A laser welded sealed electronic device housing and related systems and methods are provided. The sealed shell comprises a first base material and a second base material, the first substrate has a first surface, and the second substrate has a face facing the first surface of the second surface. The sealed enclosure includes a depression formed in the first substrate. The concave face faces the second surface, so the second surface and the depression define the chamber. Laser welding bonded the first surface with the second surface, as well as laser welding around the chamber. The functional membrane is extended by at least one support of the first surface and the second surface, and the functional film extends from the chamber and passes through the laser welding. In the exemplary arrangement, the device is a OLED device, and the functional film forms a conductive wire connected with OLED.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电子器件的激光密封外壳本申请根据35U.S.C.§119,要求2015年08月24日提交的美国临时申请系列第62/208900号的优先权,本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。技术背景本公开一般地涉及密封电子器件外壳,更具体地,涉及用于电子器件(例如,有机LED(OLED))的气密密封的玻璃结构。通常来说,需要对OLED显示器进行气密密封以提供对于诸如水和氧气之类材料的阻隔。通常地,使用玻璃料密封将绕着OLED显示器中的每个OLED单元的两块基材以粘合剂方式粘结在一起。
技术实现思路
本公开的一个实施方式涉及激光焊接的密封电子器件外壳。外壳包括第一基材和第二基材,所述第一基材具有第一表面,以及所述第二基材具有面朝所述第一表面的第二表面。外壳包括形成在第一基材中的凹陷,以及凹陷面朝第二表面,从而第二表面和凹陷限定了室。外壳包括粘结了第一表面与第二表面的激光焊接,以及所述激光焊接围绕了所述室。外壳包括被第一表面与第二表面中的至少一个支撑的功能膜,以及所述功能膜从室延伸并穿过激光焊接。本公开的一个额外实施方式涉及密封的电子器件。器件包括第一玻璃基材和第二玻璃基材, ...
【技术保护点】
一种激光焊接密封的电子器件外壳,其包括:具有第一表面的第一基材;第二基材,其具有面朝所述第一表面的第二表面;形成在所述第一基材中的凹陷,其中,所述凹陷面朝所述第二表面,从而所述第二表面和所述凹陷限定了室;粘结了所述第一表面与所述第二表面的激光焊接,其中,所述激光焊接围绕了所述室;以及功能膜,其被所述第一表面与所述第二表面中的至少一个支撑,所述功能膜从所述室延伸并穿过所述激光焊接。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.24 US 62/208,9001.一种激光焊接密封的电子器件外壳,其包括:具有第一表面的第一基材;第二基材,其具有面朝所述第一表面的第二表面;形成在所述第一基材中的凹陷,其中,所述凹陷面朝所述第二表面,从而所述第二表面和所述凹陷限定了室;粘结了所述第一表面与所述第二表面的激光焊接,其中,所述激光焊接围绕了所述室;以及功能膜,其被所述第一表面与所述第二表面中的至少一个支撑,所述功能膜从所述室延伸并穿过所述激光焊接。2.如权利要求1所述的激光焊接密封的电子器件外壳,其特征在于,所述激光焊接在所述第一表面与所述第二表面之间并绕着所述功能膜形成气密密封。3.如权利要求2所述的激光焊接密封的电子器件外壳,其特征在于,从与一部分的所述第二基材接合在一起的一部分的所述第一基材形成所述气密密封,其中,所述气密密封完全围绕了所述室的周界。4.如权利要求3所述的激光焊接密封的电子器件外壳,其还包括:被所述第一表面和所述第二表面中的至少一个支撑并且围绕所述室的激光吸收膜,其中,所述激光焊接在所述激光吸收膜的位置处使得所述第一基材与所述第二基材粘结;其中,所述功能膜形成第一导线和第二导线,所述第一导线形成从所述室延伸且穿过所述激光焊接的传导路径,以及所述第二导线形成从所述室延伸且穿过所述激光焊接的传导路径,从而将第一和第二导线配置成向位于所述室内的装置传递电能。5.如权利要求4所述的激光焊接密封的电子器件外壳,其特征在于,所述激光吸收膜位于所述第一表面上,其中,所述第一导线和所述第二导线位于所述第二表面上,其中,所述第一导线和所述第二导线在第一和第二导线延伸穿过所述激光焊接的位置处分别具有与所述激光吸收膜接触的表面。6.如权利要求4所述的激光焊接的密封电子器件外壳,其特征在于,所述激光焊接的宽度是20-700μm,以及所述第一导线和所述第二导线的宽度分别是50μm至20mm。7.如权利要求6所述的激光焊接的密封电子器件外壳,其特征在于,所述第一导线和所述第二导线的厚度分别是20nm至1μm。8.如权利要求7所述的激光焊接的密封电子器件外壳,其特征在于,所述激光吸收膜的厚度小于1.5μm。9.如权利要求8所述的激光焊接的密封电子器件外壳,其特征在于,在所述凹陷的表面与所述第二表面之间测得的所述室的最大高度大于0.3μm且小于500μm,其中,所述激光吸收膜的厚度小于所述室的所述最大高度的20%,其中,第一和第二导线的厚度小于所述室的所述最大高度的20%。10.如权利要求4所述的激光焊接的密封电子器件外壳,其特征在于,第一和第二导线的材料的熔融温度大于第一和第二基材的软化点,从而在形成所述激光焊接之后,第一和第二导线的电阻率增加小于30%。11.如权利要求4所述的激光焊接的密封电子器件外壳,其特征在于,导线的材料的熔融温度大于700摄氏度。12.如权利要求11所述的激光焊接的密封电子器件外壳,其特征在于,第一和第二导线是由以下至少一种材料形成的:氧化铟锡、钼、银或铜;其中,所述激光吸收膜的厚度是0.2-1μm,且由以下至少一种材料形成的:Tg小于600摄氏度的低熔融玻璃(LMG)、ZnO、SnO、TiO2、Nb2O5和掺杂了过渡金属的玻璃膜。13.如权利要求4所述的激光焊接的密封电子器件外...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·L·洛谷诺夫,M·A·恰萨达,A·M·斯特列佐夫,
申请(专利权)人:康宁股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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