用于侦测错误事件的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于侦测错误事件的方法，其侦测方法包含下列操作。通过处理器根据多个步骤对齐第一数据与第二数据，其中第一数据与第二数据关联于用于制造多个半导体装置的设备；通过处理器根据第一数据决定第一虚拟区域；通过处理器根据第二数据决定第二虚拟区域；以及通过显示器显示第一虚拟区域与第二虚拟区域的比较结果，以分辨是否有错误事件存在于制造工艺中。本发明专利技术所提供的方法可改善同时侦测大量设备错误事件的效率。

The method used to detect error events

The invention discloses a method for detecting error events, and the detection method comprises the following operations. The first data and the second data are aligned by a processor in accordance with a plurality of steps, in which the first data and the second data are associated with a device for making a plurality of semiconductor devices; the first virtual region is determined by the processor according to the first data; the second virtual region is determined by the processor according to the second data; and the display is passed by the display. The comparison between the first virtual area and the second virtual area shows the existence of error events in the manufacturing process. The method provided by this invention can improve the efficiency of simultaneous detection of a large number of device error events.

【技术实现步骤摘要】
用于侦测错误事件的方法
本专利技术是有关于一种制造工艺控制系统，且特别是有关于用于侦测用于制造半导体装置的设备的偏移状况的系统与方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中，半导体装置由有顺序的多个半导体层形成。半导体制造工艺由各种不同地处理以及量测机器执行。这些制造工艺机器执行由用于制造半导体装置的配方所定义的各种处理功能。传统上，在不同机台之间的错误侦测与分类(faultdetectionandclassification,FDC)是通过使用者的知识来分辨。例如，使用者可通过他/她的经验与常识而非标准规则来辨识在FDC图表上出现的不正常状况。再者，有效率地同时辨识大量的机台内是否出现不正常的状况是很困难的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于侦测错误事件的方法，该方法可改善同时侦测大量设备错误事件的效率。本专利技术的一方面为提供一种侦测方法，其包含下列操作。通过处理器根据多个步骤对齐第一数据与第二数据，其中第一数据与第二数据关联于用于制造多个半导体装置的设备；通过处理器根据第一数据决定第一虚拟区域；通过处理器根据第二数据决定第二虚拟区域；以及通过显示器显示第一虚拟区域与第二虚拟区域的比较结果，以分辨是否有错误事件存在于设备。在一些实施例中，第一数据与第二数据在多个步骤中的每一步中被收集，且对齐第一数据与第二数据的操作包含：在多个步骤中的每一步中将第一数据与第二数据对齐。在一些实施例中，决定第一虚拟区域的操作包含：根据第一数据决定第一上限值以及第一下限值；以及根据第一上限值以及第一下限值产生第一虚拟区域。在一些实施例中，第一上限值为第一数据的最大值的预定倍数，且第一下限值为第一数据的最小值的预定倍数。在一些实施例中，决定第二虚拟区域的操作包含：根据第二数据决定第二上限值以及第二下限值；以及根据第二上限值以及第二下限值产生第二虚拟区域。在一些实施例中，第二上限值为第二数据的最大值的预定倍数，且第二下限值为第二数据的最小值的预定倍数。在一些实施例中，显示第一虚拟区域与第二虚拟区域的比较结果的操作包含：通过处理器将第一上限值以及第一下限值对第二上限值以及第二下限值进行比较；以及通过显示器经由多个指示器显示比较结果，其中多个指示器由多个不同颜色层显示。在一些实施例中，在第二上限值小于第一上限值，且第二下限值高于第一下限值的条件下，多个指示器中的第一指示器被显示以代表设备不存在偏移。在一些实施例中，在第二上限值处于第一上限值与第一下限值之间，第二下限值低在一下限值，且第一虚拟区域与第二虚拟区域之间的交集区域大于预定区域的条件下，多个指示器中的第二指示器被显示以代表设备出现偏移。在一些实施例中，在第二上限值以及第二下限值两者皆低于第一下限值的条件下，多个指示器中的第三指示器被显示以代表设备出现偏移。本专利技术的另一方面为提供一种电脑实现方法，其用于侦测错误事件，电脑实现方法包含：通过处理器在多个步骤上对齐第一数据与第二数据，其中第一数据与第二数据关联于用于制造多个半导体装置的设备；通过处理器转换第一数据与第二数据至关联于第一数据的第一虚拟区域以及关联于第二数据的第二虚拟区域；比较第一虚拟区域以及第二虚拟区域；以及通过输入/输出模块经由多个指示器显示第一虚拟区域与第二虚拟区域的比较结果，以分辨错误事件是否存在于设备。在一些实施例中，第一数据与第二数据在多个步骤中的每一步中被收集。在一些实施例中，转换第一数据与第二数据的操作包含：根据第一数据决定第一上限值以及第一下限值；根据第一上限值以及第一下限值产生第一虚拟区域；根据第二数据决定第二上限值以及第二下限值；以及根据第二上限值以及第二下限值产生第二虚拟区域。在一些实施例中，第一上限值关联于第一数据第一预定倍数，且第一下限值关联于第一数据的第二预定倍数。在一些实施例中，第二上限值关联于第二数据的第一预定倍数，且第二下限值关联于第二数据的第二预定倍数。在一些实施例中，比较第一虚拟区域与第二虚拟区域的操作包含：通过处理器将第一上限值以及第一下限值对第二上限值以及第二下限值进行比较。在一些实施例中，显示第一虚拟区域与第二虚拟区域的比较结果的操作包含：在第二上限值小于第一上限值，且第二下限值高于第一下限值的条件下，显示多个指示器中的第一指示器以代表设备不存在偏移，其中错误事件包含设备出现偏移。在一些实施例中，在第二上限值处于第一上限值与第一下限值之间，第二下限值低于第一下限值，且第一虚拟区域与第二虚拟区域之间的交集区域大于预定区域的条件下，显示多个指示器中的第二指示器以代表设备出现偏移，其中错误事件包含设备出现偏移。在一些实施例中，在第二上限值以及第二下限值两者皆低于第一下限值的条件下，显示多个指示器中的第三指示器以代表设备出现偏移，其中错误事件包含设备出现偏移。在一些实施例中，多个指示器设置以经由多个不同颜色层显示。综上所述，本专利技术所提供的方法可改善同时侦测大量设备的错误事件的效率。附图说明为让本专利技术下述的实施例能更明显易懂，结合附图说明如下：图1为根据本专利技术的一些实施例所绘示的一种系统的示意图；图2为根据本专利技术的一些实施例所绘示的一种方法的多个操作的流程图；图3A为根据本专利技术的一些实施例所绘示的图一数据与图二数据的示意图；图3B为根据本专利技术的一些实施例所绘示图3A中的第一数据与第二数据被对齐后的示意图图3C为根据本专利技术的一些实施例所绘示图3B中的第一数据与第二数据的部分放大示意图；图3D为根据本专利技术的一些实施例所绘示的第一虚拟区域以及第二虚拟区域的示意图；图4为根据本专利技术的一些实施例所绘示的图2中操作的比较结果的三种情况的示意图；以及图5为根据本专利技术的一些实施例中所绘示的一种由多个I/O界面所显示的监控工具的界面的示意图。具体实施方式以下将以附图公开本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。在本专利技术中通篇所使用的词汇一般代表其通常的意涵。关于本专利技术中内所讨论的任何例证只用来做解说的用途，并不会以任何方式限制本专利技术或其例证的范围和意义。同样地，本专利技术并不受限于本文中所提出的各种实施例。