态抑制二极管Dz的阀值时，瞬态抑制二极管Dz导通。当瞬态抑制二极管Dz导通后，电流通过电阻R1流入低场效应晶体管Q1的g端，使得场效应晶体管Q1进入饱和工作区或者变电阻工作区。场效应晶体管Q1进入饱和工作区或者变电阻工作区，从而会抑制掉变压器漏T1A感产生的震荡电压。换句话说，该适用开关电源变换器原边嵌位的电路，通过控制场效应晶体管Q1的关闭状态，来消除场效应管Q1硬关闭产生的漏感震荡电压。在图2所示的电路中，Vd＝Vz+Vg，其中，Vd是开关管Q1的VD端电压值，Vz是瞬态抑制二极管Dz两端的电压值，Vg是开关管Q1的g端的电压值，第一电阻R1两端的电压忽略。综上所述，本技术的该适用开关电源变换器原边嵌位的电路，通过瞬态抑制二极管Dz检测变压器T1A漏感产生的震荡电压阀值，通过适时地开通场效应管Q1来消减变压器T1A漏感产生的震荡电压幅值。可以减小变压器T1A漏感引起的震荡电压幅值，避免场效应晶体管Q1因过压损坏。本技术的该适用开关电源变换器原边嵌位的电路，其抑制变压器T1A漏感引起的震荡电压幅值的效果如图3所示，其中虚线所示的曲线表示的是未采用嵌位措施时的震荡电压的曲线图；实线所示的曲线表示的是采用如图2所示的该适用开关电源变换器原边嵌位的电路后的震荡电压的曲线图。可以看出，在采用了该适用开关电源变换器原边嵌位的电路后，抑制震荡的效果非常显著，可以更好地保护开关管Q1避免因过压而损坏。需要说明的是，本技术实施方式中提到的各模块都是逻辑模块，在物理上，一个逻辑模块可以是一个物理模块，也可以是一个物理模块的一部分，还可以以多个物理模块的组合实现，这些逻辑模块本身的物理实现方式并不是最重要的，这些逻辑模块所实现的功能的组合才是解决本技术所提出的技术问题的关键。此外，为了突出本技术的创新部分，本技术上述各设备实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用开关电源变换器原边嵌位的电路，其特征在于，包括：瞬态抑制二极管Dz、第一电阻R1、第三电阻R3和开关三极管Q1；所述瞬态抑制二极管Dz的负极与变压器T1A原边的第二端连接，所述变压器T1A原边的第一端连接输入电压，所述瞬态抑制二极管Dz的正极与所述第一电阻R1的第一端连接，所述第一电阻R1的第二端与所述第三电阻R3的第一端连接，所述第三电阻R3的第二端接地；所述开关三极管Q1的第一节点与所述第一电阻R1的第二端连接，所述开关三极管Q1的第二节点与所述瞬态抑制二极管Dz的负极连接，所述开关三极管Q1的第三节点接地。

【技术特征摘要】
1.一种适用开关电源变换器原边嵌位的电路，其特征在于，包括：瞬态抑制二极管Dz、第一电阻R1、第三电阻R3和开关三极管Q1；所述瞬态抑制二极管Dz的负极与变压器T1A原边的第二端连接，所述变压器T1A原边的第一端连接输入电压，所述瞬态抑制二极管Dz的正极与所述第一电阻R1的第一端连接，所述第一电阻R1的第二端与所述第三电阻R3的第一端连接，所述第三电阻R3的第二端接地；所述开关三极管Q1的第一节点与所述第一电阻R1的第二端连接，所述开关三极管Q1的第二节点与所述瞬态抑制二极管Dz的负极连接，所述开关三极管Q1的第三节点接地。2.根据权利要求1所述的适用开关电源变换器原边嵌位的电路，其特征在于，还包括：第二电阻R2；所述第二电阻R2的第一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：王艾青，
申请(专利权)人：上海蓝伯科电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31