具有低功耗的手持PAD制造技术

技术编号:17657461 阅读:29 留言:0更新日期:2018-04-08 09:56
本实用新型专利技术公开了一种具有低功耗的手持PAD,包括主控制PMU,公网模块、GPS模块和前后置摄像头,主控制PMU的电源输出端口与MOS管的源极连接,MOS管的漏极与GPS模块的电源端连接,主控制PMU的电源输出端口通过电阻R2与MOS管栅极连接,MOS管栅极通过电阻R3与三极管Q1的集电极连接,三极管的基极通过电阻R4与主控制PMU的控制端一连接;本实用新型专利技术中GPS控制模块和全网通/专网部分主要是通过MOS管和三极管来控制电源电路,GPS控制模块和全网通/专网部分的电源由MOS管Q8001来控制,休眠状态下关闭此电源,以降低功耗,为防止MOS管不完全导通,增加了三极管Q8013,以保证系统工作的稳定。

【技术实现步骤摘要】
具有低功耗的手持PAD
本技术属于便携终端电源改进
,具体涉及一种具有低功耗的手持PAD。
技术介绍
智能终端设备是结合了主控制PMU(电源管理单元),公网模块、GPS模块和前后置摄像头功能,可供客户浏览网页、收发电子邮件的智能便携终端。智能便携终端为了节约电量,通常会减少硬件本身的功率消耗,并且关闭当前未处于工作状态的设备,或者使这些设备进入低功耗的状态,从而减少智能便携终端整体的电量消耗,延长使用时间。目前现有智能便携终端在实现功能时采用AP(ApplicationProcessor,应用处理器)与CP(CommunicationProcessor,通信处理器)结合的架构,其中,AP完成如音视频播放、文档阅读与处理等功能;CP为应用处理器提供通讯通路,实现通信功能。由于智能便携终端的网络无线信号会随着终端所处位置的不同而发生变化,每当CP获知无线网络信号发生改变时,会将处于休眠状态的AP唤醒,由AP通过CP读取无线网络信号,并根据读取的信号更新显示屏上的信号显示,使智能便携终端用户可以实时了解当前的无线网络信号状态。目前现有智能便携终端存在问题:当无线网络信号发生变化时,AP和CP都将处于工作状态,而不是处于低功耗的休眠状态,特别当智能便携终端处于移动状态时,可能会引起无线网络信号的频繁变化,而此时AP可能除了更新信号显示外,不进行其它应用处理,并且用户也并不关注此时的无线网络信号变化情况,但AP仍然需要根据网络信号的频繁变化被不断从休眠状态唤醒,由此增加了智能便携终端的功耗。
技术实现思路
本技术的目的是针对目前现有智能终端设备仍然存在功耗过大的问题,提供一种具有低功耗的手持PAD。为实现上述目的采用如下技术方案:一种具有低功耗的手持PAD,包括主控制PMU(电源管理单元),公网模块、GPS模块和前后置摄像头,其特征是:主控制PMU的VCC_IO端口与MOS管一的源极连接,MOS管一的漏极与GPS模块的电源端连接,MOS管一的源极与漏极之间并列有电阻R1,主控制PMU的VCC_IO端口通过电阻R2与MOS管栅极连接,MOS管栅极通过电阻R3与三极管Q1的集电极连接,三极管的基极通过电阻R4与主控制PMU的控制端一连接,三极管Q1的基极通过电阻R5与地连接,三极管Q1的发射极与地连接;主控制PMU的VCC_BAT端口与MOS管二的源极连接,MOS管二的漏极与公网模块的电源端连接,MOS管二的源极与漏极之间并列有电阻R6,主控制PMU的VCC_BAT端口通过电阻R7与MOS管栅极连接,MOS管栅极通过电阻R8与三极管Q1的集电极连接,三极管的基极通过电阻R9与主控制PMU的控制端一连接,三极管Q1的基极通过电阻R10与地连接,三极管Q1的发射极与地连接。主控制PMU的VCC与SOT25封装芯片的电源输入端连接,主控制PMU的信号端之一与SOT25封装芯片的信号输入端连接,SOT25封装芯片的信号输出端通过电感L后与前置摄像头的电源控制端连接;主控制PMU的VCC与SOT25封装芯片的电源输入端连接,主控制PMU的信号端之一与SOT25封装芯片的信号输入端连接,SOT25封装芯片的信号输出端与后置摄像头的电源控制端连接。主控制PMU采用RK3288芯片。主要是通过LDO单独控制相机的三路电源,通过主控的IO口来控制LDO的工作,当打开相机的时候,触发IO口输出高电平使得LDO工作,此时可以进行正常拍照,录像等,当关闭相机是,电源断开,这种设计达到降低了系统的功耗,延长待机时机。有益效果:本技术中,GPS控制模块和全网通/专网部分主要是通过MOS管和三极管来控制电源电路,GPS控制模块和全网通/专网部分的电源由MOS管Q8001来控制,休眠状态下关闭此电源,以降低功耗,为防止MOS管不完全导通,增加了三极管Q8013,以保证系统工作的稳定。启动APP时,才触发前后之摄像头的电源管理模块,对摄像头的各路电源进行供电,来启动相机进行拍照,这样做合理的控制的相机的电,做的更加灵活和智能,硬件流出控制结合,配合软件来控制,比传统的控制更加方便快捷。附图说明图1是GPS电源控制部分的电路图。图2是全网通/专网部分的电源控制电路图。图3是前置摄像头电源控制电路图。图4是后置摄像头电源控制电路图。具体实施方式具有低功耗的手持PAD包括主控制PMU(电源管理单元),公网模块、GPS模块和前后置摄像头等。主控制PMU采用RK3288芯片。RK3288集成多种功能模块,每个模块基本上都是独立供电的模式,每个模块的电源都是受控制的,已达到按需求分配及降低功耗的作用,需要模块工作时供电运行,不需要时自动断电,不同的功能模块,根据供电不同来调整对应的输出驱动能力。上电时序如表1和表2所示。表1:powerName表示:电源名称,PMUchannel表示:电源管理单元途径,TIMER(2ms)表示:耗时,outPutvoltage表示:输出电压。表2:PowerONequence为上电时序。Speclimited表示极限值范围,Typ为通常范围,TestResult为测试结果。上电时序部分的内容主要体现在系统按照上电时序以保证系统的稳定性,各家的上电时序的时间先后肯定是不一样的,这个是根据自己的需求进行配置的。电源设计时一定要满足上电时序否则会出现死机,屏闪,休眠唤醒不了等问题,这点对整个系统的运行和功耗都至关重要。通过主控控制PMU,来完成对各路电源的控制,及上电的先后时间及时间限制等,低功耗主要体现在以下几个方面。全网通/公网模块:主要是主控的IO通过三极管和MOS管来控制模块的电源,当sim插入的时候触发控制使能脚给模块供电,此时才能正常工作,进行读卡上网,正常不插卡状态下模块处于不工作状态,大大降低了系统的功耗。全网通/专网部分参见图2所示,主控制PMU的VCC_IO端口与MOS管Q8001的源极连接,MOS管Q8001的漏极与公网模块的电源端连接,MOS管Q8001的源极与漏极之间并列有电阻R8110,主控制PMU的VCC_IO端口通过电阻R8295与MOS管栅极连接,MOS管栅极通过电阻R8214与三极管Q8013的集电极连接,三极管的基极通过电阻R8294与主控制PMU的控制端一连接,三极管Q8013的基极通过电阻R8293与地连接,三极管Q8013的发射极与地连接。GPS模块:主要是主控的IO通过mos管来控制GPS模块的电源,当需要进行GPS或者差分定位的时候,触发是使能脚给模块供电,整个定位模块开始工作,来正常的实时定位。此设计也大大降低了系统的功耗,具体电路图部分参见图1,GPS控制模块,主要是通过MOS管和三极管来控制电源电路,GPS_D3V3的电源由MOS管Q8001来控制,休眠状态下关闭此电源,以降低功耗,为防止MOS管不完全导通,增加了三极管Q8013,以保证系统工作的稳定。前后置摄像头:主要是通过LDO单独控制相机的三路电源,通过主控的IO口来控制LDO的工作,当打开相机的时候,触发IO口输出高电平使得LDO工作,此时可以进行正常拍照,录像等,当关闭相机是,电源断开,这种设计达到降低了系统的功耗,延长待机时机。不需要的模块就不供电,主控RK3288的功能很多,如HDM本文档来自技高网...
具有低功耗的手持PAD

