一种基于NVDIMM‑F的存储方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于NVDIMM‑F的存储方法，包括：CPU在接收到待存储数据时，将待存储数据发送至NVDIMM‑F；NVDIMM‑F保存待存储数据。本发明专利技术提供的方法通过将待存储数据直接存储在NVDIMM‑F，大大提升了待存储数据传输的速率。NVDIMM‑F具有映射到内存地址空间的固态大容量内存NAND Flash，直接将数据存储在NVDIMM‑F中，相对于通过PCIe总线将待存储数据下传到固态硬盘SSD等存储介质中速率会提升许多。本发明专利技术还提供了一种基于NVDIMM‑F的存储方法系统，具有上述有益效果，在此不再赘述。

A storage method and system based on F NVDIMM

【技术实现步骤摘要】
一种基于NVDIMM-F的存储方法及系统
本专利技术涉及存储
，特别是涉及一种基于NVDIMM-F的存储方法及系统。
技术介绍
在大数据时代，海量数据传输需要占用超大的带宽，对于数据存盘和数据读取的速率提升都有强烈的需求。现有技术中，存储服务器的CPU在接收到上游服务器发送的待存储数据时，通常要通过PCIe总线将待存储数据下传到固态硬盘SSD等存储介质中，在这中间可能还会经过内存等待存储数据的暂存处。但是这种存储方法已经逐渐不能满足用户对数据存盘和数据读取速率的需求了。因此，如何提高数据存储时数据传输的速率，是本领域技术人员需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种基于NVDIMM-F的存储方法及系统，用于提高数据存储时数据传输的速率，降低传输延迟。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种基于NVDIMM-F的存储方法，包括：CPU在接收到待存储数据时，将所述待存储数据发送至所述NVDIMM-F；所述NVDIMM-F保存所述待存储数据。可选地，所述CPU将所述待存储数据发送至所述NVDIMM-F具体为：所述CPU通过DDR4总线和与所述DDR4总线连接的DIMM插槽将所述待存储数据发送至所述NVDIMM-F。可选地，还包括：当所述CPU接收到所述NVDIMM-F的热插拔信号时，启动对应的热插拔处理机制。可选地，所述CPU接收到所述NVDIMM-F的热插拔信号具体为：所述CPU接收到热插拔指令接收器发出的所述NVDIMM-F的热插拔信号。可选地，所述CPU接收到所述NVDIMM-F的热插拔信号具体为：所述CPU接收到所述DIMM插槽的热插拔检测器发出的所述NVDIMM-F的热插拔信号。为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种基于NVDIMM-F的存储系统，包括：用于接收并处理待存储数据的CPU，与所述CPU连接的用于存储所述待存储数据的NVDIMM-F。可选地，所述NVDIMM-F通过DDR4总线和与所述DDR4总线连接的DIMM插槽与所述CPU连接。可选地，还包括用于连接所述DDR4总线与所述DIMM插槽的，向所述CPU传送热插拔信号的外围电路；相应的，所述CPU还用于在接收到所述热插拔信号后启动对应的热插拔处理机制。可选地，还包括与所述外围电路连接的用于在接收到用户的热插拔指令后将热插拔信号发送至所述CPU的热插拔指令接收器。可选地，所述DIMM插槽还包括用于检测所述NVDIMM-F的连接情况并在所述NVDIMM-F的连接情况发生变化时向所述CPU发出热插拔信号的热插拔检测器。本专利技术所提供的基于NVDIMM-F的存储方法，包括：CPU在接收到待存储数据时，将待存储数据发送至NVDIMM-F；NVDIMM-F保存待存储数据。本专利技术提供的方法通过将待存储数据直接存储在NVDIMM-F，大大提升了待存储数据传输的速率。NVDIMM-F具有映射到内存地址空间的固态大容量内存NANDFlash，直接将数据存储在NVDIMM-F中，相对于通过PCIe总线将待存储数据下传到固态硬盘SSD等存储介质中速率会提升许多。本专利技术所提供的基于NVDIMM-F的存储方法系统，具有上述有益效果，在此不再赘述。附图说明为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种基于NVDIMM-F的存储方法的流程图；图2为本专利技术实施例提供的另一种基于NVDIMM-F的存储方法的流程图；图3为本专利技术实施例提供的一种基于NVDIMM-F的存储系统的示意图。具体实施方式本专利技术的核心是提供一种基于NVDIMM-F的存储方法，用于提高数据存储时数据传输的速率，降低传输延迟。