关于本文中所使用的“第一”、“第二”、…等，并非特别指称次序或顺位的意思，也非用以限定本专利技术，其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的元件或操作而已。例如，在不违背各实施例的范围内，第一元件可被命名为第二元件，同样地，第二元件可被命名为第一元件。本文中所使用的“与/或”包含一个或多个相关联的项目中的任一个以及所有组合。在本文中，“耦接”可被视为“电性耦接”，且“连接”可被视为“电性连接”。“耦接”与“连接”也可用来视为两个或两个以上的元件彼此之间的操作或互相连动。参照图1，图1为根据本专利技术的一些实施例所绘示的一种系统100的示意图。在一些实施例中，系统100用于监控与/或控制多个半导体装置的制造程序。在一些实施例中，系统100用于侦测是否有错误事件存在于制造多个半导体装置的设备(例如设备100A)。系统100包含处理器110、存储器120、存储器130以及多个输入/输出(in本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种侦测方法，其特征在于，包含：通过处理器根据多个步骤对齐第一数据与第二数据，其中所述第一数据与所述第二数据关联于用于制造多个半导体装置的设备；通过所述处理器根据所述第一数据决定第一虚拟区域；通过所述处理器根据所述第二数据决定第二虚拟区域；以及通过显示器显示所述第一虚拟区域与所述第二虚拟区域的比较结果，以分辨是否有错误事件存在于所述设备。

【技术特征摘要】
2016.10.18 US 15/296,0531.一种侦测方法，其特征在于，包含：通过处理器根据多个步骤对齐第一数据与第二数据，其中所述第一数据与所述第二数据关联于用于制造多个半导体装置的设备；通过所述处理器根据所述第一数据决定第一虚拟区域；通过所述处理器根据所述第二数据决定第二虚拟区域；以及通过显示器显示所述第一虚拟区域与所述第二虚拟区域的比较结果，以分辨是否有错误事件存在于所述设备。2.如权利要求1所述的侦测方法，其特征在于，所述第一数据与所述第二数据在所述多个步骤中的每一步中被收集，且对齐所述第一数据与所述第二数据的操作包含：在所述多个步骤中的每一步中将所述第一数据与所述第二数据对齐。3.如权利要求1所述的侦测方法，其特征在于，决定所述第一虚拟区域的操作包含：根据所述第一数据决定第一上限值以及第一下限值；以及根据所述第一上限值以及所述第一下限值产生所述第一虚拟区域。4.如权利要求3所述的侦测方法，其特征在于，所述第一上限值关联于所述第一数据的第一预定倍数，且所述第一下限值关联于所述第一数据的第二预定倍数。5.如权利要求3所述的侦测方法，其特征在于，决定所述第二虚拟区域的操作包含：根据所述第二数据决定第二上限值以及第二下限值；以及根据所述第二上限值以及所述第二下限值产生所述第二虚拟区域。6.如权利要求5所述的侦测方法，其特征在于，所述第二上限值关联于所述第二数据的第一预定倍数，且所述第二下限值关联于所述第二数据的第二预定倍数。7.如权利要求5所述的侦测方法，其特征在于，显示所述第一虚拟区域与所述第二虚拟区域的所述比较结果的操作包含：通过所述处理器将所述第一上限值以及所述第一下限值对所述第二上限值以及所述第二下限值进行比较；以及通过所述显示器经由多个指示器显示所述比较结果，其中所述多个指示器由多个不同颜色层显示。8.如权利要求7所述的侦测方法，其特征在于，在所述第二上限值小于所述第一上限值，且所述第二下限值高于所述第一下限值的条件下，所述多个指示器中的第一指示器被显示以代表所述设备未出现偏移，其中所述错误事件包含所述设备出现偏移。9.如权利要求7所述的侦测方法，其特征在于，在所述第二上限值处于所述第一上限值与所述第一下限值之间，所述第二下限值低于所述第一下限值，且所述第一虚拟区域与所述第二虚拟区域之间的交集区域大于预定区域的条件下，所述多个指示器中的第二指示器被显示以代表所述设备出现偏移，其中所述错误事件包含所述设备出现偏移。10.如权利要求7所述的侦测方法，其特征在于，在所述第二上限值以及所述第二下限值两者皆低于所述第一下限值的条件下，所述多个指示器中的第三指示器被显示以代表所述设备出现偏移，其中所述错误事件包含所述设备出...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛悦诚，刘育玮，李良伦，林祖强，陈淳钰，刘家宏，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US