【技术保护点】
一种具有低功耗的手持PAD ,包括主控制PMU,公网模块、GPS模块和前后置摄像头,其特征是:主控制PMU的VCC_IO端口与MOS管一的源极连接,MOS管一的漏极与GPS模块的电源端连接,MOS管一的源极与漏极之间并列有电阻R1,主控制PMU的VCC_IO端口通过电阻R2与MOS管栅极连接,MOS管栅极通过电阻R3与三极管Q1的集电极连接,三极管的基极通过电阻R4与主控制PMU的控制端一连接,三极管Q1的基极通过电阻R5与地连接,三极管Q1的发射极与地连接;主控制PMU的VCC_BAT 端口与MOS管二的源极连接,MOS管二的漏极与公网模块的电源端连接,MOS管二的源极与漏极之间并列有电阻R6,主控制PMU的VCC_ BAT端口通过电阻R7与MOS管栅极连接,MOS管栅极通过电阻R8与三极管Q1的集电极连接,三极管的基极通过电阻R9与主控制PMU的控制端一连接,三极管Q1的基极通过电阻R10与地连接,三极管Q1的发射极与地连接。

【技术特征摘要】
1.一种具有低功耗的手持PAD,包括主控制PMU,公网模块、GPS模块和前后置摄像头,其特征是:主控制PMU的VCC_IO端口与MOS管一的源极连接,MOS管一的漏极与GPS模块的电源端连接,MOS管一的源极与漏极之间并列有电阻R1,主控制PMU的VCC_IO端口通过电阻R2与MOS管栅极连接,MOS管栅极通过电阻R3与三极管Q1的集电极连接,三极管的基极通过电阻R4与主控制PMU的控制端一连接,三极管Q1的基极通过电阻R5与地连接,三极管Q1的发射极与地连接;主控制PMU的VCC_BAT端口与MOS管二的源极连接,MOS管二的漏极与公网模块的电源端连接,MOS管二的源极与漏极之间并列有电阻R6,主控制PMU的VCC_BAT端口通过电阻R7与MOS管栅极连接,MOS管栅极通...

【专利技术属性】
技术研发人员:马金柱李华敏
申请(专利权)人:河南华道科技有限公司
类型:新型
国别省市:河南,41

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