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一种纳米级厚度独立自支撑发泡石墨烯膜及其制备方法技术

技术编号:17586530 阅读:39 留言:0更新日期:2018-03-31 03:31
本发明专利技术公开了一种纳米级厚度独立自支撑发泡石墨烯膜及其制备方法,该石墨烯膜由氧化石墨烯经过溶液成膜、化学还原、以及高温处理等步骤得到。该石墨烯膜由单层石墨烯通过物理交联组成,其中石墨烯基元结构完整,没有明显缺陷以及褶皱,片层间AB结构含量超过80%;薄膜中间夹层一层均匀气泡,单层气泡的构建为石墨烯的功能的可控应用提供了研究单元。

An independent self-supporting foamed graphene film with nanometer thickness and its preparation method

The invention discloses a nanometer thickness self supporting foam graphene membrane and a preparation method thereof. The graphene film is obtained by the steps of solution film formation, chemical reduction and high temperature treatment. The graphene film consisting of graphene by physical crosslinking, the graphene based structural integrity, no obvious defects and folds, layers AB structure containing more than 80% films; interlayer is a uniform layer of bubbles, the bubble provides the construction of single unit controlled application of graphene function.

【技术实现步骤摘要】
一种纳米级厚度独立自支撑发泡石墨烯膜及其制备方法
本专利技术涉及高性能纳米材料及其制备方法,尤其涉及一种纳米级厚度独立自支撑发泡石墨烯膜及其制备方法。
技术介绍
2010年,英国曼彻斯特大学的两位教授AndreGeiM和KonstantinNovoselov因为首次成功分离出稳定的石墨烯获得诺贝尔物理学奖,掀起了全世界对石墨烯研究的热潮。石墨烯有优异的电学性能(室温下电子迁移率可达2×105cM2/Vs),突出的导热性能(5000W/(MK),超常的比表面积(2630M2/g),其杨氏模量(1100GPa)和断裂强度(125GPa)。石墨烯优异的导电导热性能完全超过金属,同时石墨烯具有耐高温耐腐蚀的优点,而其良好的机械性能和较低的密度更让其具备了在电热材料领域取代金属的潜力。宏观组装氧化石墨烯或者石墨烯纳米片的石墨烯膜是纳米级石墨烯的主要应用形式,常用的制备方法是抽滤法、刮膜法、旋涂法、喷涂法和浸涂法等。通过进一步的高温处理,能够修补石墨烯的缺陷,能够有效的提高石墨烯膜的导电性和热导性,可以广泛应用于智能手机、智能随身硬件、平板电脑、笔记本电脑等随身电子设备中去。但是目前,高温烧结过本文档来自技高网...
一种纳米级厚度独立自支撑发泡石墨烯膜及其制备方法

【技术保护点】
一种纳米级厚度独立自支撑发泡石墨烯膜,其特征在于,所述石墨烯膜的厚度为70‑200nm,内部具有一层连续的气泡;气泡的壁面由片层间距为0.34nm的石墨烯片构成,且石墨烯片缺陷极少,其ID/IG<0.01;AB堆叠率大于80%,片层上无褶皱。

【技术特征摘要】
1.一种纳米级厚度独立自支撑发泡石墨烯膜,其特征在于,所述石墨烯膜的厚度为70-200nm,内部具有一层连续的气泡;气泡的壁面由片层间距为0.34nm的石墨烯片构成,且石墨烯片缺陷极少,其ID/IG<0.01;AB堆叠率大于80%,片层上无褶皱。2.一种纳米级厚度独立自支撑发泡石墨烯膜及其制备方法,其特征在于,包含如下步骤:(1)将氧化石墨烯配制成浓度为0.5-10ug/mL氧化石墨烯水溶液,以阳极氧化铝(AAO)为基底抽滤成膜,厚度为200-600nm。(2)将贴附于AAO膜的氧化石墨烯膜置于密闭容器中,60-100度高温熏蒸HI蒸汽1-10h。(3)将固体转移剂均匀涂敷在石墨烯膜表面,并于低于固体转移剂熔点5度以下温度进行加热,使得固体转移剂固化。(4)将涂敷有固体转移剂的石墨烯膜置于室温下,石墨烯膜自动与AAO膜分离。(5)将上述得到的固体转移剂支撑的石...

【专利技术属性】
技术研发人员:高超彭蠡
申请(专利权)人:浙江大学
类型:发明
国别省市:浙江,33

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