高方形比非晶纳米晶带材及铁芯的制作制造技术

本发明专利技术公开了一种高方形比非晶纳米晶带材及铁芯的制作。本发明专利技术的高方形比非晶纳米晶带材的组成结构式为：Ｆｅ－ｘＣｕ－ｙＶ－ｚＳｉ－Ｓｉ－ａＢ－ｂ。高方形比非晶纳米晶带材作成铁芯的制作，包括如下步骤：（１）按照高方形比非晶纳米晶带材的组成比例，将它们熔化；合金化后炼成母合金，然后二次熔化；通过速冷制成非晶带材，厚度为２０ｕｍ～３５ｕｍ；（２）把（１）步骤中的材料卷绕成环行铁芯，装入真空或气体保护的磁场退火炉内，加一定量的纵向磁场，按照退火工艺进行退火处理；出炉后进行磁性能测试：Ｂｒ／Ｂｓ≥０．９５。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于非晶制带
，更具体是涉及一种高方形比(Br /Bs)非晶纳米晶带材及铁芯的制作。
技术介绍
在非晶制带
中，有些产品(铁芯)对Br/Bs的特殊要 求，即要求Br/Bs^0.94，而目前常见的铁芯并不能达到这个要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术存在的缺陷，提供一种高方形比 (Br/Bs)非晶纳米晶带材，由本专利技术的非晶纳米晶带材制成的铁芯的 Br/Bs^O. 94。本专利技术的另一目的在于提供铁芯的制作过程。 为达到上述目的，本专利技术采取了如下的技术方案 高方形比(Br / Bs)非晶纳米晶带材，组成结构式为 Fe—xCu-yV-zS i-S i -aB-b;其中75<x<85; 0.6〈y〈1.5; 5〈Z〈8; 6〈a〈10; l<b〈l. 7。 铁芯的制作过程，包括如下步骤1.按照高方形比(Br / Bs)非晶纳米晶带材的组成比例，将它们熔 化；合金化后炼成母合金，然后二次熔化；通过速冷制成非晶带材(一 般厚度为20um 35um);2.把(1)步骤中的材料巻绕成环行铁芯，装入真空或气体保护 的磁场退火炉内，加一定量的纵向磁场，按照退火工艺进行退火处理；出炉后进行磁性能测试Br/Bs^0.95。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果 本专利技术所提供的高方形比(Br/Bs)非晶纳米晶带材制成的铁芯 的Br/Bs^0.95，可以满足某些特殊产品的需求。具体实施方式以下结合具体实施例来对本专利技术作进一步的描述，但本专利技术所要 求保护的范围并不局限于实施方式所要求之范围。 实施例l高方形比(Br / Bs)非晶纳米晶带材，组成结构式为 Fe-80Cu-l. OV-6Si-Si-8B-1. 5;其中75<x<85; 0.6〈y〈1.5; 5<Z〈8; 6〈a〈10; l<b<l. 7。铁芯的制作过程，包括如下步骤1. 按照高方形比(Br / Bs)非晶纳米晶带材的组成比例，将它们熔 化；合金化后炼成母合金,然后二次熔化；通过速冷制成非晶带材(一 般厚度为22um);2. 把(1)步骤中的材料巻绕成环行铁芯，装入真空或气体保护 的磁场退火炉内，加一定量的纵向磁场，按照退火工艺进行退火处理; 出炉后进行磁性能测试Br/Bs^0.95。实施例2高方形比(Br/Bs)非晶纳米晶带材，组成结构式为Fe-82Cu-1. 2V-7Si-Si-7B-1. 2;其中75<x〈85; 0.6〈y〈1.5; 5<Z<8; 6〈a〈10; l〈b<1.7。铁芯的制作过程，包括如下步骤1. 按照高方形比(Br / Bs)非晶纳米晶带材的组成比例，将它们熔 化；合金化后炼成母合金,然后二次熔化；通过速冷制成非晶带材(一 般厚度为28um);2. 把(1)步骤中的材料巻绕成环行铁芯，装入真空或气体保护 的磁场退火炉内，加一定量的纵向磁场，按照退火工艺进行退火处理； 出炉后进行磁性能测试Br/Bs^0.95。实施例3高方形比(Br / Bs)非晶纳米晶带材，组成结构式为 Fe-72Cu-0. 8V-6. 5Si-Si-犯-l. 2; 铁芯的制作过程，包括如下步骤1. 按照高方形比(Br/Bs)非晶纳米晶带材的组成比例，将它们熔 化；合金化后炼成母合金，然后二次熔化；通过速冷制成非晶带材(一 般厚度为34um);2. 把(1)步骤中的材料巻绕成环行铁芯，装入真空或气体保护 的磁场退火炉内，加一定量的纵向磁场，按照退火工艺进行退火处理； 出炉后进行磁性能测试Br/Bs^0.95。权利要求1.高方形比非晶纳米晶带材，其特征在于组成结构式为Fe-xCu-yV-zSi-Si-aB-b；其中75＜x＜85；0.6＜y＜1.5；5＜Z＜8；6＜a＜10；1＜b＜1.7。2. 权利要求1所述的高方形比非晶纳米晶带材作成铁芯的制作，其特征在于包括如下步骤(1) 按照高方形比非晶纳米晶带材的组成比例，将它们熔化；合 金化后炼成母合金，然后二次熔化；通过速冷制成非晶带材，厚度为 20um 35um;(2) 把(1)步骤中的材料巻绕成环行铁芯，装入真空或气体保 护的磁场退火炉内，加一定量的纵向磁场，按照退火工艺进行退火处 理；出炉后进行磁性能测试Br/Bs^0.95。全文摘要本专利技术公开了一种高方形比非晶纳米晶带材及铁芯的制作。本专利技术的高方形比非晶纳米晶带材的组成结构式为Fe-xCu-yV-zSi-Si-aB-b。高方形比非晶纳米晶带材作成铁芯的制作，包括如下步骤(1)按照高方形比非晶纳米晶带材的组成比例，将它们熔化；合金化后炼成母合金，然后二次熔化；通过速冷制成非晶带材，厚度为20um～35um；(2)把(1)步骤中的材料卷绕成环行铁芯，装入真空或气体保护的磁场退火炉内，加一定量的纵向磁场，按照退火工艺进行退火处理；出炉后进行磁性能测试Br/Bs≥0.95。文档编号C22C45/00GK101255536SQ20081002677公开日2008年9月3日 申请日期2008年3月13日 优先权日2008年3月13日专利技术者杨吉利 申请人:江苏波瑞电气有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
高方形比非晶纳米晶带材，其特征在于：组成结构式为：Ｆｅ－ｘＣｕ－ｙＶ－ｚＳｉ－Ｓｉ－ａＢ－ｂ；其中：７５＜ｘ＜８５；０．６＜ｙ＜１．５；５＜Ｚ＜８；６＜ａ＜１０；１＜ｂ＜１．７。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨吉利，
申请(专利权)人：江苏波瑞电气有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]