有机发光显示装置及其制造方法制造方法及图纸

公开了一种有机发光显示装置及其制造方法，该有机发光显示装置可包括：基板，该基板具有有源区和焊盘区；钝化层，该钝化层设置在所述基板的所述有源区上；阳极电极，该阳极电极设置在所述钝化层上；堤状物层，该堤状物层用于限定所述阳极电极上的像素区；有机发光层，该有机发光层设置在所述堤状物层上并且与所述阳极电极连接；阴极电极，该阴极电极设置在所述有机发光层上；以及辅助电极，该辅助电极与所述阴极电极电连接并且设置在所述钝化层下方，其中，在所述钝化层中设置用于暴露所述辅助电极的接触孔，以及所述阴极电极经由所述接触孔与所述下辅助电极的上表面接触。

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示装置及其制造方法
本专利技术的实施方式涉及有机发光显示装置，并且更具体地，涉及顶部发射型有机发光显示装置及其制造方法。
技术介绍
作为自发光显示装置的有机发光显示(OLED)装置具有低功耗、快速响应速度、高发射效率、高亮度和广视角的优点。根据从有机发光装置发射的光的方向，OLED装置可被主要分类为顶部发射型和底部发射型。在底部发射型的情况下，电路装置设置在发射层和图像显示表面之间，由此开口率会由于电路装置而降低。此外，在顶部发射型的情况下，电路装置没有设置在发射层和图像显示表面之间，由此开口率会提高。图1是相关技术的顶部发射型OLED装置的截面图。如图1中所示，在基板10上设置包括有源层11、栅绝缘膜12、栅极13、绝缘隔层14、源极15和漏极16的薄膜晶体管层(T)，然后，顺序地在薄膜晶体管层(T)上设置钝化层20和平整层30。另外，在平整层30上设置阳极电极40和辅助电极50。设置辅助电极50用于减小随后将说明的阴极电极80的电阻。在阳极电极40和辅助电极50上，设置堤状物60，以限定像素区。另外，在由堤状物60限定的像素区中设置有机发光层70，并且在有机发光层70上设置阴极电极80。在顶部发射型的情况下，从有机发光层70发射的光穿过阴极电极80。为此原因，阴极电极80由致使其中电阻增大的透明导电材料形成。为了减小阴极电极80中的电阻，将阴极电极80与辅助电极50连接。为了将阴极电极80与辅助电极50连接，辅助电极50的上表面没有被有机发光层70覆盖。也就是说，在形成有机发光层70的处理之后，辅助电极50的上表面暴露于外部，使得阴极电极80与辅助电极50的上表面连接。在相关技术的情况下，在辅助电极50的上表面上设置倒锥形隔板65，以防止辅助电极50的上表面被有机发光层70覆盖。由于倒锥形隔板65，在堤状物60和隔板65之间设置间隔空间。在这种情况下，倒锥形隔板65用作屋檐(eave)，使得有机发光层70没有沉积在间隔空间中。也就是说，通过使用具有优异平直度的沉积材料进行的沉积处理(例如，蒸发处理)来形成有机发光层70。如果隔板65在有机发光层70的沉积处理期间用作屋檐，则有机发光层70没有沉积在堤状物60和隔板65之间的间隔空间中。此外，可通过使用具有不良平直度的沉积材料进行的沉积处理(例如，溅射处理)来形成阴极电极80。因此，阴极电极80可沉积在堤状物60和隔板65之间的间隔空间中，由此阴极电极80和辅助电极50可彼此电连接。然而，不可避免地包括倒锥形部分65的相关技术的顶部发射型OLED装置会造成以下不足。应该执行PEB(曝光后烘烤)处理，以便将倒锥形部分65图案化。PEB处理非常复杂，使得难以得到所期望的倒锥形形状。如果倒锥形结构没有形成为所期望形状，则隔板65会垮塌或剥离。在这种情况下，难以将阴极电极80和辅助电极50彼此电连接。
技术实现思路
