一种富含S空缺位的SnS制造技术
Preparation of an ultra thin SnS2 nanoscale rich in S empty vacancy
SnS2 ultrathin nanosheets the invention discloses a method for preparing a rich S vacancy, SnCl4 5H2O and L cysteine as the main raw material, the raw material is dissolved in ethylene glycol ml 30, stirring for 60 min, and then transferred to the 70 ml Teflon lined steel sets, tighten the SnS2 ultrathin nanosheets one step hydrothermal synthesized S rich empty absence. The SnS2 ultra-thin nanosheets have abundant S vacancies, and the presence of S empty acupoints significantly adjusts the band structure of SnS2, improves its optical absorption efficiency and carrier separation efficiency. The invention has the advantages of simple process, short preparation cycle, green environmental protection, high selectivity and low energy consumption. It meets the needs of actual production and has great potential for application.
【技术实现步骤摘要】
一种富含S空缺位的SnS2超薄纳米片的制备方法
本专利技术属于纳米材料领域，具体涉及到一种富含S空缺位的SnS2超薄纳米片的制备方法。
技术介绍
随着化石能源的逐渐枯竭和环境污染的日益加剧，发展绿色新能源和清洁生产已成为我国迫在眉睫的战略课题。半导体光催化是一种以半导体光催化材料为媒介、直接利用太阳能来驱动化学反应进行的技术，可实现太阳能转化成为人类所需能源。从能源开发和利用的角度来说，这一特点使得半导体光催化技术具有很大的发展潜力，近年来一直倍受科学界的高度重视。然而，光催化反应的低量子效率限制了光催化技术的广泛应用。科学家们围绕着光催化量子效率的科学问题，对光催化材料进行了大量探索。近来，具有纳米级厚度的超薄二维纳米片材料因具有以下特点而备受关注。①大比表面积、活性位增多：超薄二维纳米片的表面原子是充分暴露的，这必然引起比表面积增大；同时，由于催化活性位通常分布在催化剂表面，催化剂比表面积增大、活性位也增多。②胶体性质、量子尺寸效应：超薄二维纳米片的厚度仅有几个纳米甚至零点几个纳米，其充分分散在溶剂中能够形成胶体，并且纳米级的厚度甚至能够引起材料的能级分裂而出...
【技术保护点】
一种富含S空缺位的SnS2超薄纳米片的制备方法，其特征在于：以SnCl4·5H2O和L‑半胱氨酸为主要原料，以乙二醇为溶剂，搅拌均匀后得混合溶液，进一步水热合成得到富含S空缺位的SnS2超薄纳米片。
【技术特征摘要】
1.一种富含S空缺位的SnS2超薄纳米片的制备方法，其特征在于：以SnCl4·5H2O和L-半胱氨酸为主要原料，以乙二醇为溶剂，搅拌均匀后得混合溶液，进一步水热合成得到富含S空缺位的SnS2超薄纳米片。2.如权利要求1所述的一种富含S空缺位的SnS2超薄纳米片的制备方法，其特征在于：所述水热合成的温度为160℃...
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