一种水晶草的组培方法技术
A method of tissue culture of a kind of crystal grass
The invention belongs to the field of biological technology, in particular to a tissue culture method of crystal grass, which includes the following steps: S1, detoxification; S2, dedifferentiation; S3, proliferation and culture; S4, re differentiation; S5 and seedling. The invention solves the problem of browning in tissue culture, and improves the rooting rate and rooting number of tissue culture seedlings.
【技术实现步骤摘要】
一种水晶草的组培方法
本专利技术属于生物
，具体涉及一种水晶草的组培方法。
技术介绍
水晶草为补血草属白花丹科植物，花较小，死后花仍不败，与勿忘我类似。水晶草花叶同生，茎高约10～50cm，喜欢阳光。多生长在山坡、崖壁、石缝和山路边。随着人们生活水平的提高，人们越来越喜欢给送亲朋好友送鲜花或干花，或是用鲜花或干花来装饰自己的屋子。水晶草的用量大大增加，使得水晶草供不应求。现有的水晶草繁殖采用种子繁殖，其繁殖较慢。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种水晶草的组培方法，用以提高水晶草组培苗的生根率和生根数。为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：一种水晶草的组培方法，包括如下步骤：S1、脱毒：将水晶草的离体组织置于0.05％～0.2％氯化汞溶液中消毒3～30分钟，然后用无菌水清洗0～5次；S2、脱分化：将脱毒的离体组织置于脱分化培养基上，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为8～16小时/天的条件下培养，得愈伤组织；S3、增殖培养：将愈伤组织转移至增殖培养基中，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、...
【技术保护点】
一种水晶草的组培方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、脱毒：将水晶草的离体组织置于0.05％～0.2％氯化汞溶液中消毒3～30分钟，然后用无菌水清洗0～5次；S2、脱分化：将脱毒的离体组织置于脱分化培养基上，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为8～16小时/天的条件下培养，得愈伤组织；S3、增殖培养：将愈伤组织转移至增殖培养基中，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为8～16小时/天的条件下培养；S4、再分化：将增殖后愈伤组织转移至再分化培养基中，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为8～...
【技术特征摘要】
1.一种水晶草的组培方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、脱毒：将水晶草的离体组织置于0.05％～0.2％氯化汞溶液中消毒3～30分钟，然后用无菌水清洗0～5次；S2、脱分化：将脱毒的离体组织置于脱分化培养基上，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为8～16小时/天的条件下培养，得愈伤组织；S3、增殖培养：将愈伤组织转移至增殖培养基中，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为8～16小时/天的条件下培养；S4、再分化：将增殖后愈伤组织转移至再分化培养基中，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为8～20小时/天的条件下培养10～20天，得生根苗；S5、炼苗：将生根苗从培养瓶中取出，用清水洗净培养基，栽培在pH值5～8、EC值500～25000μS/cm的营养土中，光照强度3000～20000Lx，15～25天后得可移栽的水晶草幼苗。2.根据权利要求1所述的水晶草的组培方法，其特征在于，所述离体组织为叶片、叶柄、根、茎、花或花穗。3.根据权利要求1所述的水晶草的组培方法，其特征在于，所述脱分化培养基的组分及其含量为：MS+6-BA0.2～1.0mg/L+NAA0.1～0.6mg/L+连翘提取物0.8～1.6mg/L；或N6+6-BA0.2～1.0mg/L+NAA0.1～0.6...
【专利技术属性】
技术研发人员：许维和，
申请(专利权)人：云南汇通银河科技开发有限公司，
类型：发明
国别省市：云南,53
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