利用半导体三极管实现的G‑M计数管高压隔离电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种利用半导体三极管实现的G‑M计数管高压隔离电路，属于G‑M计数管高压隔离电路技术领域，以解决目前的G‑M计数管高压隔离电路中使用电磁继电器存在体积重量大、功耗较高以及存在开关噪声干扰等缺点的问题。包括限流电阻R1、NPN型三极管Q1、高压限流电阻R2、高压偏置电阻R3、限流电阻R4、PNP型三极管Q2、G‑M计数管GM1、阳极电阻R6和阴极电阻R5；R1一端用于与控制端连接，R1另一端与Q1基极连接，Q1发射极接地，Q1集电极与R2一端连接，R2另一端分别与R3一端和R4一端连接，R3另一端分别与高压+HV和Q2发射极连接，R4另一端与Q2基极连接，Q2集电极与R6一端连接，R6另一端与GM1阳极连接，R5一端与GM1阴极连接，R5另一端接地。

【技术实现步骤摘要】
利用半导体三极管实现的G-M计数管高压隔离电路
本技术涉及G-M计数管高压隔离电路
，尤其涉及一种利用半导体三极管实现的G-M计数管高压隔离电路。
技术介绍
G-M计数管(盖革计数管)是一种辐射探测器，由于具有结构简单、阻抗高、输出信号幅度大、信噪比高等优点，因此得到了广泛应用。在双G-M计数管辐射监测仪表中，两只G-M计数管分别对应不同的量程范围，且两只G-M计数管可以根据剂量率水平进行切换，在低剂量率时使用低量程G-M计数管进行测量而将高量程G-M计数管高压隔离，在高剂量率时使用高量程G-M计数管进行测量而将低量程G-M计数管高压隔离，以避免两只G-M计数管输出互相影响，更重要的是避免低量程G-M计数管因输出过载而失效，以延长其使用寿命。在实现G-M计数管的隔离和切换使用时，目前常在G-M计数管的高压隔离电路中使用电磁继电器来实现。然而，对于电池供电的便携式辐射监测仪表来说，电磁继电器存在体积重量大、功耗较高以及存在开关噪声干扰等缺点。
技术实现思路
本技术的目的是解决目前的G-M计数管高压隔离电路中使用电磁继电器来对G-M计数管进行高压隔离和切换时，存在体积重量大、功耗较高以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用半导体三极管实现的G‑M计数管高压隔离电路，其特征在于，包括限流电阻R1、NPN型三极管Q1、高压限流电阻R2、高压偏置电阻R3、限流电阻R4、PNP型三极管Q2、G‑M计数管GM1、阳极电阻R6和阴极电阻R5；所述限流电阻R1的一端用于与控制端连接且控制端用于输出高电平或低电平，限流电阻R1的另一端与NPN型三极管Q1的基极连接，所述NPN型三极管Q1的发射极接地，NPN型三极管Q1的集电极与高压限流电阻R2的一端连接，所述高压限流电阻R2的另一端分别与高压偏置电阻R3的一端和限流电阻R4的一端连接，所述高压偏置电阻R3的另一端分别与高压+HV和PNP型三极管Q2的发射极连接，所述限...

【技术特征摘要】
1.一种利用半导体三极管实现的G-M计数管高压隔离电路，其特征在于，包括限流电阻R1、NPN型三极管Q1、高压限流电阻R2、高压偏置电阻R3、限流电阻R4、PNP型三极管Q2、G-M计数管GM1、阳极电阻R6和阴极电阻R5；所述限流电阻R1的一端用于与控制端连接且控制端用于输出高电平或低电平，限流电阻R1的另一端与NPN型三极管Q1的基极连接，所述NPN型三极管Q1的发射极接地，NPN型三极管Q1的集电极与高压限流电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：张佳，刘利明，乔敏娟，白宁，任熠，王建飞，程昶，杜向阳，
申请(专利权)人：山西中辐核仪器有限责任公司，
类型：新型
国别省市：山西,14