因此，本专利技术的实施方式涉及基本上消除了由于相关技术的限制和缺点导致的一个或更多个问题的顶部发射型有机发光显示装置及其制造方法。本专利技术的实施方式的一方面涉及提供了一种在没有形成倒锥形隔板的情况下促成阴极电极和辅助电极之间电连接的顶部发射型有机发光显示装置及其制造方法。因此，在不形成倒锥形隔板的情况下，扩大了顶部发光型有机发光显示装置的显示面积。本专利技术的额外优点和特征将在随后的描述中部分阐述，并且对于本领域的普通技术人员在阅读了下文后将部分变得显而易见，或者可以通过本专利技术的实践而得知。可通过书面描述及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得本专利技术的实施方式的目的和其它优点。为了实现这些和其它优点并且按照本专利技术的实施方式的目的，如本文中实施和广义描述的，提供了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置可包括：基板，该基板具有有源区和焊盘区；钝化层，该钝化层设置在所述基板的所述有源区上；阳极电极，该阳极电极设置在所述钝化层上；堤状物层，该堤状物层用于限定所述阳极电极上的像素区；有机发光层，该有机发光层设置在所述堤状物层上并且与所述阳极电极连接；阴极电极，该阴极电极设置在所述有机发光层上；以及辅助电极，该辅助电极与所述阴极电极电连接并且设置在所述钝化层下方，其中，在所述钝化层中设置用于暴露所述辅助电极的接触孔，并且所述阴极电极经由所述接触孔与所述辅助电极的上表面接触。在本专利技术的实施方式的另一个方面，提供了一种制造OLED装置的方法，该方法可包括：在基板上设置辅助电极，所述辅助电极包括下辅助电极和上辅助电极；在所述辅助电极上设置钝化层和平整层，其中，在所述钝化层和所述平整层中设置用于暴露所述辅助电极的接触孔；在所述平整层上设置阳极电极；在所述阳极电极上设置堤状物层；在所述堤状物层上设置有机发光层；以及在所述有机发光层上设置阴极电极，其中，使所述阴极电极经由所述接触孔与所述下辅助电极的上表面接触。要理解，对本专利技术的实施方式的以上总体描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，旨在对所声明的本专利技术提供进一步的说明。附图说明附图被包括进来以提供对本专利技术的实施方式的进一步理解，附图并入并构成本申请的部分，例示了本专利技术的实施方式并且与本说明书一起用来解释本专利技术的原理。在附图中：图1是相关技术的顶部发射型有机发光显示装置的截面图；图2是例示根据本专利技术的一个实施方式的有机发光显示装置的截面图；图3是例示根据本专利技术的一个实施方式的有机发光显示装置的平面图；以及图4A至图4G是例示根据本专利技术的一个实施方式的制造有机发光显示装置的方法的截面图。具体实施方式现在，将详细参照本专利技术的示例性实施方式，在附图中例示这些实施方式的示例。只要有可能，就将在附图中通篇使用相同的参考标号来表示相同或相似的部件。将通过参照附图描述的以下实施方式来阐明本专利技术的优点和特征及其实现方法。然而，本专利技术可以按照不同的方式来实施并且不应该被理解为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式，使得本公开将是彻底和完全的，并且将把本专利技术的范围充分传达给本领域的技术人员。另外，本专利技术仅由权利要求书的范围限定。附图中为了描述本公开的实施方式而公开的形状、大小、比率、角度和数量仅仅是示例，因此，本专利技术不限于所例示的细节。相似的参考标号始终是指相似的元件。在下面的描述中，当确定对相关已知功能或配置的详细描述不必要地模糊了本专利技术的要点时，将省略详细描述。在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅”，否则可添加另一个部分。单数形式的术语可包括复数形式，除非做相反表示。在理解元件时，元件被解释为包括误差区域，尽管没有进行明确的描述。在描述本专利技术的实施方式时，当结构被描述为形成在另一个结构的上部部分/下部部分处或其它结构的上方/下方时，该描述应该被理解为包括结构彼此接触的情况，此外包括第三结构设置在其间的情况。在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“之后”、“随后”、“接着”和“之前”时，可包括并不连续的情况，除非使用“正”或“正好”。