粘合带制造技术

本发明专利技术提供一种粘合带，其为可用作切割带的粘合带，该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ小，对抗扩展、销顶起的应力在该带面内是均匀的。本发明专利技术的粘合带在基材的至少一个面上具备粘合剂层，该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ为2.0μm以下。

Adhesive tape

The invention provides an adhesive belt, which is an adhesive tape used as a cutting belt. The standard deviation of the thickness of the adhesive tape is small, and the stress against the expansion and the pin top is uniform in the belt. The adhesive belt of the invention has an adhesive layer on at least one surface of the substrate, and the standard deviation of the thickness of the adhesive tape is 2 m.

【技术实现步骤摘要】
粘合带
本专利技术涉及粘合带。
技术介绍
对于半导体的切割，通过在切割带（粘合带）上进行半导体晶圆的切割，该半导体晶圆被小片化（芯片化）而成为芯片，从切割带上拾取该芯片，继续在后面的工序中使用（例如，参照专利文献1）。作为从切割带上拾取芯片的方法，从切割带的未搭载芯片的一面侧用被称为销、针等的棒进行顶推（所谓的“销顶起”），然后，利用被称为吸嘴（collet）的吸附治具从切割带上将芯片吸附分离而拾取。此处，刚切割后的芯片间的间隔至多为数百μm左右这样的极其微小的间隔，因此，若要在刚切割后的状态下从切割带上拾取该芯片，则会碰到别的芯片（尤其是邻接的芯片）等，导致芯片破损。因此，对于半导体的切割，通常进行的是：在切割后从切割带上拾取芯片之前，在切割带上搭载有芯片的状态下，将切割带扩展（拉伸）而拓宽芯片间的间隔，然后从切割带上拾取芯片。但是，即使利用这种方法，在拾取时有时仍会产生不便。因此，要求进行半导体的切割时的进一步改良。作为这种不便的代表性的问题，可列举出利用吸嘴从切割带上吸附分离芯片时，无法准确地进行吸附分离。作为上述不便的原因，考虑过切割带与芯片间的粘合力过强的可能性，但即使减弱切割带与芯片间的粘合力，也仍未消除上述不便。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-019607号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术人对利用吸嘴从切割带上吸附分离芯片时无法准确地进行吸附分离的原因进行了各种研究。并且，着眼于吸嘴的吸附面与芯片的位置偏移反复进行了研究。其结果，认为重要的是对抗扩展、销顶起的切割带的应力在该带面内是均匀的。而且认为，为了使对抗扩展、销顶起的切割带的应力在该带面内均匀，重要的是切割带的厚度在面内没有不均匀，并想到了将切割带的厚度不均匀的标准偏差σ的水平严格调节成规定的水平，从而完成了本专利技术。即，本专利技术的课题在于提供一种粘合带，其为可用作切割带的粘合带，该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ小，对抗扩展、销顶起的应力在该带面内是均匀的。用于解决问题的方案本专利技术的粘合带为在基材的至少一个面上具备粘合剂层的粘合带，该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ为2.0μm以下。在优选的实施方式中，上述粘合带的平均厚度为20μm～120μm。在优选的实施方式中，上述粘合带的MD方向的100%拉伸时的模量与TD方向的100%拉伸时的模量之比、即MD方向100%模量/TD方向100%模量为0.5～1.9。在优选的实施方式中，上述基材的厚度不均匀的标准偏差σ为2.0μm以下。在优选的实施方式中，上述基材的平均厚度为20μm～120μm。在优选的实施方式中，上述基材的按照JIS-K-7127（1999年）测定的最大伸长率为100%以上。在优选的实施方式中，上述基材为塑料薄膜。在优选的实施方式中，上述塑料薄膜包含选自聚氯乙烯、聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物的至少1种。在优选的实施方式中，在上述基材的单面具备上述粘合剂层，在该基材的与该粘合剂层相反的面具备非粘合层。在优选的实施方式中，上述非粘合层为聚硅氧烷和（甲基）丙烯酸类聚合物的混合层。在优选的实施方式中，上述非粘合层中的聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合比以重量比计为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=1：50～50：1。在优选的实施方式中，上述非粘合层具有相分离结构。在优选的实施方式中，上述非粘合层的厚度为0.01μm～10μm。在优选的实施方式中，上述粘合剂层包含至少1种（甲基）丙烯酸类聚合物。在优选的实施方式中，在上述粘合剂层的表面具备剥离衬垫。在优选的实施方式中，本专利技术的粘合带用于半导体加工。在优选的实施方式中，本专利技术的粘合带用于LED切割用途。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供一种粘合带，其为可用作切割带的粘合带，该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ小，对抗扩展、销顶起的应力在该带面内是均匀的。附图说明图1是示出在厚度精度良好的情况下扩展后的芯片的排列状态的示意图。图2是示出在厚度精度差的情况下扩展后的芯片的排列状态的示意图。图3是示出本专利技术的粘合带的非粘合层的表面侧状态的SEM照片。图4是示出本专利技术的粘合带的非粘合层的截面侧状态的SEM照片。图5是带说明地示出本专利技术的粘合带的非粘合层的截面侧状态的SEM照片。附图标记说明100芯片200切割带具体实施方式本专利技术的粘合带在基材的至少一个面上具备粘合剂层。本专利技术的粘合带可以在基材的双面具备粘合剂层，也可以在基材的单面具备粘合剂层。本专利技术的粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ为2.0μm以下，优选为1.9μm以下，更优选为1.7μm以下，进一步优选为1.5μm以下，特别优选为1.2μm以下。通过将本专利技术的粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ调节到上述范围内，本专利技术的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得均匀。本专利技术的粘合带的厚度不均匀小、厚度精度良好，因此如图1所示，将本专利技术的粘合带用作切割带时，在半导体的切割中，在切割后从切割带上拾取芯片之前，在切割带上搭载有芯片的状态下将切割带200扩展（拉伸）而拓宽芯片100之间的间隔时，可得到没有出现芯片100的位置偏移而良好地排列的芯片。另一方面，若粘合带的厚度不均匀大，则厚度精度变差，因此如图2所示，将本专利技术的粘合带用作切割带时，在半导体的切割中，在切割后从切割带上拾取芯片之前，在切割带上搭载有芯片的状态下将切割带200扩展（拉伸）而拓宽芯片100之间的间隔时，会出现芯片100的位置偏移，可能产生例如拾取不良等。尤其，由于LED芯片小，因此容易出现芯片的位置偏移。其中，关于厚度不均匀的标准偏差σ的测定方法随后进行说明。其中，作为测定厚度不均匀的方法，可采用对测定对象的面内的任意多个点的厚度进行测定并统计处理等任意的适宜的方法。作为这种测定厚度的方法，例如可列举出：测微器、微型游标卡尺、直读式厚度计等伴随着物理接触的方法；测定α射线、X射线、红外线、电磁波等相对于测定对象的透过率、反射率的非接触方法；在任意测定部位将测定对象切断并用光学显微镜、电子显微镜观察的方法；等，也可以采用它们的组合。本专利技术的粘合带的平均厚度优选为20μm～120μm，更优选为30μm～120μm，进一步优选为40μm～120μm。通过将本专利技术的粘合带的平均厚度调节到上述范围内，本专利技术的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得更加均匀。另外，若本专利技术的粘合带的平均厚度过小，则有处理性变差的担心，尤其有贴合操作变难的担心。若本专利技术的粘合带的平均厚度过大，则有对拉伸等变形的追随性变差的担心。本专利技术的粘合带的MD方向的100%拉伸时的模量与TD方向的100%拉伸时的模量之比（MD方向100%模量/TD方向100%模量）优选为0.5～1.9，更优选为0.5～1.8，进一步优选为0.8～1.6，特别优选为1.0～1.5。通过将上述比值（MD方向100%模量/TD方向100%模量）调节到上述范围内，本专利技术的粘合带的对抗扩展、销顶起的应力在该带面内可变得更加均匀。<基材>作为导致本专利技术的粘合带的厚度不均匀的因素，认为有基材的厚度不均匀、粘合剂层的厚度不均匀、可在基材的与粘合剂层相反的面具备的非粘合层的厚度不均匀等各种因素。在上述因素当中，对粘合带的厚度不均匀造成最大影响的因素本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粘合带的制造方法，所述粘合带为在基材的至少一个面上具备粘合剂层的粘合带，该基材通过压延成型制造，在该压延成型中，最终料垄的混合物温度的不均匀控制在±5％以内，该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ为2.0μm以下。

