一种业务恢复方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例涉及一种业务恢复方法及装置，该方法包括：当接收到系统复位重启请求时，保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及DRAM中的部分配置数据，所述DRAM中的部分配置数据为在DRAM初始化过程中需要使用的数据；配置所述DRAM从第一状态切换为第二状态；其中，所述DRAM在所述第一状态下由外部控制器向所述DRAM发送刷新命令以维持所述DRAM中的数据存储状态不变；所述DRAM在所述第二状态下由所述DRAM自身控制所述DRAM执行刷新操作以维持所述DRAM中的数据存储状态不变；对系统进行复位重启操作；配置所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态；利用保存的所述芯片内部状态、芯片内部配置数据以及所述DRAM中的部分配置数据进行业务恢复。本发明专利技术可以有效减少业务恢复时间，减少业务中断时间。

【技术实现步骤摘要】
一种业务恢复方法及装置
本专利技术实施例涉及一种业务恢复方法及装置。
技术介绍
在现有的通信设备系统或计算机系统中，将大量系统运行相关的配置数据存储在系统芯片外部的动态随机存储器(英文全称为DynamicRandomAccessMemory，英文缩写为DRAM)中。这些配置数据对系统正常运行起着至关重要的作用，如果配置数据丢失，系统业务将会出现中断。然而，当遇到系统故障或者系统需要升级时，往往需要对设备进行复位重启，这时存储在所述DRAM中的配置数据将会全部丢失。随着通信设备带宽和处理能力的增加，DRAM中存储的配置数据量也越来越大。因此，如何快速恢复配置数据、减少业务中断时间成为一个亟需解决的问题。现有技术存在两种方法在设备复位重启时来恢复配置数据，一种是在设备复位重启前将DRAM中的全部配置数据保存在硬盘中，设备复位后再从硬盘恢复所述配置数据；一种是在设备复位重启前不保存配置数据，而是在设备复位后由主控制器重新下发相关配置数据以进行业务恢复。这两种方法均存在配置数据恢复时间长、业务中断时间长的缺陷，特别是当DRAM中存储的配置数据量较多时，配置数据恢复的时间需要几十秒甚至几分钟的时间。因此，亟需一种在系统重启时快速恢复业务的方法和装置，以解决现有技术存在的配置数据恢复时间长、业务中断时间长的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种业务恢复方法和装置，可以有效减少系统重启时的配置数据恢复时间，有效提高系统业务恢复速度，减少业务中断时间。为此，本专利技术实施例提供如下技术方案：根据本专利技术实施例的第一方面，提供了一种业务恢复方法，所述方法包括：当接收到系统复位重启请求时，保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据，所述DRAM中的部分配置数据为在所述DRAM初始化过程中需要使用的数据；配置所述DRAM从第一状态切换为第二状态；其中，所述DRAM在所述第一状态下由外部控制器向所述DRAM发送刷新命令以维持所述DRAM中的数据存储状态不变；所述DRAM在所述第二状态下由所述DRAM自身控制所述DRAM执行刷新操作以维持所述DRAM中的数据存储状态不变；对系统进行复位重启操作；配置所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态；利用保存的所述芯片内部状态、所述芯片内部配置数据以及所述DRAM中的部分配置数据进行业务恢复。在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述保存芯片内部状态、所述芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据包括：保存芯片内部状态、所述芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据至所述DRAM、硬盘或者主机系统中的一个或多个上。在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述DRAM在所述系统进行复位重启操作过程中处于所述第二状态。在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述外部控制器具体为DRAM控制器，所述配置所述DRAM从第一状态切换为第二状态包括：判断所述系统是否处于快速恢复模式；如果是，则由所述DRAM控制器控制所述DRAM从所述第一状态切换为所述第二状态。在第一方面的第四种可能的实现方式中，所述外部控制器具体为DRAM控制器，所述方法还包括：确定所述DRAM控制器的当前工作模式；所述DRAM控制器的工作模式包括第一工作模式和第二工作模式，其中，所述DRAM控制器在所述第一工作模式下向所述DRAM发送刷新命令以维持所述DRAM中的数据存储状态不变；所述DRAM控制器在所述第二工作模式下向所述DRAM发送复位命令以改变所述DRAM的数据存储状态；所述配置所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态包括：当确定所述DRAM控制器的当前工作模式为所述第一工作模式时，由所述DRAM控制器控制所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态，对所述DRAM进行初始化操作，避免对所述DRAM中的数据进行全空间自检操作。结合第一方面的第四种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，所述方法还包括：当确定所述DRAM控制器的当前工作模式为所述第二工作模式时，对所述DRAM进行初始化操作，对所述DRAM中的数据进行全空间自检操作。根据本专利技术实施例的第二方面，提供了一种业务恢复装置，所述装置包括：保存单元，用于当接收到系统复位重启请求时，保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据，所述DRAM中的部分配置数据为在所述DRAM初始化过程中需要使用的数据；第一配置单元，用于配置所述DRAM从第一状态切换为第二状态；其中，所述DRAM在所述第一状态下由外部控制器向所述DRAM发送刷新命令以维持所述DRAM中的数据存储状态不变；所述DRAM在所述第二状态下由所述DRAM自身控制所述DRAM执行刷新操作以维持所述DRAM中的数据存储状态不变；复位重启单元，用于对系统进行复位重启操作；第二配置单元，用于配置所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态；恢复单元，用于利用所述保存单元保存的所述芯片内部状态、芯片内部配置数据以及所述DRAM中的部分配置数据进行业务恢复。在第二方面的第一种可能的实现方式中，所述保存单元具体用于：保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据至所述DRAM、硬盘和主机系统中的一个或多个上。