半导体基多结光伏装置的制造制造方法及图纸

本发明专利技术公开了多结太阳能电池及其装置的制造。该结构还适于提供更加均匀和一致的太阳能电池结构制造，从而改善产率并降低成本。某些太阳能电池还可包括在一个或多个半导体层中的一个或多个半导体元素的一个或多个成分梯度，从而产生更加优化的太阳能电池装置。

【技术实现步骤摘要】
半导体基多结光伏装置的制造本申请是申请号为201380042578.7、申请日为2013年6月21日、专利技术名称为“半导体基多结光伏装置的制造”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开总体上涉及半导体基光伏，更具体地涉及单结和多结太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池，也称为光伏电池，是能通过光电伏打效应将光能转换成电能的半导体装置。太阳能电池采用一个或多个P-n结产生对应的一个或多个电场，该电场朝着太阳能电池装置的端子迅速传播(sweep)光生载流子以进行聚集，并且发展成电流。包括大量太阳能电池的太阳能阵列的成本通常与太阳能电池自身所用面积，即，经受光聚集的面积，成比例。高效率太阳能电池是很重要的，因为它们的高能量密度允许减小给定量功率所需的面积，因此改善了源自太阳能的电力成本。采用高效的太阳能电池时，功率密度越高，所需的面积越小，从而产生良好的系统成本且接近化石燃料比价。化石燃料比价可限定为光伏电力成本等于或低于化石燃料基电源成本的点。利用设计为吸收和聚集太阳能光谱不同部分的多结装置是实现高效太阳能电池的有效途径。由单结装置形成的太阳能电池可具有约31％的最大理论效率，而由多结装置形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多结光伏装置，包括：硅基板；形成在该硅基板上的第一有源单元区域；第二有源单元区域；以及隧道结，该隧道结包括第一部分和第二部分，该第一部分形成在该第一有源单元区域内，该第二部分形成在该第二有源单元区域内。

【技术特征摘要】
2012.06.22 US 61/663,374;2012.10.26 US 61/718,7081.一种多结光伏装置，包括：硅基板；形成在该硅基板上的第一有源单元区域；第二有源单元区域；以及隧道结，该隧道结包括第一部分和第二部分，该第一部分形成在该第一有源单元区域内，该第二部分形成在该第二有源单元区域内。2.如权利要求1所述的多结光伏装置，其中该第一部分包括硅。3.如权利要求1所述的多结光伏装置，其中该第二部分包括GaP。4.如权利要求1所述的多结光伏装置，其中该隧道结包括Al(x)Ga(1-x)As(1-y-z)N(y)P(z)。5.一种多结光伏装置，包括：硅基板；形成在该硅基板上的第一有源单元区域；第二有源单元区域；以及在该第一有源单元区域内的隧道结。6.如权利要求5所述的多结光伏装置，其中该隧道结包括Al(x)Ga(1-x)As(1-y-z)N(y)P(z)。7.一种多结光伏装置，包括：硅基板；形成在该硅基板上的第一有源单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：D阿马里，S莱姆，S雷，D福布斯，
申请(专利权)人：埃皮沃克斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US