一种硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料，具有中空结构，内核是硒化钼纳米片，外壳是中空纳米带结构的氮掺杂碳层；其制备方法包括：三氧化钼纳米带的合成，三氧化钼/聚吡咯二元复合材料的合成，硒化钼/聚吡咯核壳结构二元复合材料的合成，硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料的合成；用作可见光催化剂、电催化剂、钠/锂离子阳极材料和发光晶体管材料。本发明专利技术的硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料克服了硒化钼本体材料活性低的缺点，有效缓解硒化钼在使用过程中因体积膨胀造成的不稳定性；本发明专利技术的方法简单，易于操作，环保，成本低廉，适用于工业化生产。

Molybdenum selenide nanosheet / nitrogen doped carbon core shell composite material and preparation method and application thereof

The invention relates to a molybdenum selenide nano piece / nitrogen doped carbon nuclear composite material, with hollow structure, the core is molybdenum selenide nanoselide, and the outer shell is the nitrogen doped carbon layer of the hollow nanoscale structure. The preparation method includes the synthesis of molybdenum trioxide nanoribbons, the synthesis of molybdenum trioxide / polypyrrole two element composite, the molybdenum selenide Synthesis of two element composite of polypyrrole nuclear shell structure, synthesis of molybdenum selenide nanosheet / nitrogen doped carbon core composite material, used as visible light catalyst, electrocatalyst, sodium / lithium ion anode material and luminescent transistor material. The molybdenum selenide nano slice / nitrogen doped carbon nuclear shell structure composite material overcomes the disadvantage of low activity of the molybdenum selenide, and effectively alleviates the instability caused by volume expansion during the use of molybdenum selenide; the method of the invention is simple, easy to operate, environmental protection, and low cost, and is suitable for industrial production.

【技术实现步骤摘要】
一种硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料及其制备方法和应用
本专利技术属于过渡金属化合物纳米材料领域，特别涉及一种硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料及其制备方法和应用。
技术介绍
