显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种包含黑矩阵的显示装置，其通过包括基板、设置在所述基板的像素区域上的像素电极、公共电极、非像素区域中的薄膜晶体管、包含栅极线和数据线的布线部分以及设置在所述基板的至少一部分的非像素区域上的所述黑矩阵而能够有效地控制非像素区域中的眩光现象。

display device

The present invention relates to a display device including a black matrix, which includes a pixel electrode, a common electrode, a thin film transistor in a non pixel region, a wiring portion containing a gate line and a data line, and a non pixel area set on at least part of the base plate by a substrate, a pixel electrode set on the pixel area of the base plate, a thin film transistor in a non pixel region. The black matrix can effectively control glare in the non pixel area.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置
本申请要求于2015年10月6日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0140574的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。本专利技术涉及一种显示装置。
技术介绍
通常，为了提高对比度，在滤色器的彩色像素之间设置被称为黑矩阵的格型黑色图案。在已知的黑矩阵中，使用通过在整个玻璃基板上沉积作为颜料的铬(Cr)并蚀刻玻璃基板来形成图案的方法，但是在工艺中需要高成本，并且存在铬高反射率的问题以及由于铬废液而引起的环境污染问题。由于这个原因，已经积极地进行了可精细加工的黑矩阵的研究，并且已经进行了用于制备作为除碳黑以外的着色颜料的黑色组合物的研究，但是除碳黑以外的所述着色颜料遮光性弱，使得所混合的着色颜料的量需要极大增加，并因此存在组合物的粘度增大的问题，使得难以处理着色颜料，或所形成的层的强度或对基板的粘附性显著降低。此外，随着显示装置的屏幕尺寸增加，亮度方面出现问题，从而采用更亮的背光。与已知的黑矩阵相比，由于背光的亮度增加，因此要求黑矩阵具有更高的遮光性。
技术实现思路
技术问题本说明书涉及一种包括黑矩阵(blackmatrix)的显示装置，其能够有效地控制非像素区域中的眩光现象。技术方案本说明书的示例性实施例提供了一种显示装置，其包括：基板，包括像素区域和非像素区域；黑矩阵，设置在所述基板的所述非像素区域的至少一部分中；以及设置在所述基板的所述像素区域中的像素电极和与所述像素电极对应的公共电极，其中，通过多条栅极线和多条数据线来划分所述像素区域，所述多条栅极线和所述多条数据线设置在所述基板上同时彼此交叉，所述非像素区域包括包含薄膜晶体管以及所述栅极线和所述数据线的布线单元，并且所述黑矩阵满足以下公式1的0.004以上且0.22以下的值。[公式1]在公式1中，k表示所述黑矩阵的消光系数，t表示所述黑矩阵的厚度，λ表示光的波长。有益效果根据本说明书的显示装置，可以通过控制非像素区域中的布线单元的光反射率来实现具有高图像质量的显示器。附图说明图1示出了本说明书的一个像素区域的示例；图2示出了根据本说明书的示例性实施例的液晶显示装置的横截面；图3示出了根据本说明书的示例性实施例的液晶显示装置的横截面；图4示出了根据本说明书的示例性实施例的液晶显示装置的横截面；图5示出了根据本说明书的示例性实施例的有机发光显示装置的横截面；图6示出了根据本说明书的示例性实施例的有机发光显示装置的横截面；图7是表示实例1的光反射减少层中的n和k的值根据波长而变化的曲线图；图8是表示比较例1的MoTi层中的n和k的值根据波长而变化的曲线图；图9表示实例1和比较例1的反射率的比较；图10表示实例13的反射率；图11表示实例14的反射率；图12和13表示由实例15中制造的结构实现的反射率和光学常数的值。<附图标记>101a,101b：栅极线201,201a,201b：数据线301：薄膜晶体管310：栅极电极320：半导体层330：源极电极340：漏极电极401：基板510,520：滤色层550,560：有机材料层601：公共电极701：像素电极801：黑矩阵901：液晶取向层950：分隔壁1010,1020,1030,1040：绝缘层2000：非像素区域3000：像素区域具体实施方式在本说明书中，当描述特定部件位于另一部件“上”时，这包括在两个部件之间存在另一个部件的情况以及特定部件与另一部件接触的情况。在本说明书中，除非明确地相反描述，否则当描述特定部分“包括”特定构成元件时，这意味着可以进一步包括另一构成元件，而不排除另一构成元件。在下文中，将更详细地描述本说明书。在本说明书中，显示装置是泛指TV、计算机监测器等的术语，并且包括形成图像的显示装置和支撑该显示装置的壳体。为了获得黑矩阵的性能以及使黑矩阵被精细地图案化以防止光反射、非像素区域中的漏光现象等，本专利技术人反复进行研究，并因此开发了以下将说明的显示装置。