应该理解，虽然在本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应该受这些术语限制。这些术语只是用于将一个元件与另一个区分开。例如，在不脱离本专利技术的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，并且类似地，第二元件可被称为第一元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示OLED装置，该OLED装置包括：基板，该基板具有有源区和焊盘区；钝化层，该钝化层设置在所述基板的所述有源区上；阳极电极，该阳极电极设置在所述钝化层上；堤状物层，该堤状物层用于限定所述阳极电极上的像素区；有机发光层，该有机发光层设置在所述堤状物层上并且与所述阳极电极连接；阴极电极，该阴极电极设置在所述有机发光层上；以及辅助电极，该辅助电极与所述阴极电极电连接并且设置在所述钝化层下方，其中，在所述钝化层中设置用于暴露所述辅助电极的接触孔，并且所述阴极电极经由所述接触孔与所述辅助电极的上表面接触。

【技术特征摘要】
2016.10.27 KR 10-2016-01412321.一种有机发光显示OLED装置，该OLED装置包括：基板，该基板具有有源区和焊盘区；钝化层，该钝化层设置在所述基板的所述有源区上；阳极电极，该阳极电极设置在所述钝化层上；堤状物层，该堤状物层用于限定所述阳极电极上的像素区；有机发光层，该有机发光层设置在所述堤状物层上并且与所述阳极电极连接；阴极电极，该阴极电极设置在所述有机发光层上；以及辅助电极，该辅助电极与所述阴极电极电连接并且设置在所述钝化层下方，其中，在所述钝化层中设置用于暴露所述辅助电极的接触孔，并且所述阴极电极经由所述接触孔与所述辅助电极的上表面接触。2.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述辅助电极包括下辅助电极和上辅助电极，并且，所述阴极电极经由所述接触孔与所述下辅助电极的上表面接触。3.根据权利要求2所述的OLED装置，其中，所述下辅助电极的延伸部分在所述接触孔的方向上比所述上辅助电极的延伸部分相对更长，并且所述阴极电极与所述下辅助电极的延伸部分的上表面接触。4.根据权利要求3所述的OLED装置，其中，在所述钝化层的一端下方制备没有设置所述上辅助电极的接触间隔，并且使延伸到所述接触间隔的所述阴极电极与所述下辅助电极的上表面接触。5.根据权利要求2所述的OLED装置，其中，所述下辅助电极由不能够被用于蚀刻所述阳极电极的蚀刻剂所蚀刻的材料形成，并且所述上辅助电极由能够被用于蚀刻所述阳极电极的蚀刻剂所蚀刻的材料形成。6.根据权利要求1所述的OLED装置，该OLED装置还包括位于所述钝化层和所述阳极电极之间的平整层，其中，所述平整层包括用于暴露所述辅助电极的一部分的附加接触孔。7.根据权利要求2所述的OLED装置，其中，所述堤状物层和所述有机发光层沿着所述接触孔内的所述钝化层的横向表面延伸，以及所述有机发光层与所述接触孔内的所述下辅助电极的上表面的一些区域接触。8.根据权利要求2所述的OLED装置，该OLED装置还包括薄膜晶体管TFT，所述薄膜晶体管TFT包括设置在所述阳极电极下方的源极和漏极以及在所述基板上的栅极，所述源极与所述阳极电极连接，其中，所述辅助电极与所述源极和所述漏极设置在同一层中，并且由与所述源极和所述漏极相同的材料形成。9.根据权利要求2所述的OLED装置，该OLED装置还包括低电压线VSS，所述低电压线VSS设置在所述辅助电极下方并且经由另一接触孔与所述辅助电极连接。10.根据权利要求9所述的OLED装置，该OLED装置还包括薄膜晶体管TFT以及遮光层，所述薄膜晶体管TFT包括设置在所述阳极电极下方的源极和漏极以及在所述基板上的栅极，所述遮光层包括设置在所述TFT下方的下遮光层和上遮光层，所述源极与所述阳极电极连接，其中，所述低电压线...

【专利技术属性】
技术研发人员：边宇中，郑汉奎，赵镛善，金成洙，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR