化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法技术

本发明专利技术属于功能材料制备技术领域，具体涉及一种化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法。基材预处理，化学镀铜液的配制，对氧化硅粉末实施化学镀铜，即得。本发明专利技术的技术方案具有镀铜工艺简便、涂覆速度快、涂层厚度均匀、与基底结合良好、涂层表面光洁度高等优点；所用镀铜液配方不含任何有毒有害物质，施镀过程中也不排放有害物质。

Preparation of silicon oxide powder conductive filler by electroless copper plating

The invention belongs to the technical field of preparation of functional materials, in particular to a method for preparing silicon oxide powder conductive filler by electroless copper plating. The pretreatment of substrate, the preparation of electroless copper plating solution, and the electroless copper plating on silicon oxide powder are obtained. The technical scheme of the invention has the advantages of simple copper plating process, fast coating speed, uniform coating thickness, good bonding with the substrate, high finish of the coating surface, and no toxic and harmful substances in the copper plating solution, and no harmful substances are discharged during the plating process.

【技术实现步骤摘要】
化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法
本专利技术属于功能材料制备
，具体涉及一种化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法。
技术介绍
导电填料是各种防静电材料及电磁屏蔽材料的主要原料。铝粉、铜粉具有良好的导电性能，但抗氧化能力差，导电性能不稳定；银粉、镍粉导电性能良好，但价格昂贵，成本高。以上几种粉末均不适宜单独用作导电填料。用于氧化硅粉末表面化学镀铜的报道不多见，多数是在陶瓷块体表面进行化学镀铜；专利CN106544653A“一种SiC粉末表面化学镀铜方法”中所用SiC粉末一般为绿色或黑色，化学镀铜制得的导电填料颜色较深，适用范围有一定的局限性；而且价格相对较贵、成本高。氧化硅粉末具有白度好、耐高温、热膨胀系数小、压电效应、耐腐蚀和柔软性；高温下强度保持率高、抗热震性、化学稳定性、透光性及电绝缘性好等优点；而且价格低廉。可通过在其表面化学镀一层金属铜的方法制得成本低、浅色的复合型导电填料，导电性能良好，既可用作电磁屏蔽材料，也可用作导电涂料用填料，用途广泛。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法，具有镀铜工艺简便、涂覆速度快、涂层厚度均匀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法，其特征在于步骤如下：(1)基材预处理：①粗化处理：将氧化硅粉末放入粗化液中搅拌，粗化后过滤，用去离子水清洗至PH值为6.0‑8.0；②敏化活化处理：将上述粗化处理后的氧化硅粉末放入敏化活化液中，加热敏化活化液，间歇搅拌，然后过滤，用去离子水清洗至中性，烘干待用；(2)化学镀铜液的配制：用去离子水将CuSO4·5H2O配制成浓度为15‑30g/L的溶液，然后用氢氧化钠溶液调节CuSO4·5H2O溶液的PH值至12‑14；用去离子水将酒石酸钾钠、甲醛和乙二胺四乙酸二钠配制成混合溶液；将上述CuSO4·5H2O溶液一边搅拌，一边加入到酒石酸钾钠、甲醛和乙二...

【技术特征摘要】
1.一种化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法，其特征在于步骤如下：(1)基材预处理：①粗化处理：将氧化硅粉末放入粗化液中搅拌，粗化后过滤，用去离子水清洗至PH值为6.0-8.0；②敏化活化处理：将上述粗化处理后的氧化硅粉末放入敏化活化液中，加热敏化活化液，间歇搅拌，然后过滤，用去离子水清洗至中性，烘干待用；(2)化学镀铜液的配制：用去离子水将CuSO4·5H2O配制成浓度为15-30g/L的溶液，然后用氢氧化钠溶液调节CuSO4·5H2O溶液的PH值至12-14；用去离子水将酒石酸钾钠、甲醛和乙二胺四乙酸二钠配制成混合溶液；将上述CuSO4·5H2O溶液一边搅拌，一边加入到酒石酸钾钠、甲醛和乙二胺四乙酸二钠配制成的混合溶液中，同时用氢氧化钠溶液调节混合溶液的PH值保持在12-14后，获得澄清、无沉淀的化学镀铜液；(3)对氧化硅粉末实施化学镀铜：将上述化学镀铜液和敏化活化处理后的氧化硅粉末预热，然后将预热后的氧化硅粉末在搅拌状态下加入化学镀铜液中进行镀铜，即得。2.根据权利要求1所述的化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法，其特征在于步骤(1)中所述的粗化液为氢氟酸溶液。3.根据权利要求1所述的化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法，其特征在于步骤(1)中所述的粗化处理中搅拌温度为40-50℃，搅拌时...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁国梁，乔栓虎，潘绍云，
申请(专利权)人：山东电盾科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37