【技术特征摘要】
2013.01.29 JP 2013-0139281.一种粘合带的制造方法，所述粘合带为在基材的至少一个面上具备粘合剂层的粘合带，该基材通过压延成型制造，在该压延成型中，最终料垄的混合物温度的不均匀控制在±5％以内，该粘合带的厚度不均匀的标准偏差σ为2.0μm以下。2.根据权利要求1所述的粘合带的制造方法，其中，所述粘合带的平均厚度为20μm～120μm。3.根据权利要求1或2所述的粘合带的制造方法，其中，所述粘合带的MD方向的100％拉伸时的模量与TD方向的100％拉伸时的模量之比、即MD方向100％模量/TD方向100％模量为0.5～1.9。4.根据权利要求1或2所述的粘合带的制造方法，其中，所述基材的厚度不均匀的标准偏差σ为2.0μm以下。5.根据权利要求1或2所述的粘合带的制造方法，其中，所述基材的平均厚度为20μm～120μm。6.根据权利要求1或2所述的粘合带的制造方法，其中，所述基材的按照JIS-K-7127(1999年)测定的最大伸长率为100％以上。7.根据权利要求1或2所述的粘合带的制造方法，其中，所述基材为塑料薄膜。8.根据权利要求7所述的粘合带的...

【专利技术属性】
技术研发人员：由藤拓三，铃木俊隆，西尾昭德，矢田贝隆浩，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP