用于电镀液的添加剂制造技术

一种用于电镀液的添加剂，提供了一种化合物，包含一种或多种式(I)化合物与一种或多种式(II)化合物的反应产物。在金属电镀液中包括卤化嘧啶与亲核连接单元的反应产物，用来提供良好的均镀能力。电镀液可用来在印刷电路板和半导体上电镀金属，例如铜、锡及其合金，以及填充过孔和通孔。

Additives used in electroplating solution

An additive for electroplating bath provides a compound containing one or more compounds (I) and one or more compounds (II). The metal plating solution includes the reaction products of pyrimidine and nucleophilic connection units to provide good plating ability. The plating liquid can be used in printed circuit board and semiconductor metal plating, such as copper, tin and tin alloy, and filling the via holes through hole.

【技术实现步骤摘要】
用于电镀液的添加剂
本专利技术涉及用于电镀液的添加剂。更具体地，本专利技术涉及用于电镀液的添加剂，其为卤化嘧啶与亲核连接单元的反应产物，其可用于金属电镀液，以提供良好的均镀能力。专利技术背景用金属涂层电镀工件的方法通常涉及在电镀液中两个电极之间通过电流，其中一个电极是待镀工件。典型的酸性铜电镀液包含：溶解的铜，通常是硫酸铜；用量足以为镀液提供导电性的酸性电解质，例如硫酸；卤化物源；以及用来改善电镀均匀性和金属沉积质量的所有添加剂。其中，这类添加剂包括整平剂、促进剂和抑制剂。电解性铜镀液用于多种工业应用，例如装饰和抗腐蚀涂层，以及电子工业，特别用于制造印刷电路板和半导体。对于电路板制造，通常，铜电镀在印刷电路板表面的选定部分上、盲孔和沟槽之中以及从电路板基体材料表面之间穿过的过孔(through-hole)壁上。在铜电镀在这些孔表面上之前，首先对盲孔、沟槽和过孔的暴露表面，即壁和底面进行导电处理，例如通过金属化学镀。镀覆后的过孔提供了从一个板表面到另一个的导电通路。通孔和沟槽提供了电路板内层之间的导电通路。对于半导体的制造，铜电镀在包含各种元件，如通孔、沟槽或其组合的晶片表面上。通孔(via)和沟槽金属化可以使半导体器件的不同层之间具有导电性。众所周知，在某些电镀领域，例如在印刷电路板(“PCB”)电镀中，在电镀液中使用整平剂对在基材表面上获得均匀的金属沉积可能是关键的。电镀具有不规则形貌的基材可能引起困难。在电镀过程中，在表面中的孔内通常产生电压降，这导致在表面和孔之间形成不均匀金属沉积。电镀不规则度在电压降相对极端的情形下，也就是说，在孔又窄又高的情形下更加严重。结果是，具有基本上均匀厚度的金属层在制造电子器件时是一个挑战性的步骤。整平剂通常用于铜电镀液中，用来在电子器件中提供基本上均匀的，或平整的铜层。电子器件的便携性结合增加功能性的趋势已经促使PCB小型化。具有过孔互连的常规多层PCB不总是实际的解决方案。已经发展出用于高密度互连的替代性方法，例如利用盲孔的顺序内建技术。在使用盲孔的过程中，目标之一是使通孔填充最大化的同时使通孔和基材表面之间的铜沉积的厚度变化最小化。当PCB同时含有过孔和盲孔时，这特别有挑战性。在铜电镀液中使用整平剂以使基材表面上的沉积平整并且改善电镀液的均镀能力。均镀能力定义为过孔中心铜沉积厚度与表面上铜厚度的比率。同时包含过孔和盲孔的更新型PCB正被制造。目前的镀液添加剂，特别是目前的整平剂，在基材表面和填充的过孔和盲孔之间不总是提供平整的铜沉积。通孔填充的特征在于填充的通孔内的铜和表面之间的高度差。相应地，在本领域中仍然存在对用于提供水平的铜沉积同时支持镀液的均镀能力的PCB制造的金属电镀液的整平剂的需求。
技术实现思路
一种化合物，所述化合物包括一种或多种下式化合物：其中R1、R2、R3和R4相同或不同，并且为氢；卤素；直链或支化、取代或未取代的(C1-C10)烷基；-NR5R6，其中R5和R6相同或不同，并且为氢或直链或支化、取代或未取代的(C1-C10)烷基；(C1-C10)烷氧基；硫醇；巯基(C1-C10)烷基；-NO2；-NO；硝基(C1-C10)烷基；或R3和R4可以与它们的所有碳原子一起形成取代或未取代的芳基；以及前提是R1、R2、R3和R4的至少一个是卤素；与一种或多种下式化合物的反应产物，Y1-R-Y2(II)其中Y1和Y2相同或不同，并且为氢、-NH2、-SH、-OH或下式基团：其中A为取代或未取代的(C5-C12)环烷基或(C5-C12)芳基，以及R为下式基团：其中Y1和Y2均为氢，以及B为取代或未取代的(C5-C12)环烷基或(C5-C12)芳基，或R为下式基团：或R为下式基团：以及其中Z1和Z2可相同或不同，并且选自：其中D为取代或未取代的(C5-C12)环烷基或(C5-C12)芳基，R’为下式基团：其中R7至R20相同或不同，并且选自氢、直链或支化的(C1-C5)烷基、直链或支化的氨基(C1-C5)烷基、羟基、直链或支化的羟基(C1-C5)烷基；R’1至R’7相同或不同，并且选自氢、直链或支化的(C1-C5)烷基、羟基、直链或支化的羟基(C1-C5)烷基以及直链或支化的氨基(C1-C5)烷基；R’8和R’9相同或不同，并且选自氢、直链或支化的(C1-C5)烷基、羟基、羟基(C1-C5)烷基以及下式基团：其中R’10至R’15相同或不同，并且选自氢和直链或支化的(C1-C5)烷基，Y3为-NH2、-SH或-OH；a、b、c、d、e、n和q为1-20的整数以及r为1-10。金属电镀组合物包括：一种或多种金属离子源，以及一种或多种化合物，所述化合物为一种或多种下式化合物：其中R1、R2、R3和R4相同或不同，并且为氢；卤素；直链或支化、取代或未取代的(C1-C10)烷基；-NR5R6，其中R5和R6相同或不同，并且为氢或直链或支化、取代或未取代的(C1-C10)烷基；(C1-C10)烷氧基；硫醇；巯基(C1-C10)烷基；-NO2；-NO；硝基(C1-C10)烷基；或R3和R4可以与它们的所有碳原子一起形成取代或未取代的芳基；以及前提是R1、R2、R3和R4的至少一个是卤素；与一种或多种下式化合物的反应产物，Y1-R-Y2(II)其中Y1和Y2相同或不同，并且为氢、-NH2、-SH、-OH或下式基团：其中A为取代或未取代的(C5-C12)环烷基或(C5-C12)芳基，以及R为下式基团：其中Y1和Y2均为氢，以及B为取代或未取代的(C5-C12)环烷基或(C5-C12)芳基，或R为下式基团：或R为下式基团：以及其中Z1和Z2可相同或不同，并且选自：其中D为取代或未取代的(C5-C12)环烷基或(C5-C12)芳基，R’为下式基团：其中R7至R20相同或不同，并且选自氢、直链或支化的(C1-C5)烷基、直链或支化的氨基(C1-C5)烷基、羟基、直链或支化的羟基(C1-C5)烷基；R’1至R’7相同或不同，并且选自氢、直链或支化的(C1-C5)烷基、羟基、直链或支化的羟基(C1-C5)烷基以及直链或支化的氨基(C1-C5)烷基；R’8和R’9相同或不同，并且选自氢、直链或支化的(C1-C5)烷基、羟基、羟基(C1-C5)烷基以及下式基团：其中R’10至R’15相同或不同，并且选自氢和直链或支化的(C1-C5)烷基，Y3为-NH2、-SH或-OH；a、b、c、d、e、n和q为1-20的整数以及r为1-10。方法包括：使待金属电镀的基材与金属电镀组合物相接触，所述组合物包括金属离子源以及一种或多种化合物，所述化合物为一种或多种下式化合物：其中R1、R2、R3和R4相同或不同，并且为氢；卤素；直链或支化、取代或未取代的(C1-C10)烷基；-NR5R6，其中R5和R6相同或不同，并且为氢或直链或支化、取代或未取代的(C1-C10)烷基；(C1-C10)烷氧基；硫醇；巯基(C1-C10)烷基；-NO2；-NO；硝基(C1-C10)烷基；或R3和R4可以与它们的所有碳原子一起形成取代或未取代的芳基；以及前提是R1、R2、R3和R4的至少一个是卤素；与一种或多种下式化合物的反应产物，Y1-R-Y2(II)其中Y1和Y2相同或不同，并且为氢、-NH2、-SH、-OH或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属电镀组合物，包含：一种或多种选自铜盐和锡盐的金属离子源以及一种或多种化合物，所述化合物是一种或多种下式化合物：

【技术特征摘要】
1.一种金属电镀组合物，包含：一种或多种选自铜盐和锡盐的金属离子源以及一种或多种化合物，所述化合物是一种或多种下式化合物：其中R1、R2、R3和R4相同或不同，并且为氢；卤素；直链或支化、取代或未取代的(C1-C10)烷基；-NR5R6，其中R5和R6相同或不同，并且为氢或直链或支化、取代或未取代的(C1-C10)烷基；(C1-C10)烷氧基；硫醇；巯基(C1-C10)烷基；-NO2；-NO；硝基(C1-C10)烷基；或R3和R4可以与它们的所有碳原子一起形成取代或未取代的芳基；并且前提是R1、R2、R3和R4的至少一个是卤素；与一种或多种下式化合物的反应产物，Y1-R-Y2(II)其中Y1和Y2相同或不同，并且为氢、-NH2、-SH、-OH，以及R为下式基团：或R为下式基团：以及其中Z1和Z2可相同或不同，并且选自：其中R’为下式基团：其中R7至R20相同或不同，并且选自氢、直链或支化的(C1-C5)烷基、直链或支化的氨基(C1-C5)烷基、羟基、直链或支化的羟基(C1-C5)烷基；R1’至R7’相同或不同，并且选自氢、直链或支化的(C1-C5)烷基、羟基、直链或支化的...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐曦，
申请(专利权)人：广州美迪斯新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44