一种半导体激光治疗仪制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体激光治疗仪，包括外壳，所述外壳上设有触控LED屏，所述触控LED屏一侧设有开关按钮，所述外壳一侧贯穿设有连接管，所述连接管内腔设有第一聚光镜，所述第一聚光镜一侧设有第二聚光镜，所述连接管一端设有伸缩软管，所述伸缩软管一侧设有激光管，所述激光管内腔设有第三聚光镜，所述第三聚光镜一侧设有第四聚光镜。本发明专利技术通过设有浪涌抑制器，有利于减少电路中的浪涌电流，降低了半导体激光器中P‑N结击穿现象的发生，通过设有铝电解电容和陶瓷电容，有利于提高输出电容值，提高电流的稳定性和降低电流纹波系数，通过设有二级滤波器，有利于进一步减少电路中的纹波，延长使用寿命。

A semiconductor laser therapeutic instrument

The invention discloses a semiconductor laser therapeutic instrument, which comprises a shell, the shell is provided with a touch screen LED, the LED touch screen is arranged on one side of the switch button, one side of the shell through a connecting pipe, the connecting pipe is provided with a first condenser, the first condenser is arranged on one side of the second condenser. The connecting pipe is arranged at one end of the flexible hose, one side of the flexible hose is provided with a laser tube, the laser tube is arranged in the inner cavity of the third condenser, the condenser third is arranged on one side of the condenser fourth. The invention is provided by surge suppressors, helps to reduce the inrush current in the circuit, reduce the occurrence of P breakdown of N junction semiconductor laser, through an aluminum electrolytic capacitors and ceramic capacitors, is conducive to the improvement of output capacitance value, improve the stability and reduce the current ripple coefficient of current, with two level through the filter, is conducive to to further reduce the ripple in the circuit, prolong the service life.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光治疗仪
本专利技术涉及医疗器械领域，特别涉及一种半导体激光治疗仪。
技术介绍
半导体激光治疗仪的低强度激光照射血液可以引发人体一系列的生化反应，通过活血和静血两方面作用改善和恢复血液的生理功能。半导体激光治疗仪采用波长为650nm的低强度激光照射桡动脉、内关穴及鼻腔，通过光化学效应，使血液动力学和血脂、血糖代谢得到改善，从而提高红细胞的携氧能力和变形能力，降低血液黏稠度，降低血脂、降低血压，改善血糖，达到治疗"三高"症及心脑血管疾病的目的。半导体激光治疗仪采用波长为650nm的光波，素有人体黄金波段“生命之光”的美称，在使用过程中，电源的稳定性对激光的输出有至关重要的影响，半导体激光器在长时间工作时发热严重，且易受静电影响。