高方形比非晶纳米晶带材及铁芯的制作制造技术

本发明专利技术公开了一种高方形比非晶纳米晶带材及铁芯的制作。本发明专利技术的高方形比非晶纳米晶带材的组成结构式为：Ｆｅ－ｘＣｕ－ｙＶ－ｚＳｉ－Ｓｉ－ａＢ－ｂ。高方形比非晶纳米晶带材作成铁芯的制作，包括如下步骤：（１）按照高方形比非晶纳米晶带材的组成比例，将它们熔化；合金化后炼成母合金，然后二次熔化；通过速冷制成非晶带材，厚度为２０ｕｍ～３５ｕｍ；（２）把（１）步骤中的材料卷绕成环行铁芯，装入真空或气体保护的磁场退火炉内，加一定量的纵向磁场，按照退火工艺进行退火处理；出炉后进行磁性能测试：Ｂｒ／Ｂｓ≥０．９５。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于非晶制带
，更具体是涉及一种高方形比(Br /Bs)非晶纳米晶带材及铁芯的制作。
技术介绍
在非晶制带
中，有些产品(铁芯)对Br/Bs的特殊要 求，即要求Br/Bs^0.94，而目前常见的铁芯并不能达到这个要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术存在的缺陷，提供一种高方形比 (Br/Bs)非晶纳米晶带材，由本专利技术的非晶纳米晶带材制成的铁芯的 Br/Bs^O. 94。本专利技术的另一目的在于提供铁芯的制作过程。 为达到上述目的，本专利技术采取了如下的技术方案 高方形比(Br / Bs)非晶纳米晶带材，组成结构式为 Fe—xCu-yV-zS i-S i -aB-b;其中75<x<85; 0.6〈y〈1.5; 5〈Z〈8; 6〈a〈10; l<b〈l. 7。 铁芯的制作过程，包括如下步骤1.按照高方形比(Br / Bs)非晶纳米晶带材的组成比例，将它们熔 化；合金化后炼成母合金，然后二次熔化；通过速冷制成非晶带材(一 般厚度为20um 35um);2.把(1)步骤中的材料巻绕成环行铁芯，装入真空或气体保护 的磁场退火炉内，加一定本文档来自技高网...

【技术保护点】
高方形比非晶纳米晶带材，其特征在于：组成结构式为：Ｆｅ－ｘＣｕ－ｙＶ－ｚＳｉ－Ｓｉ－ａＢ－ｂ；其中：７５＜ｘ＜８５；０．６＜ｙ＜１．５；５＜Ｚ＜８；６＜ａ＜１０；１＜ｂ＜１．７。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨吉利，
申请(专利权)人：江苏波瑞电气有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]