使用了气体放大的放射线检测器和其制造方法以及基于其的放射线检测方法技术

本发明专利技术提供使用了气体放大的放射线检测器、使用了气体放大的放射线检测器的制造方法、以及基于使用了气体放大的放射线检测器的放射线检测方法。使用了气体放大的放射线检测器包括：绝缘部件，具有第一面与位于所述第一面的背面侧的第二面；第一电极层，设于所述绝缘部件的所述第一面上，并且具有圆形状的开口部；像素电极，位于所述开口部的内侧；第二电极层，设于所述绝缘部件的所述第二面上；以及通路导体，经由所述绝缘部件内而以一端面接合于所述第二电极层，并且另一端面接合于所述像素电极，所述通路导体的所述另一端面侧的至少一部分呈圆柱状或者圆锥台状的形状，并且该通路导体的外径在所述一端面为最小。

A gas amplification radiography detector, a gas amplification radiography detector and a radiographic inspection method based on gas amplification radiography detector are used.

The invention provides a radiation detector using gas amplification, a manufacturing method of a radiation detector using gas amplification, and a radiation detection method based on a gas amplification radiographic detector. The use of a radiation detector includes gas amplification of the insulating member has a first surface, and is located on the first surface side of the second surface; a first electrode layer arranged on the insulating part of the first surface, opening and has a circular shape; the pixel electrode, the inside on the opening part; second the second electrode layer arranged on the surface of insulating parts; and a path through the conductor, and an end to the insulating components connected to the second electrode layer, and the other end connected to the pixel electrode, at least the via conductor the other end surface of a part of the show a cylindrical or conical shape, and the outer diameter of the via conductor in an end of the minimum.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用了气体放大的放射线检测器、使用了气体放大的放射线检测器的制造方法、以及基于使用了气体放大的放射线检测器的放射线检测方法
本专利技术涉及使用了基于像素型电极的气体放大的放射线检测器、使用了气体放大的放射线检测器的制造方法、以及基于使用了气体放大的放射线检测器的放射线检测方法。
技术介绍
作为利用了气体放大的放射线检测器，以往，使用了像素型的放射线检测器。该放射线检测器采用了例如在两面印刷电路基板的表面形成条状阴极电极，并且在背面形成阳极条，在条状阴极电极以一定间隔形成开口部，并且在开口部的中心形成与背面的阳极条连接的圆柱状阳极电极即像素电极那样的构成。此外，上述放射线检测器例如配置在氩与甲烷的混合气体中。另外，上述像素电极被施加了例如+600V的电压。在上述放射线检测器中，若向上述检测器内入射规定的放射线，则上述气体电离而生成电子，该电子因施加于上述条状阴极电极与上述像素电极之间的大电压、以及因上述像素电极的则点电极的形态(形状各向异性)而生成的强力的电场，引发电子雪崩放大。另一方面，因上述电子雪崩放大而产生的正离子朝向周围的上述条状阴极电极漂移。其结果，成为对象的条状阴极电极以及像素电极被分别充电有正离子与电子。因此，通过检测这样生成了电荷的条状阴极电极以及像素电极的位置，能够确定出放射线的检测器中的入射位置，能够进行放射线的检测(专利文献1)。在上述放射线检测器中，若增大施加于像素电极的电压，则生成的电场的强度也增大，上述电子雪崩放大变得显著，因此条状阴极电极以及像素电极所生成的电荷量增大，放射线的灵敏度(气体放大率)提高。另一方面，若增大施加于像素电极的电压，则由于接合于像素电极的通路导体的形状所引起的异常放电，存在导致像素电极以及通路导体破损的情况。另外，若减小施加于像素电极的电压，则虽然上述异常放电减少，但上述电子雪崩放大的程度也变小，放射线的检测灵敏度将会降低。出于这种观点，尝试了取代增大施加于像素电极的电压，而是将接合于像素电极的通路导体缩小化来使生成的电场的强度提高。然而，上述通路导体是在形成于印刷电路基板内的贯通孔内实施电镀填孔而形成的，因此为了将通路导体缩小化，上述贯通孔也需要进行缩小化。另一方面，若将贯通孔缩小化，则不能在上述贯通孔内均匀地进行电镀填孔，不能形成均匀的通路导体，会在上述像素电极产生异常放电、绝缘破坏、灵敏度偏差(担心低灵敏度的像素增加)等问题。因此，上述通路导体的缩小化取决于其制造方法而自然受到限制(专利文献2)。同样，也尝试了取代增大施加于像素电极的电压而在放射线检测器安装GEM(GasElectronMultiplier；气体电子放大器)，但会因GEM的繁琐的设置而产生放大的偏差，也存在不能稳定地进行放射线检测这一问题。其结果，现状中存在不能充分地提高上述像素型的放射线检测器的灵敏度(气体放大率)的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002－006047号公报专利文献2：日本特开2012－013483号公报
技术实现思路
专利技术将要解决的技术问题本专利技术的目的在于，提供一种具有充分高的灵敏度(气体放大率)的、使用了基于像素型电极的气体放大的放射线检测器、使用了气体放大的放射线检测器的制造方法、以及基于使用了气体放大的放射线检测器的放射线检测方法。用于解决技术问题的技术方案为了实现上述目的，本专利技术为一种使用了气体放大的放射线检测器，包括：绝缘部件，具有第一面与位于上述第一面的背面侧的第二面；第一电极层，设于上述绝缘部件的上述第一面上，并且具有圆形状的开口部；像素电极，位于上述开口部的内侧；第二电极层，设于上述绝缘部件的上述第二面上；以及通路导体，经由所述绝缘部件内而以一端面接合于上述第二电极层，并且另一端面接合于上述像素电极，上述通路导体的上述另一端面侧的至少一部分呈圆柱状或者圆锥台状的形状，并且该通路导体的外径在上述一端面为最小。另外，本专利技术为一种使用了气体放大的放射线检测器的制造方法，该使用了气体放大的放射线检测器包括：绝缘部件，具有第一面与位于上述第一面的背面侧的第二面；第一电极层，设于上述绝缘部件的上述第一面上，并且具有圆形状的开口部；像素电极，位于上述开口部的内侧；第二电极层，设于上述绝缘部件的上述第二面上；以及通路导体，经由所述绝缘部件内而以一端面接合于上述第二电极层，并且另一端面接合于上述像素电极，其特征在于，上述使用了气体放大的放射线检测器的制造方法具有：第一形成工序，在上述绝缘部件内形成与上述通路导体的形状对应的贯通孔；以及第二形成工序，以埋设上述贯通孔的方式进行电镀填孔，形成上述通路导体，通过上述第一以及第二形成工序获得的上述通路导体的上述另一端面侧的至少一部分呈圆柱状或者圆锥台状的形状，并且该通路导体的外径在上述一端面为最小。而且，本专利技术为一种基于使用了气体放大的放射线检测器的放射线检测方法，该使用了气体放大的放射线检测器包括：绝缘部件，具有第一面与位于上述第一面的背面侧的第二面；第一电极层，设于上述绝缘部件的上述第一面上，并且具有圆形状的开口部；像素电极，位于上述开口部的内侧；第二电极层，设于上述绝缘部件的上述第二面上；以及通路导体，经由所述绝缘部件内而以一端面接合于上述第二电极层，并且另一端面接合于上述像素电极，其特征在于，上述通路导体的上述另一端面侧的至少一部分呈圆柱状或者圆锥台状的形状，并且该通路导体的外径在上述一端面为最小。本专利技术人们为了实现本专利技术的目的而进行了深刻研究。