因此，专利技术一种半导体激光治疗仪来解决上述问题很有必要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体激光治疗仪，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种半导体激光治疗仪，包括外壳，所述外壳上设有触控LED屏，所述触控LED屏一侧设有开关按钮，所述外壳一侧贯穿设有连接管，所述连接管内腔设有第一聚光镜，所述第一聚光镜一侧设有第二聚光镜，所述连接管一端设有伸缩软管，所述伸缩软管一侧设有激光管，所述激光管内腔设有第三聚光镜，所述第三聚光镜一侧设有第四聚光镜，所述激光管一端设有接触管，所述外壳内腔设有调解室，所述调解室内壁设有浪涌抑制器，所述浪涌抑制器一侧设有铝电解电容，所述铝电解电容一侧设有陶瓷电容，所述陶瓷电容一侧设有二级滤波器，所述调解室一侧设有LED控制器，所述LED控制器一侧设有漏电保护器以及另一侧设有半导体激光器，所述半导体激光器两侧设有半导体制冷片，所述半导体激光器一侧设有电机，所述电机输出轴设有扇叶，所述半导体激光器端部设有出射口，所述出射口一侧设有反光镜。优选的，所述外壳另一侧贯穿设有电源线，所述漏电保护器一侧设有开关元件，所述电源线和开关按钮均与开关元件连接，所述电源线端部设有插头。优选的，所述LED控制器与触控LED屏电性线连接，所述浪涌抑制器型号设置为SZ-Z7，所述LED控制器型号设置为it7，所述二级滤波器型号设置为CW4L2-20A-S,所述半导体激光器的激光波长为650nm。优选的，所述第一聚光镜和第四聚光镜的曲率大于第二聚光镜和第三聚光镜。优选的，所述伸缩软管两端均设有内丝接头管，所述伸缩软管一端通过内丝接头管与连接管可拆卸连接以及另一端通过内丝接头管与激光管可拆卸连接，所述伸缩软管内腔设有光纤。优选的，所述外壳和半导体激光器表面均涂抹抗静电剂。优选的，所述外壳一侧壁设有散热铜管以及另一侧壁开设有散热孔，所述散热铜管设置为多个且贯穿外壳侧壁，所述散热孔设置于电机正前方，所述散热孔设置为多个。优选的，所述电机两侧设有安装块，所述安装块上设有螺钉，所述电机通过安装块和螺钉与外壳内壁可拆卸连接。优选的，所述反光镜设置为椭圆状，所述出射口贯穿反光镜长轴一端以及连接管贯穿反光镜长轴另一端。本专利技术的技术效果和优点：通过设有浪涌抑制器，有利于减少电路中的浪涌电流，降低了半导体激光器中P-N结击穿现象的发生，通过设有铝电解电容和陶瓷电容，有利于提高输出电容值，提高电流的稳定性和降低电流纹波系数，通过设有二级滤波器，有利于进一步减少电路中的纹波，延长使用寿命，通过设有半导体制冷片、散热铜管、散热孔、电机和扇叶，有利于对半导体激光器进行全方位散热，稳定阀值电流，提高输出效率，输出更加稳定，通过涂抹抗静电剂，有利于减少静电对半导体解理面造成损坏。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术的立体结构示意图。图中：1外壳、2触控LED屏、3开关按钮、4连接管、5第一聚光镜、6第二聚光镜、7伸缩软管、8激光管、9第三聚光镜、10第四聚光镜、11接触管、12调解室、13浪涌抑制器、14铝电解电容、15陶瓷电容、16二级滤波器、17LED控制器、18漏电保护器、19半导体激光器、20半导体制冷片、21电机、22扇叶、23出射口、24反光镜、25电源线、26开关元件、27插头、28内丝接头管、29散热铜管、30散热孔、31安装块。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供了如图1-2所示的一种半导体激光治疗仪，包括外壳1，所述外壳1上设有触控LED屏2，通过采用触控LED屏2，便于操作，所述触控LED屏2一侧设有开关按钮3，设有开关按钮3，方便打开与关闭，所述外壳1一侧贯穿设有连接管4，所述连接管4内腔设有第一聚光镜5，所述第一聚光镜5一侧设有第二聚光镜6，所述连接管4一端设有伸缩软管7，通过采用伸缩软管7，可弯曲扭动，便于使用，所述伸缩软管7一侧设有激光管8，所述激光管8内腔设有第三聚光镜9，所述第三聚光镜9一侧设有第四聚光镜10，所述激光管8一端设有接触管11，所述外壳1内腔设有调解室12，所述调解室12内壁设有浪涌抑制器13，通过设有浪涌抑制器13，有利于减少电路中的浪涌电流，降低了半导体激光器19中P-N结击穿现象的发生，所述浪涌抑制器13一侧设有铝电解电容14，通过设有铝电解电容14，有利于提高输出电容值，提高电流的稳定性和降低电流纹波系数，所述铝电解电容14一侧设有陶瓷电容15，通过设有陶瓷电容15，有利于抑制高频噪声，所述陶瓷电容15一侧设有二级滤波器16，通过设有二级滤波器16，进一步降低了电路中的纹波，提高了使用寿命，所述调解室12一侧设有LED控制器17，所述LED控制器17一侧设有漏电保护器18以及另一侧设有半导体激光器19，通过设有漏电保护器18，在电路出现短路时可进行断电，提高了安全性，所述半导体激光器19两侧设有半导体制冷片20，通过设有半导体制冷片20，有利于对半导体激光器19进行散热，有利于提高输出效率，输出更加稳定，所述半导体激光器19一侧设有电机21，所述电机21输出轴设有扇叶22，通过设有扇叶22，有利于对外壳1内腔进行散热，所述半导体激光器19端部设有出射口23，所述出射口23一侧设有反光镜24。