作为过渡金属化合物纳米材料中的典型代表，硒化钼属于六方晶系，具有类似于三明治的二维片层状结构，层与层之间通过较弱的范德华力结合在一起。相邻的分子层通过分子间作用力结合可以相互滑动，因而具有较低的摩擦系数，常用作固体润滑剂；硒化钼中每个钼原子被六个硒原子包围，呈三角棱柱状，比表面积大，表面活性高，具有优异的催化活性，广泛用作石油加工行业的加氢脱硫催化剂以及废水处理催化剂。此外，由于具有较大层间距，一些离子如Li+和Na+可以很容易地插入到硒化钼的层间，形成插层化合物，因此在能量存储上也有广泛应用。然而，由于其自身较差的导电性以及有限的活性位点大大限制了硒化钼在光电子、新能源、生物传感等领域的应用，且单一功能的硒化钼已经完全无法满足需要，因而发展基于硒化钼复合多功能纳米材料的制备方法尤为必要。由于中空氮掺杂碳纳米带具有较高的长径比高，大的比表面积，较高的电子传输能力与优异的机械强度，从而能够提高其复合材料结构稳定性及导电性，因此将硒化钼限域在纳米带结构的氮掺杂碳纳米框架内具有重要意义。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料及其制备方法和应用，该方法简单，易于操作，环保，提高了复合材料的稳定性。本专利技术的一种硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料，具有中空结构，内核是硒化钼纳米片，外壳是中空纳米带结构的氮掺杂碳层。本专利技术的一种硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料的制备方法，包括：(1)将质量比为10:1-1:20(优选10:1-1:10)的钼酸钠和氯化钠溶于溶剂中形成混合溶液，搅拌，水热反应，冷却，抽滤，洗涤，干燥，得到三氧化钼纳米带，其中，混合溶液中钼酸钠的浓度为0.01-0.1g/mL；(2)将步骤(1)中三氧化钼纳米带溶于溶剂中，搅拌，加入吡咯，继续搅拌，加入引发剂溶液反应，抽滤，洗涤，干燥，得到三氧化钼/聚吡咯二元复合材料，其中，三氧化钼纳米带和吡咯的质量比为1:4-15，引发剂与吡咯的摩尔比为1:1-4，三氧化钼纳米带溶液的浓度为0.2-0.6mg/mL；(3)将步骤(2)中三氧化钼/聚吡咯二元复合材料溶于溶剂一中，超声，得到分散液，将硒溶于溶剂二中，搅拌，滴加到分散液中，水热反应，冷却，抽滤，洗涤，干燥，得到硒化钼/聚吡咯核壳结构二元复合材料,其中，三氧化钼/聚吡咯二元复合材料和硒的质量比为5:1-1:5，三氧化钼/聚吡咯二元复合材料溶液的浓度为0.001-0.02g/mL，硒溶液的浓度为0.001-0.02g/mL；(4)将步骤(3)中硒化钼/聚吡咯核壳结构二元复合材料在惰性气体环境下退火，洗涤，抽滤，干燥，得到硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料。所述步骤(1)中搅拌时间为10min；水热反应前加入3mol/L盐酸溶液调节pH值为0.5-1.5。所述步骤(1)中水热反应温度为160-220℃，水热反应时间为10-48h；干燥为在烘箱中60℃干燥24h。所述步骤(1)、(2)中溶剂均为去离子水。所述步骤(2)中继续搅拌时间为10min；引发剂为过硫酸铵、过硫酸钾或氯化铁。所述步骤(2)中引发剂溶液的浓度为16.5mg/ml。所述步骤(2)中反应温度为-10-10℃，反应时间为6-48h，优选反应温度为-2-2℃，反应时间为12-24h。所述步骤(2)中干燥为在真空条件下60℃干燥24h。所述步骤(3)中超声时间为0.5h；溶剂一为N,N-二甲基甲酰胺；溶剂二是质量分数为50％的水合肼；搅拌时间为1-4h，搅拌温度为80℃。所述步骤(3)中水热反应温度为160-220℃，水热反应时间为10-48h；干燥为在烘箱中60℃干燥24h。所述步骤(4)中惰性气体为氮气；退火的工艺参数为：升温到800℃，保温时间为4h，升温的速率为2-5℃/min。所述步骤(4)中洗涤为先用盐酸洗涤再用水洗涤；干燥为在真空条件下60℃干燥24h。本专利技术的一种硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料可以用作可见光催化剂、电催化剂、钠/锂离子阳极材料和发光晶体管材料。本专利技术通过水热反应，原位聚合和水热硒化以及高温退火技术，以三氧化钼纳米带为前驱体，其外部包覆聚吡咯层，对其二元复合材料进行水热硒化，水热硒化实现内层三氧化钼的硒化转变为硒化钼，高温退火，制备得到一种新型的硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料。该复合材料在结构上表现为硒化钼纳米片限域生长在中空纳米带结构的氮掺杂碳层内，且在中空纳米带碳层内仍有多余的空间。该复合材料具有如下优势：纳米带结构赋予复合材料较大的长径比，大的比表面积以及一定的力学强度；限域生长在碳层内的硒化钼为纳米片形貌，有利于活性位点的暴露且在一定程度上避免了二硫化钼的团聚现象；外层氮掺杂碳层优良的导电性能有利于电子的传输，内部的空腔结构能够有效缓解因长时间反应引发的结构形变。因此，将硒化钼纳米片与碳材料进行有效的复合，可以达到很好的协同增强作用，以制备出性能优异的复合材料。有益效果(1)本专利技术的硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料具有中空结构，硒化钼为纳米片状，有利于增加硒化钼的活性位点数量，克服了硒化钼本体材料活性低的缺点。