在第二方面的第二种可能的实现方式中，所述DRAM在所述系统进行复位重启操作过程中处于所述第二状态。在第二方面的第三种可能的实现方式中，所述外部控制器具体为DRAM控制器，所述第一配置单元包括：判断单元，用于判断所述系统是否处于快速恢复模式；切换单元，用于当所述判断单元的判断结果为是时，由所述DRAM控制器控制所述DRAM从所述第一状态切换为所述第二状态。在第二方面的第四种可能的实现方式中，所述外部控制器具体为DRAM控制器，所述装置还包括：确定单元，用于确定所述DRAM控制器的当前工作模式；所述DRAM控制器的工作模式包括第一工作模式和第二工作模式，其中，所述DRAM控制器在所述第一工作模式下向所述DRAM发送刷新命令以维持所述DRAM中的数据存储状态不变；所述DRAM控制器在所述第二工作模式下向所述DRAM发送复位命令以改变所述DRAM的数据存储状态；所述第二配置单元具体用于：当所述确定单元确定所述DRAM控制器的当前工作模式为所述第一工作模式时，由所述DRAM控制器控制所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态，对所述DRAM进行初始化操作，避免对所述DRAM中的数据进行全空间自检操作。结合第二方面的第四种可能的实现方式，在第二方面的第五种可能的实现方式中，所述装置还包括：初始自检单元，用于当所述确定单元确定所述DRAM控制器的当前工作模式为所述第二工作模式时，对所述DRAM进行初始化操作，对所述DRAM中的数据进行全空间自检操作。本专利技术实施例提供的业务恢复方法及装置，在系统复位重启前，保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及少量DRAM配置数据，并配置所述DRAM从第一状态切换为第二状态，其中，所述DRAM在所述第二状态下处于自刷新状态可以维持自身保存的数据不丢失；当系统复位重启后，只需利用保存的少量芯片内部状态、芯片内部配置数据以及少量DRAM配置数据进行业务恢复，由此大大减本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种业务恢复方法，其特征在于，所述方法包括：当接收到系统复位重启请求时，保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据，所述DRAM中的部分配置数据为在所述DRAM初始化过程中需要使用的数据；配置所述DRAM从第一状态切换为第二状态；其中，所述DRAM在所述第一状态下由外部控制器向所述DRAM发送刷新命令以维持所述DRAM中的数据存储状态不变；所述DRAM在所述第二状态下由所述DRAM自身控制所述DRAM执行刷新操作以维持所述DRAM中的数据存储状态不变；对系统进行复位重启操作；配置所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态，完成对所述DRAM的初始化操作，在初始化过程中仅对DRAM进行有限地址读写操作，所述有限地址读写操作对应的数据与保存的所述DRAM中的部分配置数据具有对应关系；利用保存的所述芯片内部状态、所述芯片内部配置数据以及所述DRAM中的部分配置数据进行业务恢复；其中，所述DRAM中的部分配置数据用于恢复所述DRAM在初始化操作中发生改变的数据。

【技术特征摘要】
1.一种业务恢复方法，其特征在于，所述方法包括：当接收到系统复位重启请求时，保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据，所述DRAM中的部分配置数据为在所述DRAM初始化过程中需要使用的数据；配置所述DRAM从第一状态切换为第二状态；其中，所述DRAM在所述第一状态下由外部控制器向所述DRAM发送刷新命令以维持所述DRAM中的数据存储状态不变；所述DRAM在所述第二状态下由所述DRAM自身控制所述DRAM执行刷新操作以维持所述DRAM中的数据存储状态不变；对系统进行复位重启操作；配置所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态，完成对所述DRAM的初始化操作，在初始化过程中仅对DRAM进行有限地址读写操作，所述有限地址读写操作对应的数据与保存的所述DRAM中的部分配置数据具有对应关系；利用保存的所述芯片内部状态、所述芯片内部配置数据以及所述DRAM中的部分配置数据进行业务恢复；其中，所述DRAM中的部分配置数据用于恢复所述DRAM在初始化操作中发生改变的数据。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据包括：保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据至所述DRAM、硬盘和主机系统中的一个或多个上。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述DRAM在所述系统进行复位重启操作过程中处于所述第二状态。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外部控制器具体为DRAM控制器，所述配置所述DRAM从第一状态切换为第二状态包括：判断所述系统是否处于快速恢复模式；如果是，则由所述DRAM控制器控制所述DRAM从所述第一状态切换为所述第二状态。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外部控制器具体为DRAM控制器，所述方法还包括：确定所述DRAM控制器的当前工作模式；所述DRAM控制器的工作模式包括第一工作模式和第二工作模式，其中，所述DRAM控制器在所述第一工作模式下向所述DRAM发送刷新命令以维持所述DRAM中的数据存储状态不变；所述DRAM控制器在所述第二工作模式下向所述DRAM发送复位命令以改变所述DRAM的数据存储状态；所述配置所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态包括：当确定所述DRAM控制器的当前工作模式为所述第一工作模式时，由所述DRAM控制器控制所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态，对所述DRAM进行初始化操作，避免对所述DRAM中的数据进行全空间自检操作。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当确定所述DRAM控制器的当前工作模式为所述第二工作模式时，对所述DRAM进行初始化操作，对所述DRAM中的数据进行全空间自检操作。7.一种业务恢复装置，其特征在于，所述装...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡浩涵，刘荣斌，张晋，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44