所述LED控制器17与触控LED屏2电性线连接，所述浪涌抑制器13型号设置为SZ-Z7，所述LED控制器17型号设置为it7，所述二级滤波器16型号设置为CW4L2-20A-S,所述半导体激光器19的激光波长为650nm，波长650nm的激光对人体有着更加优良的治理效果，所述第一聚光镜5和第四聚光镜10的曲率大于第二聚光镜6和第三聚光镜9，设置为曲率不同有利于提高输出效率，所述外壳1和半导体激光器19表面均涂抹抗静电剂，通过涂抹抗静电剂，有利于减少静电对半导体解理面造成损坏，所述外壳1一侧壁设有散热铜管29以及另一侧壁开设有散热孔30，所述散热铜管29设置为多个且贯穿外壳1侧壁，采用热交换原理加快了外壳1内腔热量的散发，所述散热孔30设置于电机21正前方，所述散热孔30设置为多个，有利于扇叶22将外壳1内腔的热量从散热孔30进行吹出，所述反光镜24设置为椭圆状，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光治疗仪，包括外壳(1)，其特征在于：所述外壳(1)上设有触控LED屏(2)，所述触控LED屏(2)一侧设有开关按钮(3)，所述外壳(1)一侧贯穿设有连接管(4)，所述连接管(4)内腔设有第一聚光镜(5)，所述第一聚光镜(5)一侧设有第二聚光镜(6)，所述连接管(4)一端设有伸缩软管(7)，所述伸缩软管(7)一侧设有激光管(8)，所述激光管(8)内腔设有第三聚光镜(9)，所述第三聚光镜(9)一侧设有第四聚光镜(10)，所述激光管(8)一端设有接触管(11)，所述外壳(1)内腔设有调解室(12)，所述调解室(12)内壁设有浪涌抑制器(13)，所述浪涌抑制器(13)一侧设有铝电解电容(14)，所述铝电解电容(14)一侧设有陶瓷电容(15)，所述陶瓷电容(15)一侧设有二级滤波器(16)，所述调解室(12)一侧设有LED控制器(17)，所述LED控制器(17)一侧设有漏电保护器(18)以及另一侧设有半导体激光器(19)，所述半导体激光器(19)两侧设有半导体制冷片(20)，所述半导体激光器(19)一侧设有电机(21)，所述电机(21)输出轴设有扇叶(22)，所述半导体激光器(19)端部设有出射口(23)，所述出射口(23)一侧设有反光镜(24)。...

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光治疗仪，包括外壳(1)，其特征在于：所述外壳(1)上设有触控LED屏(2)，所述触控LED屏(2)一侧设有开关按钮(3)，所述外壳(1)一侧贯穿设有连接管(4)，所述连接管(4)内腔设有第一聚光镜(5)，所述第一聚光镜(5)一侧设有第二聚光镜(6)，所述连接管(4)一端设有伸缩软管(7)，所述伸缩软管(7)一侧设有激光管(8)，所述激光管(8)内腔设有第三聚光镜(9)，所述第三聚光镜(9)一侧设有第四聚光镜(10)，所述激光管(8)一端设有接触管(11)，所述外壳(1)内腔设有调解室(12)，所述调解室(12)内壁设有浪涌抑制器(13)，所述浪涌抑制器(13)一侧设有铝电解电容(14)，所述铝电解电容(14)一侧设有陶瓷电容(15)，所述陶瓷电容(15)一侧设有二级滤波器(16)，所述调解室(12)一侧设有LED控制器(17)，所述LED控制器(17)一侧设有漏电保护器(18)以及另一侧设有半导体激光器(19)，所述半导体激光器(19)两侧设有半导体制冷片(20)，所述半导体激光器(19)一侧设有电机(21)，所述电机(21)输出轴设有扇叶(22)，所述半导体激光器(19)端部设有出射口(23)，所述出射口(23)一侧设有反光镜(24)。2.根据权利要求1所述的一种半导体激光治疗仪，其特征在于：所述外壳(1)另一侧贯穿设有电源线(25)，所述漏电保护器(18)一侧设有开关元件(26)，所述电源线(25)和开关按钮(3)均与开关元件(26)连接，所述电源线(25)端部设有插头(27)。3.根据权利要求1所述的一种半导体激光治疗仪，其特征在于：所述LED...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄恒，郑国，杨明智，熊维萍，杨爱春，肖清华，周玲，
申请(专利权)人：合肥大族科瑞达激光设备有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34