结果发现，关于以往的、增大施加于像素电极的电压时的、取决于通路导体的形状的异常放电，在该通路导体为圆柱形状、且在其制造时在绝缘部件中形成贯通孔并且在该贯通孔内进行电镀填孔而形成通路导体时，在其内部产生空隙，在镀后的制造工序中的加热工序、气体封入工序中，由于空隙的存在，会导致镀破损、空隙的上部处的阳极电极变形，从而导致放射线检测器的灵敏度(气体放大率)不再稳定，容易产生异常放电。因此，本专利技术人们为了避免在通路导体内产生空隙而进一步进行了深刻研究。结果发现，通过使通路导体的另一端面侧的至少一部分呈圆柱状或者圆锥台状的形状，并且使该通路导体的外径在一端面为最小，从而使通路壁与表面的缘位于比通路壁与底的缘后退的位置，因此镀液容易向通路孔循环，并且即使在通路壁与表面的缘处镀生长，也能够不封堵通路地抑制空隙的产生，并且发现，能够抑制因该空隙的存在而引起的电极形状异常，能够使放大率稳定化，抑制异常放电。结果，本专利技术的使用了气体放大的放射线检测器(以下，有时称作“放射线检测器”)能够抑制取决于通路导体的形状的异常放电，因此能够增大施加于通路导体的电压，能够使放射线检测器的灵敏度(气体放大率)提高。而且，也能够抑制取决于通路导体的形状的灵敏度(气体放大率)的偏差，能够使检测精度提高。另外，在本专利技术中，上述通路导体体的另一端面侧的至少一部分呈圆柱状或者圆锥台状的形状，并且该通路导体的外径在一端面为最小。由此，第一电极层与通路导体的一端面的距离也会增大。因此，第一电极层与通路导体的一端面之间的电场较弱，其结果，能够使电场集中于像素电极的另一端面。此外，上述“圆锥台状”指的是通路导体中的例如另一端面侧的外径比一端面侧的外径大的形状。在本专利技术中，能够设为，在将通路导体的另一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用了气体放大的放射线检测器，其特征在于，包括：绝缘部件，具有第一面与位于所述第一面的背面侧的第二面；第一电极层，设于所述绝缘部件的所述第一面上，并且具有圆形状的开口部；像素电极，位于所述开口部的内侧；第二电极层，设于所述绝缘部件的所述第二面上；以及通路导体，经由所述绝缘部件内而以一端面接合于所述第二电极层，并且另一端面接合于所述像素电极，所述通路导体的所述另一端面侧的至少一部分呈圆柱状或者圆锥台状的形状，并且该通路导体的外径在所述一端面为最小。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.13 JP 2015-081578;2016.03.31 JP 2016-070701.一种使用了气体放大的放射线检测器，其特征在于，包括：绝缘部件，具有第一面与位于所述第一面的背面侧的第二面；第一电极层，设于所述绝缘部件的所述第一面上，并且具有圆形状的开口部；像素电极，位于所述开口部的内侧；第二电极层，设于所述绝缘部件的所述第二面上；以及通路导体，经由所述绝缘部件内而以一端面接合于所述第二电极层，并且另一端面接合于所述像素电极，所述通路导体的所述另一端面侧的至少一部分呈圆柱状或者圆锥台状的形状，并且该通路导体的外径在所述一端面为最小。2.根据权利要求1所述的使用了气体放大的放射线检测器，其特征在于，在设所述通路导体的所述另一端面的外径为D1、设所述通路导体的所述一端面的外径为d1的情况下，D1/d1为1.22以上且1.85以下的范围。3.根据权利要求1或2所述的使用了气体放大的放射线检测器，其特征在于，所述绝缘部件的相对介电常数为4.2以上且4.4以下。4.根据权利要求3所述的使用了气体放大的放射线检测器，其特征在于，所述绝缘部件包含聚酰亚胺以及玻璃布。5.一种使用了气体放大的放射线检测器的制造方法，该使用了气体放大的放射线检测器包括：绝缘部件，具有第一面与位于所述第一面的背面侧的第二面；第一电极层，设于所述绝缘部件的所述第一面上，并且具有圆形状的开口部；像素电极，位于所述开口部的内侧；第二电极层，设于所述绝缘部件的所述第二面上；以及通路导体，经由所述绝缘部件内而以一端面接合于所述第二电极层，并且另一端面接合于所述像素电极，其特征在于，所述使用了气体放大的放射线检测器的制造方法具有：第一形成工序，在所述绝缘部件内形成与所述通路导体的形状对应的贯通孔；以及第二形成工序，以埋设所述贯通孔的方式进行电镀填孔，形成所述通路导体，通过所述第一形...

【专利技术属性】
技术研发人员：太田浩平，本村知久，大野元纪，
申请(专利权)人：大日本印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP