一种基于纳米氢氧化钡的印制电路板用蚀刻液的制备方法技术

本发明专利技术公布了一种基于纳米氢氧化钡的印制电路板用蚀刻液的制备方法，其中所述蚀刻液包括以下重量百分比的组合物：纳米氢氧化钡1.5％～2.5％；磷酸铵1.2％～1.6％；草酸0.5％～1.6％；有机盐酸0.5％～1.2％；非离子表面活性剂0.3％～1.5％；稳定剂0.5％～1.2％；消泡剂0.5％～1.6％；其余为蒸馏水。本发明专利技术通过在原有工艺的基础上新加入了纳米氢氧化钡，不仅能够在不发生抗蚀涂层渗透的情况下进行蚀刻，显著提高铬金属膜的蚀刻速度，具有蚀刻速度可控性，有效抑制抗蚀保护层的劣化，得到表面平坦光滑的铬金属膜配线，具有重要的应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种基于纳米氢氧化钡的印制电路板用蚀刻液的制备方法
本专利技术涉及一种基于纳米氢氧化钡的印制电路板用蚀刻液的制备方法。
技术介绍
目前在制作印制电路板的过程中，印制电路板品质的好坏，品质问题的发现及解决，制程改进的评估都需要通过金相切片来对其客观检查和判断。金相切片制作的好坏直接影响到电路板的质量评估。传统的金相切片过程包括，用铣的方式进行取样；采用树脂镶嵌法对样品进行封胶；对样品进行研磨；对样品进行抛光；对样品进行微蚀刻。其中，微蚀刻液的配方为质量百分比为50％的双氧水2～3滴、25％～28％的氨水8ml，去离子水(Deionizedwater，简称DI水)8ml。其缺点在于，该微蚀刻液中的氨水易挥发且有刺激性气味，因此不利于操作，配置后使用的时间短，只能维持0.5小时左右，从而给金相切片的工艺带来了不便。
技术实现思路
本专利技术目的是针对现有技术存在的缺陷提供一种基于纳米氢氧化钡的印制电路板用蚀刻液的制备方法。本专利技术为实现上述目的，采用如下技术方案：一种基于纳米氢氧化钡的印制电路板用蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：第一步：将弱酸性阳离子交换树脂加入到重量百分比为0.5％～1.2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于纳米氢氧化钡的印制电路板用蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步：将弱酸性阳离子交换树脂加入到重量百分比为0.5％～1.2％有机盐酸中，搅拌混合，搅拌的速度为50～60转/分钟，搅拌时间为5～7分钟，搅拌温度为10～13℃，然后滤出弱酸性阳离子交换树脂，控制或去除有机盐酸中的杂质离子；第二步：将重量百分比为1.5％～2.5％的纳米氢氧化钡和三分之一的蒸馏水到入反应釜中，在常温、常压下充分搅拌，搅拌时间为10～12分钟，搅拌速度为60～70转/分钟，搅拌温度为12～14℃；第三步：然后加入重量百分比为1.2％～1.6％的磷酸铵，充分搅拌6～7分钟；加入重量百分比为0.5％～1...

【技术特征摘要】
1.一种基于纳米氢氧化钡的印制电路板用蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步：将弱酸性阳离子交换树脂加入到重量百分比为0.5％～1.2％有机盐酸中，搅拌混合，搅拌的速度为50～60转/分钟，搅拌时间为5～7分钟，搅拌温度为10～13℃，然后滤出弱酸性阳离子交换树脂，控制或去除有机盐酸中的杂质离子；第二步：将重量百分比为1.5％～2.5％的纳米氢氧化钡和三分之一的蒸馏水到入反应釜中，在常温、常压下充分搅拌，搅拌时间为10～12分钟，搅拌速度为60～70转/分钟，搅拌温度为12～14℃；第三步：然后加入重量百分比为1.2％～1.6％的磷酸铵，充分搅拌6～7分钟；加入重量百分比为0.5％～1.6％的草酸，充分搅拌5～7分钟；加入三分之一的蒸馏水，充分搅拌4～6分钟；加入重量百分比为0.5％～1.2％的有机盐酸，充分搅拌5～7分钟；加入重量百分比为0.3％～1.5％的非离子表面活性剂，充分搅拌4～6分钟；加入重量百分比为0.5％～1.2％的稳定剂；加入重量百分比为0.5...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵丽，马勇，殷德军，
申请(专利权)人：无锡南理工新能源电动车科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32