中空结构和碳基复合结构可以有效缓解硒化钼在使用过程中因体积膨胀造成的不稳定性。(2)本专利技术的方法简单，易于操作，环保，成本低廉，适用于工业化生产，是一种有效快捷的制备方法。附图说明图1是实施例1中硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料的SEM图；图2是实施例1中硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料的TEM图；图3是实施例1中硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料、三氧化钼纳米带和聚吡咯的XRD图。具体实施方式下面结合具体实施例，进一步阐述本专利技术。应理解，这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。此外应理解，在阅读了本专利技术讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本专利技术作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。实施例1(1)将1.21g钼酸钠与0.6g氯化钠加入到60mL去离子水中得到溶液，持续搅拌10min，得到均匀分散液，加入3mol/L盐酸溶液调节pH值为1，转移至水热釜中于烘箱内进行水热反应，反应温度为180℃，反应时间为24h，待反应釜冷却至室温，将所得分散液进行抽滤分离其中的淡蓝色沉淀，将所得固体用去离子水清洗，于烘箱中60℃干燥24h，得到三氧化钼纳米带。(2)在250mL烧瓶中加入40mg步骤(1)中的三氧化钼纳米带，加入80ml去离子水，搅拌使三氧化钼均匀分散在去离子水中得到分散液，用移液管量取200μL吡咯(0.00288mol)加入上述烧瓶中，搅拌10min后，逐滴加入20ml过硫酸铵水溶液(16.5mg/ml)，控制吡咯与过硫酸铵的摩尔比为2:1，将烧瓶放入低温冷冻循环泵中，设置反应温度为0±2℃，搅拌反应12h，在三氧化钼上通过原位聚合反应生长聚吡咯，反应结束后，将分散液抽滤，将所得固体用去离子水洗涤三次，在真空条件下60℃干燥24h，得到三氧化钼/聚吡咯二元复合材料。(3)称取本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料，其特征在于，具有中空结构，内核是硒化钼纳米片，外壳是中空纳米带结构的氮掺杂碳层。

【技术特征摘要】
1.一种硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料，其特征在于，具有中空结构，内核是硒化钼纳米片，外壳是中空纳米带结构的氮掺杂碳层。2.一种硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料的制备方法，包括：(1)将质量比为10:1-1:20的钼酸钠和氯化钠溶于溶剂中形成混合溶液，搅拌，水热反应，冷却，抽滤，洗涤，干燥，得到三氧化钼纳米带，其中，混合溶液中钼酸钠的浓度为0.01-0.1g/mL；(2)将步骤(1)中三氧化钼纳米带溶于溶剂中，搅拌，加入吡咯，继续搅拌，加入引发剂溶液反应，抽滤，洗涤，干燥，得到三氧化钼/聚吡咯二元复合材料，其中，三氧化钼纳米带和吡咯的质量比为1:4-15，引发剂与吡咯的摩尔比为1:1-4，三氧化钼纳米带溶液的浓度为0.2-0.6mg/mL；(3)将步骤(2)中三氧化钼/聚吡咯二元复合材料溶于溶剂一中，超声，得到分散液，将硒溶于溶剂二中，搅拌，滴加到分散液中，水热反应，冷却，抽滤，洗涤，干燥，得到硒化钼/聚吡咯核壳结构二元复合材料,其中，三氧化钼/聚吡咯二元复合材料和硒的质量比为5:1-1:5，三氧化钼/聚吡咯二元复合材料溶液的浓度为0.001-0.02g/mL，硒溶液的浓度为0.001-0.02g/mL；(4)将步骤(3)中硒化钼/聚吡咯核壳结构二元复合材料在惰性气体环境下退火，洗涤，抽滤，干燥，得到硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料。3.按照权利要求2所述的一种硒化钼纳米片/氮掺杂碳核壳结构复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中搅拌时间为10min；水热反应前加入3mol/L盐酸溶液调节pH值为0.5-1.5。4.按照权利要求2所述的一种硒化钼纳米片/氮掺杂碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超，刘颖，刘天西，李乐，刘思良，王开，杨静，
申请(专利权)人：东华大学，
类型：发明
国别省市：上海,31