具体地，本专利技术人发现，当黑矩阵满足下面的公式1时，黑矩阵表现出优异的光反射减少性能，而且当通过使用金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物形成黑矩阵时，可以简化工艺并确保图案化的可靠性。本说明书的示例性实施例提供了一种显示装置，其包括：基板，包括像素区域和非像素区域；黑矩阵，设置在所述基板的所述非像素区域的至少一部分中；以及设置在所述基板的所述像素区域中的像素电极和与所述像素电极对应的公共电极，其中，通过多条栅极线和多条数据线来划分所述像素区域，所述多条栅极线和所述多条数据线在彼此交叉的同时设置在所述基板上，所述非像素区域包括包含薄膜晶体管以及所述栅极线和所述数据线的布线单元，并且所述黑矩阵满足以下公式1的0.004以上且0.22以下的值。[公式1]在公式1中，k表示所述黑矩阵的消光系数，t表示所述黑矩阵的厚度，λ表示光的波长。所述黑矩阵可以设置在显示装置的发光表面层上，并且可以用来防止光从设置在非像素区域中的包括薄膜晶体管以及栅极线和数据线的布线单元的线电极的表面反射。当外部光入射到黑矩阵中时，存在从黑矩阵的表面反射的第一反射光，并且存在穿过黑矩阵并从黑矩阵的下部中的布线单元反射的第二反射光。图1示出了本说明书的一个像素区域的示例。具体地，图1以斜线区域表示由设置在基板上的多条栅极线101a和101b以及多条数据线201a和201b划分的像素区域。此外，电连接到栅极线101b和数据线201a的薄膜晶体管301设置在像素区域内以控制每个像素区域的电信号。黑矩阵可以通过第一反射光和第二反射光之间的相消干涉来减少光反射率。本专利技术人发现，当在非像素区域中设置满足公式1的0.004以上且0.22以下的值的黑矩阵时，可以通过经相消干涉而显著降低由黑矩阵下的布线单元的引起的光反射率来实现显示器的高分辨率。特别地，第一反射光和第二反射光具有180°的相位差并因此相消干涉的条件由下面的公式2示出。[公式2]在公式2中，t表示黑矩阵的厚度，λ表示光的波长，n表示黑矩阵的折射率，并且N表示预定的奇数，例如1、3和5。通过下面的公式3可以获得在相消干涉条件下的第一反射率。[公式3]在公式3中，n表示黑矩阵的折射率，k表示黑矩阵的消光系数。此外，可以通过下面的公式4获得在相消干涉条件下的第二反射率。[公式4]在公式4中，Rmetal表示在黑矩阵下的布线单元的布线电极的表面的反射率，R1表示黑矩阵的第一反射率，I0表示入射光的强度，n表示黑矩阵的折射率，k表示黑矩阵的消光系数，N表示预定的奇数，例如1、3和5。根据本说明书的示例性实施例，第一反射率与第二反射率之差的绝对值可以是0.13以上且0.42以下。根据本说明书的示例性实施例，λ可以是550nm。也就是说，光可以具有550nm的波长。根据本说明书的示例性实施例，显示装置可以进一步包括在与黑矩阵的下部接触的同时设置的金属层。黑矩阵的下部可以表示被视为屏幕的表面的相反表面。根据本说明书的示例性实施例，金属层可以包括选自由Cu、Al、Mo、Ti、Ag、Ni、Mn、Au、Cr和Co组成的组中的一种或两种或更多种金属。根据本说明书的示例性实施例，金属层的厚度可以为10nm以上且1μm以下。当外部光入射到黑矩阵中时，存在从黑矩阵的表面反射的第一反射光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括：基板，包括像素区域和非像素区域；黑矩阵，设置在所述基板的所述非像素区域的至少一部分中；以及设置在所述基板的所述像素区域中的像素电极和与所述像素电极对应的公共电极，其中，通过多条栅极线和多条数据线来划分所述像素区域，所述多条栅极线和所述多条数据线设置在所述基板上同时彼此交叉，所述非像素区域包括布线单元，所述布线单元包括薄膜晶体管以及所述栅极线和所述数据线，并且所述黑矩阵满足以下公式1的0.004以上且0.22以下的值，[公式1]

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.06 KR 10-2015-01405741.一种显示装置，包括：基板，包括像素区域和非像素区域；黑矩阵，设置在所述基板的所述非像素区域的至少一部分中；以及设置在所述基板的所述像素区域中的像素电极和与所述像素电极对应的公共电极，其中，通过多条栅极线和多条数据线来划分所述像素区域，所述多条栅极线和所述多条数据线设置在所述基板上同时彼此交叉，所述非像素区域包括布线单元，所述布线单元包括薄膜晶体管以及所述栅极线和所述数据线，并且所述黑矩阵满足以下公式1的0.004以上且0.22以下的值，[公式1]在公式1中，k表示所述黑矩阵的消光系数，t表示所述黑矩阵的厚度，λ表示光的波长。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述黑矩阵的厚度为10nm以上且100nm以下。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述黑矩阵的消光系数k在波长为550nm的光下为0.1以上且2以下。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述黑矩阵的反射率n在波长为550nm的光下为2以上且3以下。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述黑矩阵的表面上的光反射率为40％...

【专利技术属性】
技术研发人员：李一翻，林振炯，金起焕，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国,KR