一种分布式存储区块访问电路制造技术

本发明专利技术公开了一种分布式存储区块访问电路，所述电路对小容量存储单元SM采用分布式结构，根据主存储单元NM存储单元存储区块的个数n，将小容量存储单元SM划分为n区块，利用小容量存储单元SM行选择电路消除与区块选择信号Ba的相关性，根据小容量存储单元SM不同的区块，定制不同区块的行地址选择电路，使得在小容量存储单元和主存储单元选择信号axa有效时，行地址选择信号ra直接选中小容量存储单元SM中的行地址，本发明专利技术可在保证电路分布的均匀性的同时，还方便了客户对IP的使用。

【技术实现步骤摘要】
一种分布式存储区块访问电路
本专利技术涉及集成电路设计领域，特别是涉及一种分布式存储区块访问电路。
技术介绍
嵌入式非易失存储器(EFLASHMEMORY)通过存储程序代码和用户数据，以其停电还可保存数据的特性而成为嵌入式存储器中不可或缺的重要组成部分。而存储单元是Eflash(embeddedflash，嵌入式闪存)IP(Intellectualproperty知识产权)工作的核心，数据存储的位置，需要与其他控制模块一起进行擦写、存储数据操作。存储单元分为normalmemory(NM)和supervisorymemory(SM)这两种，NM是用存储客户数据/代码，可进行重复擦写、存储，SM是存储客户信息及产品信息，不需要重复擦写，只写一次。随着EflashIP容量的增大，需要综合考虑eflashIP性能，包括面积、速度、版图均匀性分布等，因此设计一个均匀分布存储单元及简单访问电路具有十分重要的现实意义。传统存储单元及地址访问电路大多采用如图1所示的方式。如图1所示，大容量存储单元NM采用分布式bank的结构，目的是为了提高eflashIP的读出速度；SM只存储客户及产品信息，因其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分布式存储区块访问电路，其特征在于：所述电路对小容量存储单元SM采用分布式结构，根据主存储单元NM存储单元存储区块的个数n，将小容量存储单元SM划分为n区块，利用小容量存储单元SM行选择电路消除与区块选择信号Ba的相关性，根据小容量存储单元SM不同的区块，定制不同区块的行地址选择电路，使得在小容量存储单元和主存储单元选择信号axa有效时，行地址选择信号ra直接选中小容量存储单元SM中的行地址。

【技术特征摘要】
1.一种分布式存储区块访问电路，其特征在于：所述电路对小容量存储单元SM采用分布式结构，根据主存储单元NM存储单元存储区块的个数n，将小容量存储单元SM划分为n区块，利用小容量存储单元SM行选择电路消除与区块选择信号Ba的相关性，根据小容量存储单元SM不同的区块，定制不同区块的行地址选择电路，使得在小容量存储单元和主存储单元选择信号axa有效时，行地址选择信号ra直接选中小容量存储单元SM中的行地址。2.如权利要求1所述的一种分布式存储区块访问电路，其特征在于，所述电路包括：小容量存储单元SM行选择电路，用于在小容量存储单元和主存储单元选择信号axa的控制下将行地址直接译码为小容量存储单元SM各区块的小容量存储单元行选择信号；主存储单元NM区块选择电路，用于将区块选择信号Ba转化为主存储单元NM区块选择信号；主存储单元NM行选择电路，用于在小容量存储单元和主存储单元选择信号axa及区块选择信号Ba的控制下将行地址Ra译码为主存储单元NM各区块的行选择信号；主存储单元区块，包括多个子区块，用于存储可擦写数据；小容量存储单元，用于存放只写一次的客户及产品信息。3.如权利要求2所述的一种分布式存储区块访问电路，其特征在于：所述区块选择信号Ba连接至所述主存储单元NM区块选择电路的输入端，所述主存储单元NM区块选择电路输出区块选择信号连接至所述主存储单元区块的各子区块，行地址Ra连接至所述小容量存储单元SM行选择电路和主存储单元NM行选择电路的输入端，小容量存储单元和主存储单元选择信号axa分别连接至所述小容量存储单元SM行选择电路和主存储单元行选择电路的控制输入端，所述主存储单元NM行选择电路输出的主存储单元行选择信号分别连接至所述主存储单元区块的各子区块的行选择控制输入端，所述小容量存储单元SM行选择电路输出的小容量存储单元行选择信号分别连接至小容量存储单元SM的各子区块的行选择控制输入端。4.如权利要求3所述的一种分布式存储区块访问电路，其特征在于，所述小容量存储单元SM行选择电路包括：小容量存储单元SM地址预处理电路，用于将行地址Ra进行预处理得到行地址同相信号和行地址反相信号；小容量存储单元各区块行选择电路，用于将行地址同相信号Rad和行地址反相信号Rab译码为小容量存储单元相应区块的小容量存储单元行选择信号。5.如权利要求4所述的一种分布式存储区块访问电路，其特征在于：所述小容量存储单元SM地址预处理电路由多个反相器实现。6.如权利要求4所述的一种分布式存储区块访问电路，其特征在于：所述小容量存储单元各区块行选择电路通过多个三输入与非门和相应的反相器实现。7.如权利要求3所述的一种分布式存储区块访问电路，其特征在于，所述小容量存储单元SM行选择电路包括：小容量存储单元SM地址预处理电路，用于将行地址Ra<4:0>进行预处理得到行地址同相信号Rad<4:0>和行地址反相信号Rab<4:0>；小容量存储单元第一区块SM0行选择电路，用于将行地址同相信号Rad<4:0>和行地址反相信号Rab<4:0>译码为小容量存储单元第一区块SM0的小容量存储单元行选择信号SM_out<5:0>；小容量存储单元第二区块SM1行...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹泽红，顾明，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31