智能低压复合开关制造技术

本实用新型专利技术公开一种智能低压复合开关，直流电源经过电阻一与单向可控硅一的输入端连接；光电开关的输入端与控制端连接，输出端正极控制三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极与直流电源连接，三极管Q1的集电极经过电阻二与单向可控硅二的输入端连接；单向可控硅一的输出端与双向可控硅的输入端连接；双向可控硅的输入端和输出端并列有磁保持继电器。本实用新型专利技术通过较少的器件模块实现了对无功补偿器的智能投切，功能较为齐全，整体造价较低，且各器件模块集成在一起，整体体积较小，使用十分方便,确保了使用时的安全性。

Intelligent low voltage compound switch

【技术实现步骤摘要】
智能低压复合开关
：本技术属于电网功率补偿装置
，具体涉及一种智能低压复合开关。
技术介绍
：随着供电技术的不断发展，供用电部门对电能质量提出了更高的要求。其中，通过无功补偿提高功率因数、平衡无功负荷是改善系统电能质量的主要手段。对于无功补偿的实现，无功补偿电容器中的投切元件即开关是其中一个必不可少的重要元件，然而，目前用于无功能率补偿装置的电容投切开关主要采用交流接触器开关，运行动态特性差，投切时间长，投切涌流大，产生操作过电压，产生电弧重然，可靠性差，使用寿命短：当电磁开关在接通或分断电容器时，发生的触头震动、起弧现象造成了触头蚀损、电磁干扰与电能损失，使其电气寿命低于机械寿命，不但需要经常更换，而且大大降低了无功补偿装置运行的可靠性。
技术实现思路
：本技术针对目前用于无功能率补偿装置存在运行动态特性差，投切时间长和投切涌流大等不足，提供一种智能低压复合开关。本技术解决上述技术问题所采用的技术方案：一种智能低压复合开关，直流电源经过电阻一与单向可控硅一的输入端连接；光电开关的输入端与控制端连接，输出端正极控制三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极与直流电源连接，三极管Q1的的集电极经过电阻二与单向可控硅二的输入端连接；所述单向可控硅一的输出端与双向可控硅的输入端连接；单向可控硅二的输出端之一经过电阻三与单向可控硅一的控制端连接，单向可控硅二的输出端之二与双向可控硅的控制端连接；三极管Q1的集电极经过电阻四与单向可控硅二的控制端连接；双向可控硅的输入端和输出端并列有磁保持继电器，双向可控硅的输入端经过电阻五与电源线一连接，双向可控硅的输出端经过电容与电源线二连接。双向可控硅的输入端和输出端并列有阻值可调的电阻。三极管Q1的集电极经过电阻四与三极管Q2的发射极连接，三极管Q2的集电极接地，三极管Q2的基极经过电阻六与直流电源连接。本技术的有益效果：本技术融合了可控硅模块和磁保持继电器的双重优点，使复合开关在投切的瞬间具有可控硅过零投切的优点，在正常接通期间依然具有磁保持继电器无功损耗的优点，弥补了可控硅模块和磁保持继电器在低压无功补偿应用方面的不足。本技术通过较少的器件模块实现了对无功补偿器的智能投切，功能较为齐全，整体造价较低，且各器件模块集成在一起，整体体积较小，使用十分方便。本技术能够确保无功补偿电容器的过零投切，最大限度地减小了涌流和能耗，同时能够保护触点不烧结，确保了使用时的安全性。附图说明：图1是本技术的开关电路图。具体实施方式：采用如图1所示的智能复合开关。该智能复合开关配有直流电源或控制器。直流电源可以是独立的干蓄电池或者经过便于蒸馏后的直流电源。输入端采用光电开关K0，光电开关K0的输入端与控制端连接，控制端可以通过控制器或者其他控制元件。光电开关K0的输出端正极通过电阻R7连接三极管Q1的基极，光电开关K0的输出端负极接地。三极管Q1的发射极与直流电源连接，三极管Q1的的集电极经过电阻R2与单向可控硅S2的输入端连接。双向可控硅的输入端和输出端并列有阻值可调的电阻和电容C3。直流电源经过电阻R1与单向可控硅S1的输入端连接，单向可控硅一的输出端与双向可控硅的输入端连接。双向可控硅的输入端和输出端并列有磁保持继电器，双向可控硅的输入端经过电阻R5与电源线一连接，双向可控硅的输出端经过电容与电源线二连接。单向可控硅S2的输出端之一经过电阻R3与单向可控硅S1的控制端连接，单向可控硅S2的输出端之二与双向可控硅的控制端连接。三极管Q1的集电极经过电阻R4与单向可控硅S2的控制端连接。三极管Q1的集电极经过电阻R4与三极管Q2的发射极连接，三极管Q2的集电极接地，三极管Q2的基极经过电阻R6与直流电源连接。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种智能低压复合开关，其特征是：直流电源经过电阻一与单向可控硅一的输入端连接；光电开关的输入端与控制端连接，输出端正极控制三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极与直流电源连接，三极管Q1的的集电极经过电阻二与单向可控硅二的输入端连接；所述单向可控硅一的输出端与双向可控硅的输入端连接；单向可控硅二的输出端之一经过电阻三与单向可控硅一的控制端连接，单向可控硅二的输出端之二与双向可控硅的控制端连接；三极管Q1的集电极经过电阻四与单向可控硅二的控制端连接；双向可控硅的输入端和输出端并列有磁保持继电器，双向可控硅的输入端经过电阻五与电源线一连接，双向可控硅的输出端经过电容与电源线二连接。

【技术特征摘要】
1.一种智能低压复合开关，其特征是：直流电源经过电阻一与单向可控硅一的输入端连接；光电开关的输入端与控制端连接，输出端正极控制三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极与直流电源连接，三极管Q1的的集电极经过电阻二与单向可控硅二的输入端连接；所述单向可控硅一的输出端与双向可控硅的输入端连接；单向可控硅二的输出端之一经过电阻三与单向可控硅一的控制端连接，单向可控硅二的输出端之二与双向可控硅的控制端连接；三极管Q1的集电极经过电阻四与单...

【专利技术属性】
技术研发人员：王旭龙，张志东，贠永贤，
申请(专利权)人：河南瑞尔电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：河南,41