The invention relates to a hierarchical heterogeneous hybrid memory system. Based on DRAM and two kinds of non-volatile memory NVM, two kinds of non volatile memory NVM are PCM and Flash respectively. According to the characteristics of three storage media such as DRAM, PCM and Flash, they are unified addressing and unified management. According to the characteristics of different storage medium on the rational organization of three kinds of medium, the establishment of the three kinds of media role, capacity ratio, the three kinds of media can get maximum play, and try to reduce their disadvantage limits, provides an excellent overall performance of hybrid memory system.
【技术实现步骤摘要】
一种层次式异构混合内存系统
本专利技术涉及内存系统设计
,特别涉及一种层次式异构混合内存系统。
技术介绍
随着大数据、内存计算应用的发展和使用,对内存容量和性能的需求越来越大,其中DRAM(DynamicRandomAccessMemory,动态随机存取存储器)的成本高是其中一项影响内存容量扩展的重要因素。而非易失存储器NVM(Non-volatileMemory,固定存储器)作为一种新型介质,诸如flash(闪存)、PCM(phase-changememory,相变内存)、ReRAM(可变电阻式内存)等,可同时提供传统硬盘等外部存储器的数据持久化能力和接近动态随机访问DRAM内存等内部存储器的存取性能。与机械硬盘比,其访问速度快,非易失的特性也越来越受到市场的关注。传统DRAM内存主要的接口包括DDR2、DDR3、LPDDR2等。DRAM相对发展的时间较长,其控制器发展相对已经十分成熟。非易失存储器NVM作为PCIESSD(即PCIeSSD,SSD为固态硬盘SolidStateDrive)或SASSSD(SAS,SerialAttachedSCSI即串行连 ...
【技术保护点】
一种层次式异构混合内存系统,其特征在于:基于DRAM和两种非易失存储器NVM,两种非易失存储器NVM分别为PCM和Flash,根据DRAM,PCM和Flash三种存储介质的特性对其统一编址、统一管理;其中DRAM与两种非易失存储器NVM平行存在于层次式异构混合内存中,即DRAM与两种非易失存储器NVM统一编址;DRAM作为两种非易失存储器NVM的高速缓冲存储器Cache,两种非易失存储器NVM作为DRAM的后端扩展内存;处理器通过主机DIMM接口访问DRAM存储,通过异构混合内存控制器访问两种非易失存储器NVM;所述异构混合内存控制器根据非易失存储器NVM物理芯片的工作时序 ...
【技术特征摘要】
1.一种层次式异构混合内存系统,其特征在于:基于DRAM和两种非易失存储器NVM,两种非易失存储器NVM分别为PCM和Flash,根据DRAM,PCM和Flash三种存储介质的特性对其统一编址、统一管理;其中DRAM与两种非易失存储器NVM平行存在于层次式异构混合内存中,即DRAM与两种非易失存储器NVM统一编址;DRAM作为两种非易失存储器NVM的高速缓冲存储器Cache,两种非易失存储器NVM作为DRAM的后端扩展内存;处理器通过主机DIMM接口访问DRAM存储,通过异构混合内存控制器访问两种非易失存储器NVM;所述异构混合内存控制器根据非易失存储器NVM物理芯片的工作时序,上层调用命令和引脚电平信号状态设置工作状态机以完成相应的操作,并提供驱动所述层次式异构混合内存的函数接口。2.根据权利要求1所述的层次式异构混合内存系统,其特征在于:所述主机DIMM接口通过传统DDR...
【专利技术属性】
技术研发人员:周恒钊,刘璧怡,
申请(专利权)人:郑州云海信息技术有限公司,
类型:发明
国别省市:河南,41
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