【技术实现步骤摘要】
一种磁灵敏度温度补偿电路和可编程线性霍尔传感器芯片
本技术涉及霍尔传感器领域,具体地,涉及一种磁灵敏度温度补偿电路和可编程线性霍尔传感器芯片。
技术介绍
在霍尔薄片两端通以偏置电流I,并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的磁场,则在垂直于电流和磁场的方向上,将产生电势差,该电势差被称为霍尔电压VHallI为流过霍尔薄片的偏置电流;B为垂直霍尔薄片的磁场大小;d为霍尔薄片的厚度;k为霍尔系数,它与霍尔薄片的几何形状,材料有关。在线性霍尔传感芯片中,霍尔薄片感应环境磁场强度,产生霍尔电压,然后经过放大处理,输出与磁场强度成正比例的电压信号。当环境温度发生变化时,霍尔薄片的电阻阻值会随着温度发生变化。当霍尔薄片的工作电压固定时,电阻的变化会影响流过它的偏置电流I,从而影响到霍尔感应电压VHall的大小。当温度升高时,霍尔薄片的电阻变大,偏置电流I降低,线性霍尔传感器芯片的输出信号幅度会降低,灵敏度降低。因此,对于固定工作电压方式的霍尔薄片来说,需要有一种方法来补偿霍尔薄片偏置电流随温度变化带来的影响,以确保温度发生变化时,磁灵敏度能保持不变。
技术实现思路
本技术克服了现有技术 ...
【技术保护点】
一种磁灵敏度温度补偿电路,包括霍尔薄片和差分放大器,霍尔薄片感应磁场信号并将其转化为霍尔电压信号并输出到差分放大器的输入端,其特征在于,所述差分放大器为增益可调节的差分放大器,差分放大器上的尾电流源Ibias与绝对温度成正比,差分放大器上的负载电阻R1和R2均采用与霍尔薄片相同形状和材料的负载电阻。
【技术特征摘要】
1.一种磁灵敏度温度补偿电路,包括霍尔薄片和差分放大器,霍尔薄片感应磁场信号并将其转化为霍尔电压信号并输出到差分放大器的输入端,其特征在于,所述差分放大器为增益可调节的差分放大器,差分放大器上的尾电流源Ibias与绝对温度成正比,差分放大器上的负载电阻R1和R2均采用与霍尔薄片相同形状和材料的负载电阻。2.根据权利要求1所述的一种磁灵敏度温度补偿电路,其特征在于,所述尾电流源Ibias为能够对霍尔电压的放大倍数进行编程控制的尾电流源Ibias。3.根据权利要求1或2所述的一种磁灵敏度温度补偿电路,其特征在于,所述尾电流源Ibias包括与绝对温度成正比的电流源IPTAT和NMOS电流镜NM0,电流源IPTAT给NMOS电流镜NM0提供电流,NMOS电流镜NM0镜像该电流源IPTAT给晶体管NM1至NM4,NMOS晶体管SN1至SN4实现对晶体管NM1至NM4的开关,数字信号bit1至bit4分别控制NMOS晶体管SN1到SN4的导通与关断。4.根据权利要求3所述的一种磁灵敏度...
【专利技术属性】
技术研发人员:彭卓,陈忠志,赵翔,
申请(专利权)人:成都芯进电子有限公司,
类型:新型
国别省市:四川,51
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