一种勿忘我的组培方法技术

本发明专利技术属于生物技术领域，具体涉及一种勿忘我的组培方法，包括如下步骤：S1、脱毒；S2、脱分化；S3、增殖培养；S4、再分化；S5、炼苗。本发明专利技术中，在脱分化培养基中加入了甘草浸膏，在增殖培养基中加入了薄荷脑，在再分化培养基中加入灯盏花素，提高了勿忘我组培苗幼苗的生根率和生根数。

A way to forget my tissue culture

The invention belongs to the field of biological technology, in particular to a tissue culture method that does not forget me, including the following steps: S1, detoxification; S2, dedifferentiation; S3, proliferation and culture; S4, re differentiation; S5 and seedling. In the present invention, Glycyrrhiza extract is added to the dedifferentiation medium, menthol is added to the proliferation medium, and breviscapine is added to the re differentiation medium, and the rooting rate and the number of rooting of the seedlings of the seedlings are not forgotten.

【技术实现步骤摘要】
一种勿忘我的组培方法
本专利技术属于生物
，具体涉及一种勿忘我的组培方法。
技术介绍
勿忘我(LatoucheafokiensisFranch)是紫草科勿忘我属的植物。忘我是一种多年生草本植物，高30-60cm。轮生聚伞花序，长10-15cm；勿忘我开有浅蓝色的小花，花期是4-5月。适应力强，喜干燥、凉爽的气候，忌湿热，喜光，耐旱，生长适温为20℃-25℃。随着人们生活水平的提高，人们越来越喜欢给送亲朋好友送鲜花或干花，或是用鲜花或干花来装饰自己的屋子。勿忘我的用量大大增加，使得勿忘我供不应求。现有的勿忘我繁殖采用种子繁殖，其繁殖较慢。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种勿忘我的组培方法，用以提高勿忘我组培幼苗的生根率和生根数。为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：一种勿忘我的组培方法，包括如下步骤：S1、脱毒：将勿忘我的离体组织置于0.05％～0.2％氯化汞溶液中消毒3～30分钟，然后用无菌水清洗0～5次；S2、脱分化：将脱毒的离体组织置于脱分化培养基上，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为8～16小时/天的条件下培养，得愈伤组织；S3、增殖培养：将愈伤组织转移至增殖培养基中，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为5～16小时/天的条件下培养；S4、再分化：将增殖后愈伤组织转移至再分化培养基中，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为8～16小时/天的条件下培养10～20天，得生根苗；S5、炼苗：将生根苗从培养瓶中取出，用清水洗净培养基，栽培在pH值5～8、EC值500～25000μS/cm的营养土中，光照强度3000～20000Lx，15～25天后得可移栽的勿忘我幼苗。在本专利技术提供的勿忘我的组培方法中，优选地，所述离体组织为叶片、叶柄、根、茎、花或花穗。在本专利技术提供的勿忘我的组培方法中，优选地，所述脱分化培养基的组分及其含量为：MS+6-BA0.2～1.0mg/L+NAA0.1～0.6mg/L+甘草浸膏0.5～1.7mg/L；或N6+6-BA0.2～1.0mg/L+NAA0.1～0.6mg/L+甘草浸膏0.5～1.3mg/L；或B5+6-BA0.2～1.0mg/L+NAA0.1～0.6mg/L+甘草浸膏0.1～1.5mg/L。4在本专利技术提供的勿忘我的组培方法中，优选地，所述增殖培养基的组分及其含量为：MS+6-BA0.05～7.0mg/L+NAA0.05～0.8mg/L+薄荷脑0.2～0.8mg/L；或N6+6-BA0.05～7.0mg/L+NAA0.05～0.8mg/L+薄荷脑0.1～0.5mg/L；或B5+6-BA0.05～7.0mg/L+NAA0.05～0.8mg/L+薄荷脑0.3～0.9mg/L。在本专利技术提供的勿忘我的组培方法中，优选地，所述再分化培养基的组分及其含量为：1/2MS+NAA0.1～1.0mg/L+IBA0.2～2.0mg/L+灯盏花素0.4～2.0mg/L；或N6+NAA0.1～1.0mg/L+IBA0.2～2.0mg/L+灯盏花素0.5～1.5mg/L；或B5+NAA0.1～1.0mg/L+IBA0.2～2.0mg/L+灯盏花素0.9～1.5mg/L。进一步优选地，所述再分化培养基的组分及其含量为：1/2MS+NAA0.4mg/L+IBA0.7mg/L+灯盏花素1.3mg/L。在本专利技术提供的勿忘我的组培方法中，优选地，在所述步骤S5中，pH值6～7、EC值为1500～15000μS/cm，光照强度为8000～15000Lx。采用上述技术方案，由于在脱分化培养基中加入了甘草浸膏，在增殖培养基中加入了薄荷脑，在再分化培养基中加入灯盏花素，提高了勿忘我组培苗幼苗的生根率和生根数。在增殖培养基中加入的薄荷脑还可以防止褐化现象的发生。附图说明图1为本专利技术的勿忘我的组培方法的流程图。具体实施方式下面对本专利技术的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本专利技术，但并不构成对本专利技术的限定。此外，下面所描述的本专利技术各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。实施例1本实施例提供了一种勿忘我的组培方法，包括如下步骤：S1、脱毒：将勿忘我的叶片置于0.2％氯化汞溶液中消毒5分钟，然后用无菌水清洗2次；S2、脱分化：将脱毒的勿忘我茎置于脱分化培养基上，在温度为25℃、光照强度为7500Lx、光照时间为8小时/天的条件下培养，得愈伤组织；脱分化培养基的组分及其含量为：MS+6-BA1.0mg/L+NAA0.1mg/L+甘草浸膏1.7mg/L；S3、增殖培养：将愈伤组织转移至增殖培养基中，在温度为17℃、光照强度为3000Lx、光照时间为5小时/天的条件下培养；增殖培养基的组分及其含量为：MS+6-BA0.05mg/L+NAA0.8mg/L+薄荷脑0.8mg/L；S4、再分化：将增殖后愈伤组织转移至再分化培养基中，在温度为28℃、光照强度为8000Lx、光照时间为16小时/天的条件下培养20天，得生根苗；再分化培养基的组分及其含量为：1/2MS+NAA0.1mg/L+IBA2.0mg/L+灯盏花素2.0mg/L；S5、炼苗：将生根苗从培养瓶中取出，用清水洗净培养基，栽培在pH值5、EC值1000μS/cm的营养土中，光照强度20000Lx，15天后得可移栽的勿忘我幼苗。实施例2本实施例提供了一种勿忘我的组培方法，包括如下步骤：S1、脱毒：将勿忘我的叶柄置于0.05％氯化汞溶液中消毒28分钟，然后用无菌水清洗5次；S2、脱分化：将脱毒的勿忘我茎置于脱分化培养基上，在温度为15℃、光照强度为3500Lx、光照时间为16小时/天的条件下培养，得愈伤组织；脱分化培养基的组分及其含量为：N6+6-BA1.0mg/L+NAA0.1mg/L+甘草浸膏0.5mg/L；S3、增殖培养：将愈伤组织转移至增殖培养基中，在温度为25℃、光照强度为5000Lx、光照时间为15小时/天的条件下培养；增殖培养基的组分及其含量为：N6+6-BA7.0mg/L+NAA0.8mg/L+薄荷脑0.1mg/L；S4、再分化：将增殖后愈伤组织转移至再分化培养基中，在温度为18℃、光照强度为4000Lx、光照时间为9小时/天的条件下培养12天，得生根苗；再分化培养基的组分及其含量为：N6+NAA1.0mg/L+IBA0.2mg/L+灯盏花素1.5mg/L；S5、炼苗：将生根苗从培养瓶中取出，用清水洗净培养基，栽培在pH值8、EC值20000μS/cm的营养土中，光照强度5000Lx，25天后得可移栽的勿忘我幼苗。实施例3本实施例提供了一种勿忘我的组培方法，包括如下步骤：S1、脱毒：将勿忘我的根置于0.1％氯化汞溶液中消毒20分钟，然后用无菌水清洗3次；S2、脱分化：将脱毒的勿忘我茎置于脱分化培养基上，在温度为21℃、光照强度为6000Lx、光照时间为12小时/天的条件下培养，得愈伤组织；脱分化培养基的组分及其含量为：B5+6-BA0.2mg/L+NAA0.6mg/L+甘草浸膏1.5mg/L；S3、增殖培养：将愈伤组织转移至增殖培养基中，在温度为20℃、光照强度为6000Lx、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种勿忘我的组培方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、脱毒：将勿忘我的离体组织置于0.05％～0.2％氯化汞溶液中消毒3～30分钟，然后用无菌水清洗0～5次；S2、脱分化：将脱毒的离体组织置于脱分化培养基上，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为8～16小时/天的条件下培养，得愈伤组织；S3、增殖培养：将愈伤组织转移至增殖培养基中，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为5～16小时/天的条件下培养；S4、再分化：将增殖后愈伤组织转移至再分化培养基中，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为8～16小时/天的条件下培养10～20天，得生根苗；S5、炼苗：将生根苗从培养瓶中取出，用清水洗净培养基，栽培在pH值5～8、EC值500～25000μS/cm的营养土中，光照强度3000～20000Lx，15～25天后得可移栽的勿忘我幼苗。

【技术特征摘要】
1.一种勿忘我的组培方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、脱毒：将勿忘我的离体组织置于0.05％～0.2％氯化汞溶液中消毒3～30分钟，然后用无菌水清洗0～5次；S2、脱分化：将脱毒的离体组织置于脱分化培养基上，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为8～16小时/天的条件下培养，得愈伤组织；S3、增殖培养：将愈伤组织转移至增殖培养基中，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为5～16小时/天的条件下培养；S4、再分化：将增殖后愈伤组织转移至再分化培养基中，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为8～16小时/天的条件下培养10～20天，得生根苗；S5、炼苗：将生根苗从培养瓶中取出，用清水洗净培养基，栽培在pH值5～8、EC值500～25000μS/cm的营养土中，光照强度3000～20000Lx，15～25天后得可移栽的勿忘我幼苗。2.根据权利要求1所述的勿忘我的组培方法，其特征在于，所述离体组织为叶片、叶柄、根、茎、花或花穗。3.根据权利要求1所述的勿忘我的组培方法，其特征在于，所述脱分化培养基的组分及其含量为：MS+6-BA0.2～1.0mg/L+NAA0.1～0.6mg/L+甘草浸膏0.5～1.7mg/L；或N6+6-BA0.2～1.0mg/L+NAA0.1～0.6mg/L+甘草浸膏0.5～1.3mg/L；或B...

【专利技术属性】
技术研发人员：许维和，
申请(专利权)人：云南汇通银河科技开发有限公司，
类型：发明
国别省市：云南,53