下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1为本专利技术实施例提供的一种基于NVDIMM-F的存储方法的流程图。如图1所示，基于NVDIMM-F的存储方法包括：S10：CPU在接收到待存储数据时，将待存储数据发送至NVDIMM-F。S11：NVDIMM-F保存待存储数据。在具体实施中，对于步骤S10来说，CPU具体为存储服务器的CPU，用于接收到上游服务器发送的待存储数据。CPU与上游服务器之间可通过主机总线适配卡HBA连接。可选地，所述CPU可以通过DDR4总线和与DDR4总线连接的DIMM插槽将待存储数据发送至所述NVDIMM-F。NVDIMM-F插在DIMM插槽中，通过DDR4总线连接CPU和DIMM插槽即可连接CPU和NVDIMM-F。还可以用DDR5总线连接CPU和DIMM插槽。对于步骤S11来说，NVDIMM-F映射NAND到内存地址空间，实现内存映射的(Memorymapped)NANDFlash，而DRAM不被系统映射；通过一个共享的命令缓冲器的块导向的即可实现对NVDIMM-F的访问；NANDFlash的容量一般在100GB-1TB之间，命令缓冲可以是DRAM或是SRAM。延迟在10微秒水平线上。由NVDIMM-F直接保存待存储数据，可以避免由PCIe总线引入固态硬盘SSD的延迟，使整个存储系统更加简单。本专利技术实施例提供的基于NVDIMM-F的存储方法，包括：CPU在接收到待存储数据时，将待存储数据发送至NVDIMM-F；NVDIMM-F保存待存储数据。本专利技术提供的方法通过将待存储数据直接存储在NVDIMM-F，大大提升了待存储数据传输的速率。NVDIMM-F具有映射到内存地址空间的固态大容量内存NANDFlash，直接将数据存储在NVDIMM-F中，相对于通过PCIe总线将待存储数据下传到固态硬盘SSD等存储介质中速率会提升许多。图2为本专利技术实施例提供的另一种基于NVDIMM-F的存储方法的流程图。如图2所示，在上述实施例的基础上，在另一实施例中，基于NVDIMM-F的存储方法还包括：S20：当CPU接收到NVDIMM-F的热插拔信号时，启动对应的热插拔处理机制。需要说明的是，步骤S20与其他步骤无顺序关系。在现有技术中，NVDIMM-F无法像硬盘一样进行热插拔更换。为了方便NVDIMM-F的热插拔更换，可以将DIMM插槽和外围电路做成单独的热插拔模块，通过高速连接器与CPU端进行通信。这个热插拔模块可以是将DIMM插槽、高速连接器及外围电路固定在PCB板上，并设置开关、指示灯等装置。可以设置通过开关直接控制整个热插拔模块与CPU的连接关系，也可以通过指示灯指示NVDIMM-F是否与DIMM插槽正常连接。在具体实施中，可选地，CPU接收到的NVDIMM-F的热插拔信号可以来自热插拔指令接收器。可以在热插拔模块上设置一个输入装置，即热插拔指令接收器。热插拔指令接收器可以是一个按钮，用户需要将NVDIMM-F热插拔时，先按下按钮；热插拔指令接收器接收到用户输入的热插拔指令后，向CPU发出热插拔信号。可选地，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于NVDIMM‑F的存储方法，其特征在于，包括：CPU在接收到待存储数据时，将所述待存储数据发送至所述NVDIMM‑F；所述NVDIMM‑F保存所述待存储数据。

【技术特征摘要】
1.一种基于NVDIMM-F的存储方法，其特征在于，包括：CPU在接收到待存储数据时，将所述待存储数据发送至所述NVDIMM-F；所述NVDIMM-F保存所述待存储数据。2.根据权利要求1所述的存储方法，其特征在于，所述CPU将所述待存储数据发送至所述NVDIMM-F具体为：所述CPU通过DDR4总线和与所述DDR4总线连接的DIMM插槽将所述待存储数据发送至所述NVDIMM-F。3.根据权利要求2所述的存储方法，其特征在于，还包括：当所述CPU接收到所述NVDIMM-F的热插拔信号时，启动对应的热插拔处理机制。4.根据权利要求3所述的存储方法，其特征在于，所述CPU接收到所述NVDIMM-F的热插拔信号具体为：所述CPU接收到热插拔指令接收器发出的所述NVDIMM-F的热插拔信号。5.根据权利要求3所述的存储方法，其特征在于，所述CPU接收到所述NVDIMM-F的热插拔信号具体为：所述CPU接收到所述DIMM插槽的热插拔检测器发出的所述NVDIMM...

【专利技术属性】
技术研发人员：张政，孟瑶，
申请(专利权)人：郑州云海信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41